赛米控以MiniSKiiP，SEMITOP和SEMITRANS封装形式提供全碳化硅功率模块。通过使用领先供应商的碳化硅 MOSFET，可以达到最大输出功率及功率密度，且开关频率高，损耗减至最低，效率提升至最高。 开关频率的增加令无源滤波器组件的需求大大减少。而功率损耗减小, 所需的散热器可以更小和冷却需求更低。此两种好处可以让系统成本大幅下降。

 可提供的全碳化硅功率模块电流为20A-500A, 电压为1200V。可带或不带反并联续流肖特基二极管。

   涵盖的拓扑结构包括经典配置的三相全桥, 同时可以分别输出以便灵活地适应您的应用。半桥和包括一个旁路二极管的升压斩波电路也供选择。

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赛米控提供混合碳化硅功率模块如，MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit和SKiM63/93。将最新的IGBT技术和由领先供应商所提供的SiC（碳化硅）肖特基二极管结合在一起，以提高开关频率，同时减少功率损耗。

可提供的混合碳化硅功率模块电流为50A - 600A,电压为 1200V。涵盖三相全桥和半桥拓扑结构。

SiC（碳化硅）肖特基续流二极管所带来的开关损耗近乎为零, 同时能大大降低IGBT的导通损耗。这些效果可以在同一个模块封装里带来更高的开关频率，它有效地降低了对如太阳能逆变器、UPS系统或高频电源的输出端的滤波要求。而且可实现比标准硅功率模块更高的输出功率。

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