首页 > 产品中心 > 产品线 > 半导体器件
半导体器件 | 集成电路
电源管理 IC

 S812C.pdf

S-812C

高耐压CMOS电压稳压器 S-812C系列

描述:

  • S-812C系列是使用CMOS技术开发的高耐压电压稳压器。最大工作电压为16 V的高电压,因此最适用于需要耐压的应用电路。此外,不仅消耗电流小而且还内置电源开/关控制电路,最适合在低消耗电力的携带设备上使用。

  • 由于在内部备有相位补偿电路,故可稳定工作,因此作为输出电容器可使用陶瓷电容器。


特点:

  • 低消耗电流

    工作时1.0 μA 典型值, 1.8 μA 最大值(3 V产品)

  • 输出电压范围:在2.0 ~ 6.0 V之间可以0.1 V级进设定

  • 输出电压精度:±2.0 %

  • 输出电流:可输出50 mA(3.0 V输出产品,Vin=5 V时)可输出75 mA(5.0 V输出产品,Vin=7 V时)

  • 输入输出电压差:120 mV 典型值(Vout=5.0 V,Iout=10 mA)

  • 内置电源开/关控制电路:可选择正逻辑、负逻辑、无开/关控制功能

  • 内置短路保护电路

    可选择功能的有、无在备有短路保护功能的情况下

    短路电流 40 mA 典型值

  • 工作电压范围:16 V 最大值

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 家电产品的稳压电源

  • 使用电池的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

 S817_.pdf

S-817

超小型CMOS电压稳压器 S-817系列

描述:

  • S-817系列是采用CMOS技术开发的3端子正电压稳压器。另外,作为输出电容器,也可以使用小型陶瓷电容器,而且在低负载(1μA)条件下,也能稳定工作。

  • 与传统的电压稳压器相比,因备有低消耗电流、超小型封装型产品(SNT-4A : 1.2 × 1.6 mm),故最适用于小型携带设备的电源。


特点:

  • 低消耗电流 工作时:1.2 μA典型值,2.5 μA最大值

  • 输出电压:在1.1 ~ 6.0 V之间能以0.1 V级进选择

  • 输出电压的精度高:±2.0 %精度

  • 输出电流

    可输出50 mA(3.0 V输出产品,Vin=5 V时)

    可输出75 mA(5.0 V输出产品,Vin=7 V时)

  • 输入输出电压差:160 mV典型值(Vout=5.0 V,Iout=10 mA)

  • 能够使用低ESR电容器:能够使用0.1 μF以上的陶瓷电容器

  • 内置了短路保护电路:仅限于A系列

  • 输入稳定度良好:在低负载(1 μA)的条件下也能稳定工作

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池供电的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

 S816_.pdf

S-816

外接晶体管型 电压稳压器 S-816系列

描述:

  • S-816系列是使用CMOS技术开发的外接晶体管型正电压稳压器,内设过电流保护功能和开/关控制功能。利用本IC驱动外接的PNP晶体管,就可以构成输出电流数百mA~1A等级的低压差稳压器。相位补偿电路经过精心设计,消耗电流很低,同时又提高了过渡应答特性,也可以在输入和负载变动较大的情况下使用。

  • 本产品结合SOT-23-5微型封装和低消耗电流等特点,最适合在移动设备的电源部使用。输入电压最大可达16V,所以也非常适合于AC适配器输入。


特点:

  • 低消耗电流

    30μA 典型值,40μA 最大值 (工作时)

    1μA 最大值 (休眠时)

  • 输入电压:16V 最大值

  • 输出电压精度:±2.0%精度

  • 输出电压范围:2.5~6.0V (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 带开/关控制功能

  • 内置源电流源(10μA),基极和发射极之间不需要电阻

  • 带过电流(基极电流)保护功能

  • 无铅产品


用途:

  • 手机、电子记事本、PDA等采用电池的设备的 板上电源

  • 移动通信设备、照相机、视频设备的稳压电源

  • CPU用电源

  • 开关后段的调压器

  • 多电源系统的主调压器

 S1112_1122_.pdf

S-1112/1122

高纹波抑制率低压差型CMOS电压稳压器(LDO) S-1112/1122系列

描述:

  • S-1112/1122系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流正电压型电压稳压器。(LDO) 由于内置了低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。

  • 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路。此外,还内置电源开/关控制电路,以延长电池的使用寿命。和以往CMOS工艺电压稳压器相比,所能使用的电容器种类得以增多,也能使用小型的陶瓷电容器。因采用SNT-6A(H) (仅限S-1112系列)、SOT-23-5、5-Pin SON(A)小型封装,故可高密度安装。由于引脚排列的不同,SOT-23-5、5-Pin SON(A)分为S-1112系列和S-1122系列。


特点:

  • 可详细地选择输出电压。

    可以在1.5 ~ 5.5 V的范围内选择,并以0.1 V为单位级进

  • 输出电压精度高:±1.0% 精度

  • 输入输出压差低。(LDO)

    190 mV 典型值(输出为3.0 V的产品, Iout=100 mA时)

  • 消耗电流少。

    工作时:50 μA 典型值、90 μA 最大值

    休眠时:0.1 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 输出电流大:可输出150 mA (Vin≥Vout(S)+1.0 V时)

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 能够使用低ESR电容器:输出电容器,能够使用0.47 μF以上的陶瓷电容器

  • 高纹波抑制率:80 dB 典型值(1.0 kHz时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池供电的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

  • 手机用的稳压电源

 S1167_.pdf

S-1167

超低消耗电流 高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器(LDO) S-1167系列

描述:

  • S-1167系列是使用CMOS技术开发的超低消耗电流﹑高纹波抑制率﹑高精度输出电压﹑低压差的正电压型电压稳压器。(LDO)

  • 尽管消耗电流极其微小,只有9μA(典型值),还是实现了高纹波抑制率70 dB,而且可以使用1.0μF的陶瓷电容器作为输入输出电容器。

  • 另外因输出电压精度实现了±1.0%的高精度,且内置低导通电阻晶体管,故输入输出电压差也很小。内置了过载电流保护电路,以使负载电流不超过输出晶体管的电流容量。另外由于电源开 / 关控制电路的设置也使电池的寿命得以延长。

  • 封装形式有SOT-23-5﹑SNT-6A(H)2种。

  • 与以往的CMOS工艺电压稳压器相比,实现了超低消耗电流和超小型封装,所以最适用于便携设备。


特点:

  • 可详细地选择输出电压

    可以在1.5~5.5 V的范围内选择, 并以0.1 V为单位级进

  • 能够使用低等效串联电阻电容器

    输入输出电容器,能够使用1.0 μF以上的陶瓷电容器

  • 输入电压范围宽:2.0~6.5 V

  • 输出电压精度高:±1.0%精度

  • 输入输出压差低(LDO):150 mV 典型值

    (输出为3.0 V的产品﹐Iout = 100 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时﹕9 μA 典型值、16 μA 典型值

    休眠时﹕0.1 μA 典型值、0.9 μA典型值

  • 输出电流高

    可输出150 mA(Vin≧Vout(S)+1.0 V时)

  • 高纹波抑制率

    70 dB 典型值(1.0 kHz时 Vout = 3.0 V)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池供电的设备的稳压电源

  • 手机用的稳压电源

  • 便携设备用的稳压电源

 S11L10_.pdf

S-11L10

超低输出电压 低压差型CMOS电压稳压器(LDO) S-11L10系列

描述:

  • S-11L10系列是使用CMOS技术开发的低输出电压、高精度输出电压、低消耗电流(输出电流为150 mA)的正电压型电压稳压器。(LDO) 可使用1.0 μF的小型陶瓷电容器,也可以在低消耗电流(消耗电流为 9 μA 典型值)的条件下工作。

  • 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路。此外,还能通过电源开/关控制电路来延长电池的使用寿命。

  • 和以往采用CMOS工艺的电压稳压器相比,可使用的电容器种类较多,还可以使用小型的陶瓷电容器。

  • 因能采用小型的SOT-23-5, SNT-6A(H)封装,故可高密度安装。


特点:

  • 低输出电压

    在0.8 V ~ 3.3 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择输出电压

  • 低输入电压:1.2 V ~ 3.65 V

  • 可使用低等效串联电阻电容器

    输入输出电容器,能够使用大于1.0 μF的陶瓷电容器

  • 输出电压精度高:±1.0 % 精度

    (输出为0.8 V ~ 1.45 V的产品 ±15 mV)

  • 输入输出压差低(LDO):210 mV (典型值) 

    (输出为1.5 V的产品, Iout = 100 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时: 9.0 μA (典型值)、16 μA (最大值)

    休眠时: 0.1 μA (典型值)、0.9 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出150 mA (Vin≥Vout(S) +1.0 V时)

  • 纹波抑制率:60 dB (典型值) (1.0 kHz、Vout = 1.25 V时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置电源开 / 关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 内置放电分路功能。

  • 可选择恒流源下拉

  • 无铅产品


用途:

  • 以电池供电的设备的稳压电源

  • 用于手机的稳压电源

  • 用于携带设备的稳压电源

 S1312_.pdf

S-1312

低消耗电流 高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器 S-1312系列

描述:

  • S-1312系列是使用CMOS技术开发的低消耗电流、高纹波抑制率、低压差的正电压型电压稳压器。

  • 即使消耗电流仅为20μA (典型值),也能达到75dB (典型值)的高纹波抑制率,且可使用大于或等于0.22μF的陶瓷电容器作为输入、输出电容器。

  • 其输出电压精度高达±1.0%。


特点:

  • 输出电压:在1.0 V ~ 3.5 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择输出电压

  • 输入电压:1.5 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度:±1.0 % (1.0 V ~ 1.45 V 输出产品: ±15 mV)

  • 输入输出压差:160 mV (典型值) (2.8 V 输出产品, Iout = 100 mA)

  • 消耗电流

    工作时: 20 μA (典型值)、30 μA (最大值)

    休眠时: 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出150 mA (Vin≥Vout(S) +1.0 V)

  • 输入、输出电容器:能够使用大于或等于 0.22 μF 的陶瓷电容器

  • 纹波抑制率

    75 dB (典型值) (1.2 V 输出产品, f=1.0 kHz)

    70 dB (典型值) (2.85 V 输出产品, f=1.0 kHz)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热引起对产品的破坏

  • 内置ON / OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择下拉电阻

  • 可选择放电分路功能

  • 工作温度范围 : Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 携带通信设备、数码相机、数码音响设备的稳压电源

  • 以电池供电的设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

 S1312xxxH_.pdf

S-1312xxxH

工作温度105°C 低消耗电流 高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器 S-1312xxxH系列

描述:

  • S-1312xxxH系列是使用CMOS技术开发的低消耗电流、高纹波抑制率、低压差的正电压型电压稳压器。 

  • 即使消耗电流仅为20 μA (典型值),也能达到75 dB (典型值) 的高纹波抑制率,且可使用大于或等于0.22 μF的陶瓷电容器作为输入、输出电容器。 

  • 其输出电压精度高达±1.0%。


特点:

  • 输出电压:在1.0 V ~ 3.5 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择输出电压

  • 输入电压:1.5 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度:±1.0 % (1.0 V ~ 1.45 V 输出产品: ±15 mV)

  • 输入输出压差:160 mV (典型值) (2.8 V 输出产品, Iout = 100 mA)

  • 消耗电流

    工作时: 20 μA (典型值)、30 μA (最大值)

    休眠时: 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出150 mA (Vin≥Vout(S) +1.0 V)

  • 输入、输出电容器:能够使用大于或等于 0.22 μF 的陶瓷电容器

  • 纹波抑制率

    75 dB (典型值) (1.2 V 输出产品, f=1.0 kHz)

    70 dB (典型值) (2.85 V 输出产品, f=1.0 kHz)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热引起对产品的破坏

  • 内置ON / OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择下拉电阻

  • 可选择放电分路功能

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +105°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 以电池供电的设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

 S1323_.pdf

S-1323

高纹波抑制率 小型封装CMOS电压稳压器(LDO) S-1323系列

描述:

  • S-1323系列是使用CMOS技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。(LDO)由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。

  • 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路。此外,还内置电源开/关控制电路,以延长电池的使用寿命。和以往CMOS工艺电压稳压器相比,所能使用的电容器种类得以增多,也能使用小型的陶瓷电容器。因采用SNT-4A、SC-82AB小型封装,故可高密度安装。


特点:

  • 可详细地选择输出电压:可以在1.5~5.5 V的范围内选择, 并以0.1 V为单位级进

  • 输出电压精度高:±1.0 % 精度

  • 消耗电流少

    工作时: 70 μA 典型值、90 μA 最大值

    休眠时: 0.1 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 输出电流大:可输出150 mA (Vin≥Vout(S)+1.0 V时)

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 能够使用低ESR电容器:输出电容器,能够使用1.0 μF以上的陶瓷电容器

  • 高纹波抑制率:70 dB 典型值(1.0 kHz时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池供电的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

  • 手机用的稳压电源

 S1335_.pdf

S-1335

高纹波抑制率 软启动功能 CMOS电压稳压器 S-1335系列

描述:

  • S-1335系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、备有软启动功能、输出电流为150 mA的正电压型电压稳压器。

  • 可以调整在接通电源后或将ON / OFF端子设定为ON后的输出电压的上升时间。可以使用1.0 μF的小型陶瓷电容器,也可以在36 μA (典型值) 的低消耗电流的条件下工作。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过电流保护电路。

  • 因采用SOT-23-5, SC-82AB和超小型HSNT-4 (1010) 封装,故可高密度安装。


特点:

  • 输出电压:在1.0V~3.6V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

  • 输入电压:1.5 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度:±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V输出产品 : ±15 mV)

  • 输入输出电压差:70 mV (典型值) (2.8 V输出产品, IOUT = 100 mA)

  • 消耗电流

    工作时 : 36 μA (典型值), 54 μA (最大值)
    休眠时 : 0.1 μA (典型值), 1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出150 mA (VIN≥VOUT(S) + 1.0 V)

  • 输入、输出电容器:能够使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

  • 纹波抑制率

    70 dB (典型值) (f = 10 kHz, VOUT(S)≤2.5 V)

    80 dB (典型值) (f = 1.0 kHz)

  • 内置软启动电路

    可以调整在接通电源后或将ON / OFF端子设定为ON后的输出电压的上升时间。

    SOT-23-5的软启动时间可通过SST端子切换tSS0 = 0.1 ms (典型值) /tSS1 = 1.0 ms (典型值)

    SC-82AB的软启动时间固定为tSS0 = 0.1 ms (典型值)

    HSNT-4 (1010) 的软启动时间固定为tSS0 = 0.1 ms (典型值) 或tSS1 =1.0 ms (典型值)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 可选择下拉电阻

  • 可选择放电分路功能

  • 工作温度范围:Ta = -40℃ ~ +85℃

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 数码相机、电视机的稳压电源

  • 电池供电设备的稳压电源

  • 手机的稳压电源

  • 便携设备的稳压电源

 S13R1_.pdf

S-13R1

防止反向电流 CMOS电压稳压器 S-13R1系列

描述:

  • S-13R1系列是采用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流、输出电流150 mA的正电压电压稳压器。

  • 即使消耗电流仅为5 μA (典型值),也能达到70 dB (典型值) 的高纹波抑制率,且可使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器作为输入、输出电容器。

  • 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过电流保护电路;为了防止因发热引起对产品的破坏,内置了热敏关闭电路。

  • 通过内置的防止反向电流功能来抑制从Vout端子反向流入Vin端子的电流,电流值仅控制在0.09 μA (最大值)。因此,IC不需要连接保护二极管。


特点:

  • 输出电压:在1.2 V ~ 4.0 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

  • 输入电压:2.0 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度:±1.0% (1.2 V ~ 1.45 V输出产品 : ±15 mV)

  • 输入输出电压差:150 mV (典型值) (3.0 V输出产品、Iout = 100 mA)

  • 消耗电流

    工作时 : 5 μA (典型值), 9 μA (最大值)

    休眠时 : 0.1 μA (典型值), 1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出150 mA (Vin≥VOUT(S) + 1.0 V)

  • 输入、输出电容器:能够使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

  • 纹波抑制率:70 dB (典型值) (3.0 V输出产品、f = 1.0 kHz)

  • 防止反向电流功能:Irev = 0.09 μA (最大值)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热引起对产品的破坏

  • 内置ON / OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择下拉恒定电流

  • 可选择放电分路功能

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 使用电池设备的稳压电源

  • 便携设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

  • 手机用稳压电源

 ST111_.pdf

S-T111

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器(LDO) S-T111系列

描述:

  • S-T111系列是使用CMOS技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。(LDO)

  • 由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路。此外,还内置电源开/关控制电路,以延长电池的使用寿命。和以往CMOS工艺电压稳压器相比,所能使用的电容器种类得以增多,也能使用小型的陶瓷电容器。因采用SOT-23-5小型封装,故可高密度安装。


特点:

  • 可详细地选择输出电压:可以在1.5 ~ 5.5 V的范围内选择,并以0.1 V为单位级进

  • 输出电压精度高:±1.0 % 精度

  • 输入输出压差低(LDO):190 mV 典型值(输出为3.0 V的产品, Iout=100 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时: 50 μA 典型值、90 μA 最大值

    休眠时: 0.1 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 输出电流大:可输出150 mA (VIN≥VOUT(S) +1.0 V时)

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 能够使用低ESR电容器:输出电容器,能够使用0.1 μF以上的陶瓷电容器

  • 高纹波抑制率:80 dB 典型值(1.0 kHz时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池供电的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

  • 手机用的稳压电源

 S1200_.pdf

S-1200

高纹波抑制率 低压差型 低输入输出容量CMOS电压稳压器(LDO) S-1200系列

描述:

  • S-1200系列是使用CMOS技术开发的低压差,高精度输出电压的正电压型电压稳压器。(LDO) 可使用0.1μF的小型陶瓷电容器,消耗电流也可在18 μA 典型值的低消费电流下工作。

  • 由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使输出电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路。

  • 与以往CMOS工艺电压稳压器相比,因能使用小型的陶瓷电容器且采用了HSNT-6A小型封装,故可高密度安装。


特点:

  • 可详细地选择输出电压:可以在1.5~5.5 V的范围内选择,并以0.1 V为单位级进

  • 能够使用低ESR电容器:输入输出电容器,能够使用0.1 μF以上的陶瓷电容器

  • 输入电压范围宽:2.0~10.0V

  • 输出电压精度高:±1.0 % 精度

  • 输入输出压差低(LDO):140 mV 典型值(输出为3.0 V的产品, Iout=100 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时: 18 μA 典型值、40 μA 最大值

    休眠时: 0.01 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 输出电流:可输出150 mA (Vin≥Vout(S)+1.0 V时)

  • 高纹波抑制率

    70 dB 典型值(1.0 kHz时、1.5 V≤Vout≤3.0 V)

    65 dB 典型值(1.0 kHz时、3.1 V≤Vout≤5.5 V)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池供电的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

  • 手机用的稳压电源

 SL2980_.pdf

S-L2980

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器(LDO) S-L2980系列

描述:

  • S-L2980系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流正电压型电压稳压器。(LDO) 由于内置了低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。此外,还内置电源开/关控制电路,以延长电池的使用寿命。

  • 和以往CMOS工艺电压稳压器相比,所能使用的电容器种类得以增多,也能使用小型的陶瓷电容器。


特点:

  • 可详细地选择输出电压

    可以在1.5 ~ 6.0 V的范围内选择,并以0.1 V为单位级进

  • 输出电压精度高:±2.0% 精度

  • 输入输出压差低(LDO):120 mV 典型值

    (输出为3.0 V的产品, Iout=50 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时:90 μA 典型值、140 μA 最大值

    休眠时:0.1 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 输出电流大:可输出150 mA (VIN=VOUT(S)+1.0 V时)

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿

  • 能够使用低ESR电容器:输出电容器,能够使用1.0 μF以上的陶瓷电容器

    (输出电压值为1.7 V以下的产品,能够使用2.2 μF以上的陶瓷电容器)

  • 高纹波抑制率:70 dB 典型值(1.0 kHz时)

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池供电的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

  • 手机用的稳压电源

 S1313_.pdf

S-1313

低消耗电流 高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器 S-1313系列

描述:

  • S-1313系列是使用CMOS技术开发的超低消耗电流,低压差的正电压型电压稳压器。 

  • 消耗电流仅为0.9 μA (典型值),且可使用大于或等于0.1 μF的陶瓷电容器作为输入、输出电容器。 

  • 其输出电压精度高达±1.0%。


特点:

  • 输出电压:在1.0 V ~ 3.5 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

  • 输入电压:1.5 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度:±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V输出产品 : ±15 mV)

  • 输入输出电压差:170 mV (典型值) (2.8 V输出产品, IOUT = 100 mA)

  • 消耗电流

    工作时 : 0.9 μA (典型值), 1.35 μA (最大值)

    休眠时 : 0.01 μA (典型值), 0.1 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出200 mA (VOUT(S)≥1.4 V, VIN≥VOUT(S) + 1.0 V)

  • 输入、输出电容器:能够使用大于或等于0.1 μF的陶瓷电容器

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热引起的对产品的破坏

  • 内置ON / OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择下拉恒定电流

  • 可选择放电分路功能

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 携带通信设备、数码相机、数码音响设备的稳压电源

  • 以电池供电的设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

 S1315_.pdf

S-1315

低消耗电流 无输出电容 CMOS电压稳压器 S-1315系列

描述: 

S-1315系列是使用CMOS技术开发的低压差、高输出电压精度、低消耗电流、输出电流200 mA的正电压型电压稳压器。

因无输出电容,故可高密度安装。消耗电流仅为7 μA (典型值),可不使用输出电容器而实现高速应答。

其输出电压精度高达±1.0%。

 

特点:

输出电压

  • 在1.0 V ~ 4.2 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择输出电压

  • 输入电压:1.4 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度:±1.0%

      (输出为1.0 V ~ 1.45 V的产品:±15 mV)

  • 输入输出电压差:224 mV (典型值)

      (输出为3.0 V的产品, Iout = 200 mA)

  • 消耗电流

     工作时:7 μA (典型值)、13 μA (最大值)

    休眠时: 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

  •  输出电流高:可输出200 mA (Vin≥Vout(S) +1.0 V)

  •  输入、输出电容器

     输入电容器,能够使用大于或等于 0.1 μF 的陶瓷电容器

    输出电容器不需使用。如要使用,请使用小于或等于 10 μF 的陶瓷电容器

  •  纹波抑制率

     65 dB (典型值) (输出为1.0 V的产品, f = 1.0 kHz)

     60 dB (典型值) (输出为2.8 V的产品, f = 1.0 kHz)

  •  内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  •  内置ON / OFF电路:能够延长电池的使用寿命

  •  可选择下拉恒定电流

  •  可选择放电分路功能

  •  工作温度范围:−40°C ~ +85°C

  •  无铅

  •  Sn 100%

  •  无卤素

  

用途:

  • 以电池供电的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 手机用稳压电源

  • 组件 (模块) 用稳压电源


 S1165_.pdf

S-1165

高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器(LDO) S-1165系列

描述:

  • S-1165系列是使用CMOS技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。(LDO) 由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。

  • 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路。此外,还内置电源开/关控制电路,以延长电池的使用寿命。

  • 因采用SOT-23-5小型封装,故可高密度安装。


特点:

  • 可详细地选择输出电压:可以在1.5 ~ 5.5 V的范围内选择,并以0.1 V为单位级进

  • 输出电压精度高:±1.0% 精度

  • 输入输出压差低(LDO):140 mV 典型值

    (输出为3.0 V的产品, Iout=200 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时: 35 μA 典型值、65 μA 最大值

    休眠时: 0.1 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 高纹波抑制率:70 dB 典型值(1.0 kHz时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池供电的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

  • 手机用的稳压电源

S-1206

超低消耗电流 低压差型CMOS电压稳压器(LDO) S-1206系列

描述:

  • S-1206 系列是使用CMOS 技术开发的超低消耗电流﹑低压差﹑高精度输出电压﹑250 mA 输出电流的正电压型电压稳压器。(LDO)

  • 其输入输出电容器微小,只有0.1 μF,且可以在超低的消耗电流(1.0 μA(典型值))条件下工作。

  • 另外因内置低导通电阻晶体管,故输入输出电压差小,且可以获得较大的输出电流。内置了过载电流保护电路,以使负载电流不超过输出晶体管的电流容量。

  • 封装形式备有SOT-23-5﹑ SOT-89-3、SNT-6A(H)的3 种。

  • 与以往的CMOS 工艺电压稳压器相比,可使用的电容器种类众多,也可使用小型的输入﹑输出陶瓷电容器。实现了超低消耗电流和小型封装,所以最适用于便携设备。


特点:

  • 可详细地选择输出电压

    可以在1.2~5.2 V的范围内,并以0.05 V为进阶单位来选择

  • 能够使用低等效串联电阻电容器:输入﹑输出电容器,能够使用0.1 μF以上的陶瓷电容器

  • 输入电压范围宽:1.7~6.5V

  • 输出电压精度高:±1.0 % 精度

    (1.2 ~ 1.45 V输出产品﹕±15 mV)

  • 输入输出压差低(LDO):150 mV 典型值

    (3.0 V输出产品, Iout=100 mA时)

  • 消耗电流少:工作时: 1.0 μA 典型值、1.5 μA 最大值

  • 输出电流高:可输出250 mA

    (3.0 V输出产品﹐Vin≥Vout(s)+1.0 V时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 无铅产品


用途:

  • 电池供电设备的稳压电源

  • 手机用的稳压电源

  • 便携设备用的稳压电源

 S1131_.pdf

S-1131

高纹波抑制率 低压差型 中输出电流CMOS电压稳压器(LDO) S-1131系列

描述:

  • S-1131系列是使用CMOS技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。(LDO)

  • 由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路。此外,还内置电源开/关控制电路,以延长电池的使用寿命。因采用SOT-89-3,SOT-89-5, 6-Pin HSON(A)小型封装,故可高密度安装。


特点:

  • 可详细地选择输出电压

    输出电流大:可输出200 mA (Vin≥Vout(S)+1.0 V时)

  • 可以在1.5 ~ 5.5 V的范围内选择, 并以0.1 V为单位级进

  • 输出电压精度高:±1.0% 精度

  • 输入输出压差低(LDO):250 mV 典型值 (输出为3.0 V的产品, Iout=100 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时: 35 μA 典型值、65 μA 最大值

    休眠时: 0.1 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 输出电流大:可输出300 mA (Vin≥Vout(S)+1.0 V时)

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 高纹波抑制率:70 dB 典型值(1.0 kHz时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 无铅产品

用途:

  • DVD驱动器,CD-ROM驱动器用的稳压电源

  • 使用电池供电的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 笔记本电脑用的稳压电源

 S1132_.pdf

S-1132

高纹波抑制率 低压差型 中输出电流CMOS电压稳压器(LDO) S-1132系列

描述:

  • S-1132系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流(输出电流为300 mA)的正电压型电压稳压器。

  • (LDO) 可使用0.1 μF的小型陶瓷电容器,且可在消耗电流极其微小(20 μA (典型值))的条件下工作。

  • 内置了过载电流保护电路,使输出电流不超过输出晶体管的额定电流。

  • 与以往的输出电流为300 mA的CMOS电压稳压器相比,因能采用SNT-6A(H)超小型封装且可使用0.1 μF的小型陶瓷电容器,故可高密度安装。

  • 同时,由于消耗电流低,因此最适用于携带设备。


特点:

  • 可供选择的输出电压种类很多

    在1.5 ~ 5.5 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择输出电压

  • 能够使用低ESR电容器

  • 输入输出电容器,能够使用大于或等于0.1 mF的陶瓷电容器

  • 输入电压范围很宽:2.0 ~ 6.5 V

  • 输出电压精度很高:±1.0 % 精度

  • 输入输出压差低(LDO):130 mV (典型值)

    (输出为3.0 V的产品, Iout=100 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时: 20 μA (典型值)、40 μA (最大值)

    休眠时: 0.01 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出300 mA (Vin≥Vout(S) +1.0 V时)

  • 高纹波抑制率:70 dB (典型值) (1.0 kHz时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 无铅产品


用途:

  • 以电池供电的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

  • 手机的稳压电源

 S1133_.pdf

S-1133

高纹波抑制率 低压差型 中输出电流CMOS电压稳压器(LDO) S-1133系列

描述:

  • S-1133 系列是采用CMOS 技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流(输出电流为300 mA)的正电压电压稳压器。(LDO)

  • 可使用1 μF 的小型陶瓷电容器,且可在消耗电流极其微小(消耗电流为60 μA (典型值))的条件下工作。

  • 为了使输出电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过电流保护电路,而且为了防止因发热而引起的对产品的破坏,还内置了热敏关闭电路。

  • 除了可在IC 内部设定输出电压型产品以外,还在产品系列中增加了可通过外部电阻设定输出电压型(S-1133×00 系列)的产品。

  • 因采用 SOT-89-5 封装,SNT-8A 超小型封装, 故可高密度安装。同时,由于可与低消耗电流的特性相组合,因此最适用于携带设备。


特点:

  • 输出电压 (内部设定产品)

    在1.2 V ~ 6.0 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

  • 输出电压 (外部设定产品)


  • 在1.8 V~ 8.2 V的范围内可任意选择

  • (S-1133B00 / S-1133A00)

  • 输入电压:2.0 ~ 10 V

  • 输出电压精度:±1.0 % (1.2 V ~ 1.4 V输出产品 : ±15 mV)

  • 输入输出电压差:130 mV (典型值) (3.0 V输出产品、Iout = 100 mA)

  • 消耗电流

    工作时 : 60 μA (典型值)、90 μA (最大值)

    休眠时 : 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

    输出电流:可输出300 mA (Vin≥Vout(s) +1.0 V)

  • 输入、输出电容器

    能够使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

    (输出电压值在1.7 V以下的产品,可使用2.2 μF以上的陶瓷电容器)

  • 纹波抑制率:70 dB (典型值) (1.2 V输出产品,f = 1.0 kHz)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热引起对产品的破坏

  • 内置ON / OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 使用电池设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家用电器产品的稳压电源

 S1135_.pdf

S-1135

高纹波抑制率 低压差型 中输出电流CMOS电压稳压器(LDO) S-1135系列

描述:

  • S-1135系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流(输出电流为300 mA)的正电压型电压稳压器。(LDO)

  • 可使用1.0 μF的小型陶瓷电容器,也可以在低消耗电流(消耗电流为45 μA 典型值)的条件下工作。

  • 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路。此外,还能通过电源开/关控制电路来延长电池的使用寿命。

  • 和以往采用CMOS工艺的电压稳压器相比,可使用的电容器种类较多,还可以使用小型的陶瓷电容器。

  • 因能采用小型的SOT-89-5, SOT-23-5, HSNT-6A封装,故可高密度安装。


特点:

  • 可详细选择输出电压

    在1.0 V ~ 3.5 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择输出电压

  • 可使用低等效串联电阻电容器

  • 输入输出电容器,能够使用大于1.0 μF的陶瓷电容器

  • 输入电压范围宽:1.5 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度高:±1.0 % 精度 (输出为1.0 V ~ 1.45 V的产品 ±15 mV)

  • 输入输出压差低

    (LDO) 160 mV (典型值)

    (输出为2.6 V的产品, Iout = 300 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时: 45 μA (典型值)、65 μA (最大值)

    休眠时: 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出300 mA (Vin≥Vout(S) +1.0 V时)

  • 高纹波抑制率:70 dB (典型值) (1.0 kHz、Vout = 1.0 V时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置电源开 / 关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择放电分路功能

  • 可选择上拉 / 下拉电阻

  • 无铅产品


用途:

  • 以电池供电的设备的稳压电源

  • 用于手机的稳压电源

  • 用于携带设备的稳压电源

 S1137_.pdf

S-1137

高纹波抑制率 低压差型 备有软启动功能 CMOS电压稳压器(LDO) S-1137系列

描述:

  • S-1137系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、备有软启动功能、输出电流为300 mA的正电压型电压稳压器。(LDO)

  • 可使用1.0 μF的小型陶瓷电容器,也可以在低消耗电流(消耗电流为45 μA典型值)的条件下工作。

  • 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路。 此外,还能通过电源开/关控制电路来延长电池的使用寿命。

  • 和以往采用CMOS工艺的电压稳压器相比,可使用的电容器种类较多,还可以使用小型的陶瓷电容器。

  • 因能采用小型的SOT-89-5, SOT-23-5, SNT-6A(H)封装,故可高密度安装。


特点:

  • 输出电压:1.2 V ~ 3.5 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

  • 输入电压:.7 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度:1.0 % (1.2 V ~ 1.45 V输出产品: ±15 mV)

  • 输入输出电压差:0 mV (典型值) (2.8 V输出产品, Iout = 300 mA)

  • 消耗电流

    工作时: 45 μA (典型值)、65 μA (最大值)

    休眠时: 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:输出300 mA (VIN ≥ VOUT(S) +1.0 V)

  • 输入、输出电容器:够使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

  • 纹波抑制率:0 dB (典型值) (f = 1.0 kHz)

  • 内置软启动电路:启动时间: 0.7 ms (典型值) (CSS = 1.0 nF)

  • 内置过载电流保护电路:制输出晶体管的过载电流

  • 内置ON / OFF控制电路:够延长电池的使用寿命

  • 可选择下拉电阻

  • 可选择放电分路功能

  • 工作温度范围:a = −40°C to +85°C

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 以电池供电的设备的稳压电源

  • 用于手机、携带设备的稳压电源

  • 用于数码相机、电视机、DVD刻录机的稳压电源

 S1333_.pdf

S-1333

低消耗电流 高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器 S-1333系列

描述:

  • S-1333系列是使用CMOS技术开发的低消耗电流,高纹波抑制率,低压差的正电压型电压稳压器。

  • 即使消费电流仅为25 μA (典型值),也能达到75 dB (典型值) 的高纹波抑制率,且可使用1.0 μF以上的陶瓷电容器作为输入输出电容器。
    其输出电压精度高达±1.0%。


特点:

  • 输出电压

    在1.0 V ~ 3.5 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择输出电压

  • 输入电压:.5 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度:1.0% (1.0 V ~ 1.45 V 输出产品 : ±15 mV)

  • 输入输出电压差:60 mV (典型值)(2.8 V输出产品, Iout = 100 mA)

  • 消耗电流

    工作时:25 μA (典型值)、38 μA (最大值)

    休眠时: 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:输出300 mA (VOUT(S) ≥ 1.3 V, VIN ≥ VOUT(S) + 1.0 V)

  • 输入、输出电容器:够使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

  • 纹波抑制率

    75 dB (典型值) (输出为1.6 V的产品, f = 1.0 kHz)

    70 dB (典型值) (输出为2.85 V的产品, f = 1.0 kHz)

  • 内置过载电流保护电路:制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:止因发热引起对产品的破坏

  • 内置ON / OFF控制电路:够延长电池的使用寿命

  • 可选择下拉电阻

  • 可选择放电分路功能

  • 工作温度范围: = -40℃~ +85℃

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 携带通信设备、数码相机、数码音响设备的稳压电源

  • 以电池供电的设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

 S1155_.pdf

S-1155

高纹波抑制率 低压差型 高输出电流 CMOS电压稳压器(LDO) S-1155系列

描述:

  • S-1155 系列是采用CMOS 技术开发的超低压差、高精度输出电压、低消耗电流的正电压电压稳压器。(LDO)

  • 由于内置了低通态电阻晶体管,所以输入输出电压差非常小,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过电流保护电路;为了防止因发热引起的对产品的破坏,内置了热敏关闭电路;为了限制电源启动时的过大的突入电流,内置了突入电流控制电路。

  • 此外,还能通过电源开/关控制电路延长电池的使用寿命。和以往采用CMOS工艺的电压稳压器相比,可使用的电容器种类较多,还可以使用小型的陶瓷电容器。

  • 因采用小型的SOT-89-5 封装,故可高密度安装。


特点:

  • 可详细地选择输出电压

    可以在1.0~5.0 V 的范围内,以0.05 V 为进阶单位来进行选择

  • 可使用低等效串联电阻电容器

    输入输出电容器能够使用4.7 μF 以上的陶瓷电容器

  • 输入电压:.5~5.5 V

  • 输出电压精度高:1.0% 精度(1.0~1.45 V 输出产品 : ±15 mV)

  • 输入输出压差小(LDO):0 mV 典型值(3.0 V 输出产品、Iout = 200 mA 时)

  • 消耗电流少

    工作时 : 70 μA 典型值、90 μA 最大值(3.0 V 输出产品)

    休眠时 : 0.1 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 输出电流:输出500 mA 

    (3.0 V 输出产品,Vin ≥ Vout(S)+1.0 V 时)

  • 高纹波抑制率:0 dB 典型值(1.0 kHz、Vout = 1.0 V 时)

  • 内置过电流保护电路:制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:止因发热而引起的对产品的破坏

  • 内置突入电流控制电路:制电源启动时的过大的突入电流

  • 内置电源开/关控制电路:够延长电池的使用寿命

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池的设备的稳压电源

  • 电视机、笔记本电脑、家用电器等产品的稳压电源

  • 携带设备的稳压电源

 S1170_.pdf

S-1170

高纹波抑制率 低压差型 高输出电流CMOS电压稳压器(LDO) S-1170系列

描述:

  • S-1170系列是采用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流的正电压电压稳压器。(LDO)

  • 由于内置了低通态电阻晶体管,所以输入输出电压差很小,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过电流保护电路,而且为了防止因发热而引起的对产品的破坏,内置了热敏关闭电路。此外,还能通过电源开/关控制电路延长电池的使用寿命。和以往CMOS工艺电压稳压器相比,所能使用的电容器种类有所增加,还能使用小型的陶瓷电容器。因采用SOT-89-5,6-Pin HSON(A)小型封装,故可高密度安装。


特点:

  • 可详细地选择输出电压

    可以在1.5~5.5 V的范围内以0.1 V为单位级进选择

  • 输出电压精度高:±1.0 % 精度

  • 输入输出压差小(LDO):120 mV 典型值 

    (输出为3.0 V的产品, Iout=300 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时: 80 μA 典型值、160 μA 最大值

    休眠时: 0.1 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 输出电流大:可输出800 mA (Vin≥Vout(S)+1.0 V时)

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 能够使用低ESR电容器:输出电容器,能够使用4.7 μF以上的陶瓷电容器

  • 高纹波抑制率:70 dB 典型值(1.0 kHz时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热而引起的对产品的破坏

  • 无铅产品


用途:

  • DVD驱动器和CD-ROM驱动器用的稳压电源

  • 使用电池的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 笔记本电脑的稳压电源

 S1172_.pdf

S-1172

高纹波抑制率 低压差型 高输出电流CMOS电压稳压器(LDO) S-1172系列

描述:

  • S-1172 系列是采用CMOS 技术开发的超低压差、高精度输出电压、低消耗电流的正电压电压稳压器。(LDO)

  • 由于内置了低通态电阻晶体管,所以输入输出电压差非常小,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过电流保护电路;为了防止因发热引起的对产品的破坏,内置了热敏关闭电路;为了限制电源启动时的过大的突入电流,内置了突入电流控制电路。

  • 此外,还能通过ON / OFF控制电路延长电池的使用寿命。和以往采用CMOS技术的电压稳压器相比,可使用的电容器种类较 多,还可以使用小型的陶瓷电容器。

  • 因采用高放热的HSOP-6 以及小型的SOT-89-5 封装,故可高密度安装。


特点:

  • 输出电压:在1.0 V ~ 5.0 V 的范围内, 可以0.05 V 为进阶单位来选择

  • 输入电压:1.5~5.5 V

  • 输出电压精度:±1.0% 精度(1.0~1.45 V 输出产品 : ±15 mV)

  • 输入输出压差:70 mV 典型值(3.0 V 输出产品、Iout = 300 mA)

  • 消耗电流

    工作时 : 70 μA 典型值、90 μA 最大值(3.0 V 输出产品)

    休眠时 : 0.1 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 输出电流:可输出1000 mA 
    (3.0 V 输出产品,Vin ≥ Vout(S)+1.0 V 时)

  • 输入、输出电容器:能够使用大于或等于4.7 μF 的陶瓷电容器

  • 纹波抑制率:70 dB (典型值) (1.0 V 输出产品、f = 1.0 kHz)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热引起的对产品的破坏

  • 内置突入电流控制电路:限制电源启动时的过大的突入电流

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~+85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 使用电池的设备的稳压电源

  • 电视机、笔记本电脑、家用电器等产品的稳压电源

  • 携带设备的稳压电源

 S13A1_.pdf

S-13A1

高纹波抑制率 低压差型 高输出电流CMOS电压稳压器 S-13A1系列

描述:

  • S-13A1系列是采用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流正电压的电压稳压器。

  • S-13A1系列可使用2.2μF的小型陶瓷电容器。由于内置了低通态电阻晶体管,所以输入输出电压差非常小,能够获得较大的输出电流。为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过电流保护电路;为了防止因发热引起的对产品的破坏,内置了热敏关闭电路。S-13A1系列不仅备有可在IC内部设定输出电压型产品,还备有可通过外部电阻设定输出电压型的产品。

  • 另外,S-13A1系列内置了突入电流限制电路来限制在接通电源时或将ON / OFF端子设定为ON时产生的过大的突入电流。 因采用具有高放热性能的HSOP-8A, HSOP-6封装以及小型的SOT-89-5、HSNT-6A封装,故可高密度安装。


特点:

  • 输出电压 (内部设定产品)

    在 1.0 V ~ 3.5 V 的范围内,可以 0.05 V 为进阶单位来选择

  • 输出电压 (外部设定产品)

    在 1.05 V ~ 5.0 V 的范围内,可通过外部电阻设定(仅限HSOP-8A, HSOP-6, SOT-89-5)

  • 输入电压:1.5 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度:±1.0% (内部设定产品,1.0 V ~ 1.45 V 输出产品 : ±15 mV))

  • 输入输出电压差:70 mV (典型值) (3.0 V 输出产品, Iout = 300 mA)

  • 消耗电流

    工作时 : 60 μA (典型值)、90 μA (最大值)

    休眠时 : 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出1000 mA (VIN≥VOUT(S) +1.0 V)

  • 输入、输出电容器:能够使用大于或等于 2.2 μF 的陶瓷电容器

  • 纹波抑制率:70 dB (典型值) (f = 1.0 kHz)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热而引起对产品的破坏

  • 内置突入电流限制电路

    限制接通电源时或将 ON / OFF 端子设定为 ON 时产生的过大的突入电流

    HSOP-8A, HSOP-6, SOT-89-5 的输出电压内部设定产品可通过外部电阻改变 突入电流限制时间

    突入电流限制时间 0.7 ms (典型值)

    (HSOP-8A, HSOP-6, SOT-89-5 的输出电压内部设定产品、 CSS = 1.0 nF) 

    突入电流限制时间 0.4 ms (典型值)

    (HSOP-8A, HSOP-6, SOT-89-5 的输出电压内部设定产品、 SSC 端子设定为开路状态) 

    突入电流限制时间 0.4 ms (典型值)

    (HSOP-8A, HSOP-6, SOT-89-5 的输出电压外部设定产品、 HSNT-6A 的输出电压内部设定产品)

  • 内置 ON / OFF 控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择下拉电阻

  • 可选择放电分路功能

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 使用电池的设备的稳压电源

  • 电视机、手提电脑、家用电器产品的稳压电源

  • 便携设备的稳压电源

 S814_.pdf

S-814

低压差型 电压稳压器 S-814系列

描述:

  • S-814系列是采用CMOS技术开发的、低压差、高精度、低消耗电流的正电压电压稳压器。由于内置低通态电阻晶体管,所以输入输出电压差很小,能获得较大的输出电流。另外,可通过开/关控制电路来延长电池的使用寿命。

  • 与使用CMOS技术的传统电压稳压器相比,这种产品可使用的电容器的种类较多,还可以使用小型陶瓷电容器。

  • 建议用户在用于移动设备时,采用小型的SOT-23-5封装,在大电流用途方面采用SOT-89-5封装。


特点:

  • 低消耗电流

    30μA 典型值,40μA 最大值 (工作时)

    100nA 典型值,500nA 最大值 (休眠时)

  • 输出电压:2.0~6.0V (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.0%精度

  • 输入电压:10V 最大值

  • 输出电流

    可输出110mA (3.0V输出产品, Vin=4V时)

    可输出180mA (5.0V 输出产品, Vin=6V时)

  • 输入输出电压差:170mV 典型值 (5.0V输出产品,Iout=60mA)

  • 内置开/关控制电路

  • 内置短路保护电路

  • 可使用低ESR电容器:可使用0.47μF以上的陶瓷电容器

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家用电器产品的稳压电源

 S818_.pdf

S-818

低压差型 电压稳压器 S-818系列

描述:

  • S-818系列是采用CMOS技术开发的、低压差、高精度、低消耗电流的正电压电压稳压器。

  • 由于内置低通态电阻晶体管,所以输入输出电压差很小,能获得较大的输出电流。另外,可通过开/关控制电路来延长电池的使用寿命。与使用CMOS技术的传统电压稳压器相比,这种产品可使用的电容器的种类较多,还可以使用小型陶瓷电容器。

  • 建议用户在用于移动设备时,采用小型的SOT-23-5封装,在大电流用途方面采用SOT-89-5封装。


特点:

  • 低消耗电流

    30μA 典型值,40μA 最大值 (工作时)

    100nA 典型值,500nA 最大值 (休眠时)

  • 输出电压:2.0~6.0V (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.0%精度

  • 输入电压:10V 最大值

  • 输出电流

    可输出200mA (3.0V输出产品, Vin=4V时)

    可输出300mA (5.0V输出产品, Vin=6V时)

  • 输入输出电压差:170mV 典型值 (5.0V输出产品,Iout=60mA)

  • 内置开/关控制电路

  • 内置短路保护电路

  • 可使用低ESR电容器:可使用2μF以上的陶瓷电容器

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池的设备的稳压电源

  • 通信设备的稳压电源

  • 家用电器产品的稳压电源

 S1701_.pdf

S-1701

带复位功能 高纹波抑制率 低压差型CMOS电压稳压器 S-1701系列

描述:

  • S-1701系列是采用CMOS技术开发的,在单芯片中由高精度延迟电路内置型电压检测电路和低压差、高精度输出电压的正电压电压稳压器构成的,带复位功能的电压稳压器。

  • 备有品种丰富的系列产品以满足对从SENSE端子输入型产品到电压检测电路电压检测器部分的各种不同选择。此外,因为内置了低通态电阻晶体管,所以输入输出压差小,可获得较大的输出电流。

  • 也可使用小型的陶瓷电容器,无需延迟用电容器,因采用SOT-23-5、SOT-89-5小型封装,故可高密度安装。


特点:
稳压器部分

  • 可详细地选择输出电压:可以在1.5~5.0 V的范围内以0.1 V为单位级进来选择

  • 输出电压精度高:±1.0%精度

  • 输出电流大:可输出400 mA(Vin≧Vout(S)+2.0 V时)

  • 内置电源开/关控制电路

    能够延长电池的使用寿命

    休眠时﹕0.1 μA 典型值、1.0 μA 最大值

  • 能够使用低ESR电容器:输出电容器,能够使用1.0 μF以上的陶瓷电容器

  • 高纹波抑制率:70 dB 典型值(1.0 kHz时)

  • 内置过电流保护电路:可限制输出晶体管的过载电流

  • 工作电压范围:2.0~6.5 V

检测器部分

  • 可详细地选择:可以在1.5~5.5 V的范围内以0.1 V为单位级进来选择

  • 检测电压精度高:±1.0%精度

  • 输出形式:N沟道开路漏极动态“L”输出

  • 无需延迟用电容器

  • 3种延迟时间:无延迟(60 μs)、50 ms、100 ms

  • 工作电压范围:0.8~6.5 V

整体

  • 消耗电流少:工作时﹕ 85 μA 典型值

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池的设备的稳压电源以及复位电路

  • 通信设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

 S1702_.pdf

S-1702

带复位输入功能 内置高精度电压检测器 超低消耗电流型 150 mA 电压稳压器 S-1702系列

描述:

  • S-1702系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流(输出电流为150 mA)的正电压型电压稳压器。

  • S-1702系列内置了可使用1.0 μF以上的陶瓷电容器、输出电压精度高达±1.0%的电压稳压器和监视稳压器的输出/输入电压的电压检测器。此外还内置了过载电流保护电路以防止输出电流超过输出晶体管的电流容量,内置了稳压器停止工作时的强制输出放电电路。

  • 采用超小型SNT-6A封装且可使用小型的外接陶瓷电容器,故可高密度安装。同时,由于消耗电流低,因此最适用于携带设备。


特点:

  • 输出电压:在1.5 V ~ 5.5 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

  • 输出电压精度:±1.0%

  • 消耗电流:稳压器消耗电流:9 μA (典型值)、16 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出150 mA(Vin≧Vout (S) +1.0 V

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置ON / OFF 强制放电电路:能够延长电池的使用寿命、瞬间将输出负载放电

  • 纹波抑制率:70 dB (典型值) (f = 1.0 kHz)

检测器

  • 检测电压:在 1.3 V ~ 5.2 V 的范围内,可以 0.05 V 为进阶单位来选择

  • 内置高精度电压检测电路:±1.0%

    可通过选购件对应输出/输入侧监视或外部输入监视(检测器输出)

  • 外部复位输入:通过外部复位端子(RESX)输入,可对检测器输出强制执行断言(ASSERT)

整体:

  • 与稳压器和检测器的温度梯度相关联

  • 消耗电流:工作时*2:10 μA (典型值)、18 μA (最大值)

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 用于手机的无线电源电路

  • 用于保健产品的电源电路

  • 用于各种携带设备的电源电路

 S1711_.pdf

S-1711

超小型 双电路 高纹波抑制率 低压差型 CMOS电压稳压器 S-1711系列

描述:

  • S-1711系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流(输出电流为150 mA)的正电压型双电路电压稳压器。

  • 可使用1.0 μF的小型陶瓷电容器,备有输出电压精度高达±1.0 %的双电路稳压器,在封装形式上备有SOT-23-6、超小型SNT-6A。A/B/E/F型产品备有放电分流功能,因此在使用ON/OFF端子时可以获得高速化的输出响应速度。

  • 与以往输出电流为150 mA的双电路CMOS电压稳压器相比,因能采用SNT-6A超小型封装且可使用小型的陶瓷电容器,故可高密度安装。同时,由于消耗电流低,因此最适用于携带设备。


特点:

  • 可供选择的输出电压种类很多

    在1.5 ~ 5.5 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择输出电压

  • 能够使用低ESR电容器

    输入输出电容器,能够使用大于或等于1.0μF的陶  瓷电容器

  • 输入电压范围宽:2.0 ~ 6.5 V

  • 输出电压精度高:±1.0 % 精度

  • 输入输出压差低:200 mV (典型值) (输出为3.0 V的产品, Iout=150 mA时)

  • 消耗电流少

    工作时: 70μA (典型值)、90μA (最大值) (每个电路) 

    休眠时: 0.1μA (典型值)、1.0μA (最大值)

  • 输出电流:可输出150 mA (Vin≥Vout(S) +1.0 V时) (每个电路)

  • 高纹波抑制率:70 dB (典型值) (1.0 kHz时)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置电源开/关控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择放电分路功能

  • 可选择上拉/下拉电阻

  • 无铅产品


用途:

  • 手机的稳压电源

  • 以电池供电的设备的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

 S1721_.pdf

S-1721

超小型 双电路 高纹波抑制率 低压差型 CMOS电压稳压器 S-1721系列

描述:

  • S-1721系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流(输出电流为150 mA)的正电压型双电路电压稳压器。

  • 可使用1.0 μF的小型陶瓷电容器,备有输出电压精度高达±1.0 %的双电路稳压器,在封装形式上备有SOT-23-6或超小型SNT-6A。

  • 与S-1711系列相比较,消耗电流更低,因此最适用于携带设备。


特点:

  • 输出电压:在1.2 V ~ 5.0 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

  • 输入电压:1.7 V ~ 6.5 V

  • 输出电压精度:±1.0%

  • 输入输出电压差:130 mV (典型值) (3.0 V输出产品, Iout=100 mA)

  • 消耗电流

    工作时: 25 μA (典型值)、45 μA (最大值) (3.0 V输出产品,每个电路)

    休眠时: 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出150 mA (Vin≥Vout(S) +1.0 V) (每个电路)

  • 输入、输出电容器:能够使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

  • 纹波抑制率:80 dB (典型值) (输出不足1.8 V的产品, f = 1.0 kHz)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置ON / OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择上拉 / 下拉电阻

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 用于手机的稳压电源

  • 以电池供电的设备的稳压电源

 S13D1_.pdf

S-13D1

超小型 双电路 内置延迟功能 高纹波抑制率 低压差型 CMOS电压稳压器 S-13D1系列

描述:

  • S-13D1系列是采用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、低消耗电流的正电压2通道电压稳压器。

  • S-13D1系列可使用0.22 μF的小型陶瓷电容器。

  • 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过电流保护电路;为了防止因发热引起的对产品的破坏,内置了热敏关闭电路。

  • 另外,S-13D1系列的C / F型产品可在通道之间设置上升的时间差,并且还内置了延迟功能。


特点:

  • 输出电压:在 1.0 V ~ 3.6 V 的范围内,可以 0.05 V 为进阶单位来选择

  • 输入电压:1.5 V ~ 5.5 V

  • 输出电压精度高:±1.0% (输出为1.0 V ~ 1.45 V的产品 : ±15 mV)

  • 输入输出电压差:80 mV (典型值) (2.8 V 输出产品, Iout = 100 mA时)

  • 消耗电流

    工作时 : 39 μA (典型值)、58 μA (最大值) (每个电路)

    休眠时 : 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)

  • 输出电流:可输出150 mA (Vin≥Vout(s) + 1.0 V) (每个电路)

  • 输入、输出电容器:能够使用大于或等于 0.22 μF 的陶瓷电容器

  • 纹波抑制率:70 dB (典型值) (3.6 V 输出产品, f = 1.0 kHz)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热引起对产品的破坏

  • 内置 ON / OFF 控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择下拉恒定电流

  • 可选择放电分路功能

  • 可选择延迟功能

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 数码相机的稳压电源

  • 手机的稳压电源

  • 携带设备的稳压电源

 S87x_.pdf

S-87X

带复位功能 耐高压电压稳压器 S-87x系列

描述:

  • S-87x系列是将高精度电压检测电路和线性电压稳压器单芯片化的一种低消耗电流、带复位功能的耐高压电压稳压器。

  • 准备了丰富的可供锂离子电池电池组使用的产品。


特点:

  • 高精度输出电压

    ±2.4 %

    2.6 V ~ 5.8 V (进阶单位为0.1 V)

  • 高精度检测电压

    ±2.4 % (F型产品的解除电压精度为±1.1 %)

    2.1 V ~ 11.3 V (进阶单位为0.1 V)

  • 低输入输出电压差

    0.15 V (典型值) (Iout=30 mA、Vout=5.0 V时)

    0.45 V (典型值) (Iout=30 mA、Vout=3.0 V时)

  • 超低消耗电流

    工作时 : 8 μA (最大值)

    休眠时 : 3.5 μA (最大值) (仅限C/E/G型产品)

  • 工作电压范围很宽:24 V (最大值)

  • 工作温度范围很宽:-40 °C ~ +85 °C

  • 内置了延迟电路或电源关闭电路

  • 内置短路保护电路

  • 无铅产品


用途:

  • 使用电池的设备、录像机、照相机、通信设备的稳压电源及复位电路

  • 锂离子可充电池电池组

 S1212B_D_.pdf

S-1212B/D

高耐压 低消耗电流 低压差型 CMOS电压稳压器 S-1212B/D系列

描述:

  • S-1212B/D系列是采用高耐压CMOS工艺技术开发的高耐压、低消耗电流、高精度输出电压的正电压电压稳压器,内置了ON / OFF 控制电路。

  • 由于最大工作电压可高达36 V,而消耗电流却仅为6.5 μA (典型值),因此可在低消耗电流下工作。并且,由于内置了低通态电阻输出晶体管,所以输入输出电压差非常小,能够获得较大的输出电流。

  • 为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。


特点:

  • 输出电压

    在2.5 V ~ 16.0 V的范围内,以0.1 V为进阶单位来选择

  • 输入电压:3.0 V ~ 36 V

  • 输出电压精度:±2.0% (Ta = +25°C)

  • 消耗电流

    工作时 : 6.5 μA (典型值) (Ta = +25°C)

    休眠时 : 0.1 μA (典型值) (Ta = +25°C)

  • 输出电流:可输出250 mA (Vin≥Vout(s)+2.0 V 时)

  • 输入电容器:可以使用陶瓷电容器 (大于或等于1.0 μF)

  • 输出电容器:可以使用陶瓷电容器 (1.0 μF ~ 100 μF)

  • 内置过载电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:检测温度165°C (典型值)

  • 内置ON / OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 内置放电分路电路:在休眠时释放出输出电容器的电荷 (Rlow = 70 kΩ (典型值))

  • 工作温度范围:-40°C ~ +105°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 产业机器的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源

 S1142A_B_.pdf

S-1142A/B

高耐压 低消耗电流 低压差型 工作温度 CMOS电压稳压器 S-1142A/B系列

描述:

  • S-1142A/B 系列列是采用高耐压CMOS 技术开发的高耐压、低消耗电流、高精度输出电压的正电压电压稳压器。

  • 由于最大工作电压可高达50 V,而消耗电流却仅为4.0 μA (典型值),因此可在低消耗电流条件下工作。并且,由于内置了低通态电阻晶体管,所以输入输出电压差非常小,能够获得较大的输出电流。此外,还内置了ON/OFF电路。

  • 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过电流保护电路;为了防止因发热引起的对产品的破坏,内置了热敏关闭电路。

  • 因采用高放热的HSOP-6 封装,故可高密度安装。


特点:

  • 输出电压:可以在2.0 V ~ 15.0 V 的范围内,以0.1 V 为进阶单位进行选择

  • 输入电压:3.0 V ~ 50 V

  • 输出电压精度高

    ±1.0% (Tj = +25°C)

    ±3.0% (Tj = -40°C ~ +105°C )

  • 消耗电流低

    工作时 : 4.0 μA (典型值)、9.0 μA (最大值) (Ta = -40°C ~ +85°C )

    休眠时 : 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值)(Ta = -40°C ~ +85°C )

  • 输出电流高:可输出200 mA (Vin≥Vout(S)+2.0 V 时)

  • 可使用低等效串联电阻电容器:输入输出电容器能够使用0.1 μF 以上的陶瓷电容器

  • 内置过載电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热引起的对产品的破坏

  • 内置ON/OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 工作温度范围:-40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 家电产品的稳压电源

 S1142C_D_.pdf

S-1142C/D

高耐压 低消耗电流 低压差型 工作温度 CMOS电压稳压器 S-1142C/D系列

描述:

  • S-1142C/D 系列列是采用高耐压CMOS 技术开发的高耐压、低消耗电流、高精度输出电压的正电压电压稳压器。

  • 由于最大工作电压可高达50 V,而消耗电流却仅为4.0 μA (典型值),因此可在低消耗电流条件下工作。并且,由于内置了低通态电阻晶体管,所以输入输出电压差非常小,能够获得较大的输出电流。此外,还内置了ON/OFF电路。

  • 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过电流保护电路;为了防止因发热引起的对产品的破坏,内置了热敏关闭电路。

  • 因采用高放热的HSOP-6 封装,故可高密度安装。


特点:

  • 输出电压

    可以在2.0 V ~ 15.0 V 的范围内,以0.1 V 为进阶单位进行选择

  • 输入电压:3.0 V ~ 50 V

  • 输出电压精度高

    ±1.0% (Tj = +25°C)

    ±3.0% (Tj = -40°C ~ +105°C )

  • 消耗电流低

    工作时 : 4.0 μA (典型值)、9.0 μA (最大值)(Ta = -40°C ~ +85°C )

    休眠时 : 0.1 μA (典型值)、1.0 μA (最大值) (Ta = -40°C ~ +85°C )

  • 输出电流高:可输出200 mA (Vin≥Vout(S)+2.0 V 时)

  • 可使用低等效串联电阻电容器:输入输出电容器能够使用0.1 μF 以上的陶瓷电容器

  • 内置过載电流保护电路:限制输出晶体管的过载电流

  • 内置热敏关闭电路:防止因发热引起的对产品的破坏

  • 内置ON/OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 工作温度范围:-40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 家电产品的稳压电源

 S1000.pdf

S-1000

超小型高精度电压检测器 S-1000系列

描述:

S-1000 系列是使用CMOS 技术开发、高精度电压检测IC。在内部检测电压被固定,精度为±1.0%。消耗电流为350 nA(典型值)的超低消耗电流。在输出方式上备有N 沟道开路漏极输出和CMOS 输出。与以往的CMOS 电压检测器相比,实现了高精度、超低消耗电流和超小型封装,所以最适用于便携设备。

 

特点:

  • 超低消耗电流:350 nA 典型值 (VDD=检测电压 + 1.5V)

  • 高精度检测电压:±1.0 %

  • 工作电压范围:0.95 V ~ 5.5 V

  • 滞后特性:5% 典型值

  • 检测电压:1.5 V ~ 4.6 V (0.1 V级进)

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出(动态“L”)

    CMOS输出(动态“L”)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 微机用电源的监视以及CPU 的复位

  • 携带电话、数码相机、PDA 等的便携设备用电源的监视

  • 照相机、视频设备、通信设备等的稳压电源的监视

 S808xxC.pdf

S-808xxC

超小型高精度电压检测器 S-808xxC系列

描述:

S-808xxC系列是使用CMOS技术开发的,高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定,精度为±2.0%。在输出方式上备有N沟道开路漏极输出和CMOS输出。

 

特点:

  • 超低消耗电流

    1.3 μA 典型值(检测电压1.4 V典型值以下产品、VDD(1.5 V时)

    0.8 μA典型值(检测电压1.5 V典型值 以上产品、VDD=3.5 V时)

  • 高精度检测电压:±2.0 %

  • 工作电压范围

    0.65 V ~ 5.0 V (检测电压1.4 V典型值 以下产品)

    0.95 V~ 10.0 V (检测电压1.5 V典型值 以上产品)

  • 滞后特性:5% 典型值

  • 检测电压:0.8 V ~ 6.0 V (0.1 V级进)

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出(动态Low)

    CMOS输出(动态Low)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 电池电压检测器

  • 停电检测器

  • 寻呼机、电子计算器、电子记事本、遥控器等的携带设备用电源的监视

  • 照相机、视频设备、通信设备等的稳压电源的监视

  • 微机用电源的监视以及CPU的复位

 S1009.pdf

S-1009

超小型高精度电压检测器 S-1009系列

描述:

S-1009 系列是使用CMOS 技术开发的超高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定,精度为±0.5%。消耗电流为270 nA(典型值)的超低消耗电流。另外,还可以通过外接电容器来延迟解除信号。延迟时间精度为±15%。在输出方式上备有N 沟道开路漏极输出和CMOS 输出。与以往的CMOS 电压检测器相比,实现了超高精度、超低消耗电流和超小型封装,所以最适用于便携设备。

 

特点:

  • 超低消耗电流:270 nA 典型值 (1.2V≤−Vdet<2.3 V)

  • 超高精度检测电压

    ±0.5% (2.4 V≤−Vdet≤4.6 V)±12 mV (0.8 V≤−Vdet<2.4 V)

  • 工作电压范围:0.6 V ~ 10.0 V(CMOS 输出产品)

  • 滞后特性:5% ±1%

  • 延迟时间精度:±15% (CD= 4.7 nF)

  • 检测电压:0.8 V ~ 4.6 V (以0.1 V 为进阶单位)

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出(动态“L”), CMOS输出(动态“L”)

  • 无铅产品

  • Sn 100%

  • 无卤素

 

用途:

  • 微机用电源的监视以及CPU 的复位

  • 电视、DVD 刻录机、白色家电等的稳压电源的监视

  • 笔记本电脑、数码静像相机、携带电话等携带设备用电源的监视

 S809xxC.pdf

S-809xxC

超小型延迟电路内置型高精度电压检测器 S-809xxC系列

描述:

S-809xxC系列是使用CMOS技术开发的高精度电压检测器。检测电压在内部被固定,精度为±2.0%。另外,还可以通过外接电容器延迟解除信号。在输出方式上备有N沟道开路漏极输出和CMOS输出。

 

特点:

  • 超低消耗电流

    1.0μA 典型值(检测电压1.4 V典型值以下产品、VDD=2.0 V时)

    1.1 μA 典型值(检测电压1.5 V典型值以上产品、VDD=3.5 V时)

  • 高精度检测电压:±2.0 %

  • 工作电压范围:0.7 V ~ 10.0 V

  • 滞后特性:5 % 典型值

  • 检测电压:1.3 V ~ 6.0 V (0.1 V级进)

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出(动态Low)

    CMOS输出(动态Low)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 笔记本电脑、数码静像相机、PDA、携带电話等携带设备用电源的监视

  • 照相机、视频设备、通信设备等的稳压电源的监视

  • 微机用电源的监视以及CPU的复位

 S801.pdf

S-801

超小型延迟电路内置型高精度电压检测器 S-801系列

描述:

S-801系列是使用CMOS技术开发的、内置了固定的延迟时间发生电路的高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定,精度为±2.0 %。另外,因为在内部还内置有振荡电路以及计数定时器,所以不需外接零件就能延迟解除信号,该延迟时间有3种。在输出方式上备有N沟道开路漏极输出和CMOS输出。

 

特点:

  • 超低消耗电流:1.3μA 典型值(VDD=3.5 V时)

  • 高精度检测电压:±2.0 %

  • 工作电压范围:0.95 V ~ 10.0 V

  • 滞后特性:60 mV 典型值

  • 检测电压:2.2 V ~ 6.0 V(0.1 V级进)

  • 3种延迟时间

    A系列 50 ms 典型值

    B系列 100 ms 典型值

    C系列 200 ms 典型值

  • 备有延迟时间的ON/OFF切换功能(DS端子)

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出(动态Low)

    CMOS输出(动态Low)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 笔记本电脑、数码静像相机、PDA、携带电話等携带设备用电源的监视

  • 照相机、视频设备、通信设备等的稳压电源的监视

  • 微机用电源的监视以及CPU的复位

 S1003.pdf

S-1003

手动复位 内置延迟电路 (外部设定延迟时间) 高精度电压检测器 S-1003系列

描述:

S-1003系列是使用CMOS技术开发的超高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定,精度为±1.0% (−Vdet≥2.2 V)。消耗电流仅为500 nA (典型值) 就能工作。
S-1003系列还可以通过外接电容器来延迟解除信号。延迟时间精度为±15%。
另外,由于具备手动复位功能,还可以强制输出复位信号。
在输出方式上备有N沟道开路漏极输出和CMOS输出。

 

特点:

  • 检测电压:1.2 V ~ 5.0 V (以0.1 V为进阶单位)

  • 检测电压精度

    ±1.0% (2.2 V≤−Vdet≤5.0 V)

    ±22 mV (1.2 V≤−Vdet<2.2 V)

  • 消耗电流:500 nA (典型值)

  • 工作电压范围:0.95 V ~ 10.0 V

  • 滞后幅度:5% ± 2%

  • 手动复位功能:MR端子逻辑动态 “L”、动态 “H”

  • 延迟时间精度:±15% (CD = 4.7 nF)

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出 (动态 “L”)

    CMOS输出 (动态 “L”)

  • 工作温度范围:Ta = −40℃ ~ +85℃

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 

用途:

  • 微机用电源的监视以及CPU的复位

  • 电视、蓝光刻录机、白色家电等的稳压电源的监视

  • 笔记本电脑、数码静像相机、携带电话等携带设备用电源的监视

 S1002.pdf

S-1002

带SENSE端子电压检测器 S-1002系列

描述:

  • S-1002系列是使用CMOS技术开发的高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定,精度为±1.0% (−Vdet(s)≥2.2 V)。工作时的消耗电流为500 nA (典型值)。

  • 除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子), 因而即使SENSE端子电压下降到0 V,也会保持输出稳定。

  • 在输出方式上备有N沟道开路漏极输出和CMOS输出。

 

特点:

  • 检测电压:1.0 V ~ 5.0 V (以0.1 V为进阶单位)

  • 检测电压精度

    ±1.0% (2.2 V≤Vdet(s)≤5.0 V)

    ±22 mV (1.0 V≤−Vdet(s)<2.2 V)

  • 消耗电流:500 nA (典型值)

  • 工作电压范围:0.95 V ~ 10.0 V

  • 滞后幅度:5% ± 2%

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出 (动态 “”L””)

    CMOS输出 (动态 “”L””)

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 

用途:

  • 微机用电源的监视以及CPU的复位

  • 电视、蓝光刻录机、白色家电等的稳压电源的监视

  • 笔记本电脑、数码静像相机、携带电话等携带设备用电源的监视

 S1004.pdf

S-1004

内置延迟电路 (外部设定延迟时间) 带SENSE端子 电压检测器 S-1004系列

描述:

  • S-1004系列是使用CMOS技术开发的高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定,精度为±1.0% (−Vdet(s)≥2.2 V)。工作时的消耗电流为500 nA (典型值)。

  • 除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子), 因而即使SENSE端子电压下降到0 V,也会保持输出稳定。 

  • S-1004系列可以通过外接电容器来延迟解除信号,在Ta = +25°C时解除延迟时间精度为±15%。

  • 在输出方式上备有N沟道开路漏极输出和CMOS输出。

 

特点:

  • 检测电压:1.0 V ~ 5.0 V (以0.1 V为进阶单位)

  • 检测电压精度

    ±1.0% (2.2 V≤Vdet(s)≤5.0 V)

    ±22 mV (1.0 V≤−Vdet(s)<2.2 V)

  • 消耗电流:500 nA (典型值)

  • 工作电压范围:0.95 V ~ 10.0 V

  • 滞后幅度:5% ± 2%

  • 解除延迟时间精度:±15% (Cd = 4.7 nF, Ta = +25°C)

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出 (动态 “”L””)

    CMOS输出 (动态 “”L””)

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 

用途:

  • 微机用电源的监视以及CPU的复位

  • 电视、蓝光刻录机、白色家电等的稳压电源的监视

  • 笔记本电脑、数码静像相机、携带电话等携带设备用电源的监视

 S1011A.pdf

S-1011 A/C/J/L

高耐压 内置延迟电路 (外部设定延迟时间) 电压检测器 S-1011系列

描述:

  • S-1011系列是使用CMOS技术开发的高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定,S-1011系列A / C / E / G型的精度为±1.5%。
    工作时的消耗电流为600 nA (典型值)。

  • 除电源端子外,在SENSE检测产品中另备有检测电压输入端子 (SENSE端子), 因而即使SENSE端子电压下降到0 V,也会保持输出稳定。

  • S-1011系列可以通过外接电容器来延迟检测信号和解除信号,检测延迟时间精度为±20% (CN = 3.3 nF, Ta = +25°C),解除延迟时间精度为±20% (CP = 3.3 nF, Ta = +25°C)。

  • 输出方式为N沟道开路漏极输出。

 

特点:

  • 检测电压

    3.0 V ~ 10.0 V (以0.05 V为进阶单位) (SENSE检测产品)

    3.6 V ~ 10.0 V (以0.05 V为进阶单位) (VDD检测产品)

  • 检测电压精度:±1.5% (A / C / E / G型)

  • 检测延迟时间精度:±20% (CN = 3.3 nF)

  • 解除延迟时间精度:±20% (CP = 3.3 nF)

  • 消耗电流:600 nA (典型值)

  • 工作电压范围:1.8 V ~ 36.0 V

  • 滞后幅度:可选择 “有” (5.0% (典型值)) / “无”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 

用途:

  • 微机用电源的监视以及CPU的复位

  • 电视、蓝光刻录机、白色家电等的稳压电源的监视

  • 蓝光刻录机、笔记本电脑、数码静像相机用电源的监视

  • 产业设备、住宅设备

 S1011E.pdf

S-1011 E/G/N/Q

高耐压 内置延迟电路 (外部设定延迟时间) 电压检测器 S-1011系列

描述:

  • S-1011系列是使用CMOS技术开发的高精度电压检测IC。检测电压在内部被固定,S-1011系列A / C / E / G型的精度为±1.5%。

  • 工作时的消耗电流为600 nA (典型值)。

  • 除电源端子外,在SENSE检测产品中另备有检测电压输入端子 (SENSE端子), 因而即使SENSE端子电压下降到0 V,也会保持输出稳定。

  • S-1011系列可以通过外接电容器来延迟检测信号和解除信号,检测延迟时间精度为±20% (CN = 3.3 nF, Ta = +25°C),解除延迟时间精度为±20% (CP = 3.3 nF, Ta = +25°C)。

  • 输出方式为N沟道开路漏极输出。

 

特点:

  • 检测电压

    3.0 V ~ 10.0 V (以0.05 V为进阶单位) (SENSE检测产品)

    3.6 V ~ 10.0 V (以0.05 V为进阶单位) (VDD检测产品)

  • 检测电压精度:±1.5% (A / C / E / G型)

  • 检测延迟时间精度:±20% (CN = 3.3 nF)

  • 解除延迟时间精度:±20% (CP = 3.3 nF)

  • 消耗电流:600 nA (典型值)

  • 工作电压范围:1.8 V ~ 36.0 V

  • 滞后幅度:可选择 “有” (5.0% (典型值)) / “无”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 

用途:

  • 微机用电源的监视以及CPU的复位

  • 电视、蓝光刻录机、白色家电等的稳压电源的监视

  • 蓝光刻录机、笔记本电脑、数码静像相机用电源的监视

  • 产业设备、住宅设备

 S1410.pdf

S-1410

低消耗电流 带复位功能 看门狗定时器 S-1410/1411

描述:

S-1410/1411系列是采用CMOS技术开发的可以3.8 μA (典型值) 的低消耗电流工作的看门狗定时器。具备复位功能和低电压检测功能。

 

特点:

  • 检测电压

    在2.0 V ~ 5.0 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

  • 检测电压精度:±1.5%

  • 输入电压:Vdd = 0.9 V ~ 6.0 V

  • 滞后幅度:5% (典型值)

  • 消耗电流:3.8 μA (典型值)

  • 复位超时时间:14.5 ms (典型值) (Cpor = 2200 pF)

  • 可切换看门狗工作:“启用”、”禁用”

  • 看门狗工作电压范围:2.5 V ~ 6.0 V

  • 看门狗模式切换功能:超时模式、窗口模式

  • 可选择看门狗输入边缘:上升边缘、下降边缘、上升下降双边缘

  • 可选择产品类型

    S-1410系列
    (有W/ T端子产品 (输出 : WDO端子))

    S-1411系列
    (无W/ T端子产品 (输出 : RST端子、WDO端子))

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +105°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 

用途:

  • 微机搭载机器的电源监视及系统监视

 S1411.pdf

S-1411

低消耗电流 带复位功能 看门狗定时器 S-1410/1411

描述:

S-1410/1411系列是采用CMOS技术开发的可以3.8 μA (典型值) 的低消耗电流工作的看门狗定时器。具备复位功能和低电压检测功能。

 

特点:

  • 检测电压

    在2.0 V ~ 5.0 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

  • 检测电压精度:±1.5%

  • 输入电压:Vdd = 0.9 V ~ 6.0 V

  • 滞后幅度:5% (典型值)

  • 消耗电流:3.8 μA (典型值)

  • 复位超时时间:14.5 ms (典型值) (Cpor = 2200 pF)

  • 可切换看门狗工作:“启用”、”禁用”

  • 看门狗工作电压范围:2.5 V ~ 6.0 V

  • 看门狗模式切换功能:超时模式、窗口模式

  • 可选择看门狗输入边缘:上升边缘、下降边缘、上升下降双边缘

  • 可选择产品类型

    S-1410系列
    (有W/ T端子产品 (输出 : WDO端子))

    S-1411系列
    (无W/ T端子产品 (输出 : RST端子、WDO端子))

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +105°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 

用途:

  • 微机搭载机器的电源监视及系统监视

 S-1410.pdf

S-1410

低消耗电流 带复位功能 看门狗定时器 S-1410/1411

描述:

S-1410/1411系列是采用CMOS技术开发的可以3.8 μA (典型值) 的低消耗电流工作的看门狗定时器。具备复位功能和低电压检测功能。

 

特点:

  • 检测电压

    在2.0 V ~ 5.0 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

  • 检测电压精度:±1.5%

  • 输入电压:Vdd = 0.9 V ~ 6.0 V

  • 滞后幅度:5% (典型值)

  • 消耗电流:3.8 μA (典型值)

  • 复位超时时间:14.5 ms (典型值) (Cpor = 2200 pF)

  • 可切换看门狗工作:“启用”、”禁用”

  • 看门狗工作电压范围:2.5 V ~ 6.0 V

  • 看门狗模式切换功能:超时模式、窗口模式

  • 可选择看门狗输入边缘

    上升边缘、下降边缘、上升下降双边缘

  • 可选择产品类型

    S-1410系列
    (有W/ T端子产品 (输出 : WDO端子))

    S-1411系列
    (无W/ T端子产品 (输出 : RST端子、WDO端子))

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +105°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 

用途:

  • 微机搭载机器的电源监视及系统监视

 S-1411.pdf

S-1411

低消耗电流 带复位功能 看门狗定时器 S-1410/1411

描述:

S-1410/1411系列是采用CMOS技术开发的可以3.8 μA (典型值) 的低消耗电流工作的看门狗定时器。具备复位功能和低电压检测功能。

 

特点:

  • 检测电压

    在2.0 V ~ 5.0 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

  • 检测电压精度:±1.5%

  • 输入电压:Vdd = 0.9 V ~ 6.0 V

  • 滞后幅度:5% (典型值)

  • 消耗电流:3.8 μA (典型值)

  • 复位超时时间:14.5 ms (典型值) (Cpor = 2200 pF)

  • 可切换看门狗工作:“启用”、”禁用”

  • 看门狗工作电压范围:2.5 V ~ 6.0 V

  • 看门狗模式切换功能:超时模式、窗口模式

  • 可选择看门狗输入边缘

    上升边缘、下降边缘、上升下降双边缘

  • 可选择产品类型

    S-1410系列
    (有W/ T端子产品 (输出 : WDO端子))

    S-1411系列
    (无W/ T端子产品 (输出 : RST端子、WDO端子))

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +105°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 

用途:

  • 微机搭载机器的电源监视及系统监视

 S8351.pdf

S-8351

升压 超小型 PFM控制 DC/DC控制器 S-8351/8352系列

描述:

  • S-8351/8352系列是一种PFM控制CMOS升压DC/DC控制器,由基准电压源、振荡电路、比较器等构成。利用PFM控制电路,根据负载大小自动切换占空系数(轻负载时: 50%、高输出电流时: 75%),可获得大范围内的低纹波率、高效率和高输出电流(产品种类:A、B、D系列),和占空系数固定在75%(C系列)的系列产品。

  • S-8351系列的产品使用线圈、电容器和二极管等外接零件就可以构成升压DC/DC控制器。内置的MOS FET使用保护电路,在超过控制值时会自动断路,以防止破坏。

  • 本产品结合微型封装和低消耗电流等特点,最适合在移动设备的电源部使用。

  • S-8352系列是外接晶体管型的产品,最适合在需要高输出电流的应用电路中使用。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证以0.9V (Iout=1mA)启动

  • 低消耗电流

    23.2μA 典型值(Vout=3.3V、工作电流最大时)

    0.5μA 最大值 (休眠时)

  • 占空系数

    内置自动切换型(50/75%)PFM控制电路(A、B、D类产品)

    内置固定型(75%)PFM控制电路(C类产品)

  • 外接零件:线圈、电容器、二极管

  • 输出电压

    2.0~6.5V (A、B、C类产品)

    1.5~6.5V (D类产品) (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.4%精度

  • 带开/关控制功能 (A类产品)

  • VDD/Vout分离型 (D类产品)

  • 晶体管外接型 (S-8352系列)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 数码相机、电子记事本、PDA等移动设备用电源

  • CD随身听、MD等音响装置用电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

  • 微机用电源

 S8352.pdf

S-8352

升压 超小型 PFM控制 DC/DC控制器 S-8351/8352系列

描述:

  • S-8351/8352系列是一种PFM控制CMOS升压DC/DC控制器,由基准电压源、振荡电路、比较器等构成。利用PFM控制电路,根据负载大小自动切换占空系数(轻负载时: 50%、高输出电流时: 75%),可获得大范围内的低纹波率、高效率和高输出电流(产品种类:A、B、D系列),和占空系数固定在75%(C系列)的系列产品。

  • S-8351系列的产品使用线圈、电容器和二极管等外接零件就可以构成升压DC/DC控制器。内置的MOS FET使用保护电路,在超过控制值时会自动断路,以防止破坏。

  • 本产品结合微型封装和低消耗电流等特点,最适合在移动设备的电源部使用。

  • S-8352系列是外接晶体管型的产品,最适合在需要高输出电流的应用电路中使用。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证以0.9V (Iout=1mA)启动

  • 低消耗电流

    23.2μA典型值(Vout=3.3V、工作电流最大时)

    0.5μA最大值 (休眠时)

  • 占空系数

    内置自动切换型(50/75%)PFM控制电路(A、B、D类产品)

    内置固定型(75%)PFM控制电路(C类产品)

  • 外接零件:线圈、电容器、二极管

  • 输出电压

    2.0~6.5V (A、B、C类产品)

    1.5~6.5V (D类产品) (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.4%精度

  • 带开/关控制功能 (A类产品)

  • VDD/Vout分离型 (D类产品)

  • 晶体管外接型 (S-8352系列)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 数码相机、电子记事本、PDA等移动设备用电源

  • CD随身听、MD等音响装置用电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

  • 微机用电源

 S8353.pdf

S-8353

升压 内置FET PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8353/8354系列

描述:

  • S-8353/8354系列是一种CMOS升压DC/DC控制器,由基准电压源、振荡电路、大功率MOS FET、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路(S-8353)、PWM/PFM切换控制电路(S-8354)等构成。

  • 外接零件只使用线圈、电容器和二极管就可以构成升压DC/DC控制器。本产品结合微型封装和低消耗电流等特点,最适合在需要高效率的移动设备的应用电路中使用。

  • S-8353系列产品通过能以线性方式在0~83%(250kHz产品为0~78%)范围内改变占空系数的PWM控制电路,设定在最佳状态的误差放大电路、相位补偿电路,可获得低纹波率、高效率和良好的过渡特性。

  • S-8354系列通过PWM/PFM切换控制电路,在负载较轻时,将工作状态切换为占空系数:15%的PFM控制,可以防止因IC的工作电流引起的效率下降。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证以0.9V (Iout=1mA)启动

  • 低消耗电流

    23.2μA 典型值(Vout=3.3V、工作电流最大时)

    0.5μA最大值 (休眠时)

  • 占空系数

    内置PWM/PFM切换控制电路 (S-8354)

    15~83% (30kHz、50kHz产品)

    15~8% (250kHz产品)

  • 外接零件:线圈、电容器、二极管

  • 输出电压

    1.5~6.5V (VDD/Vout分离型)

    2.0~6.5V (VDD/Vout分离型以外)
    (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.4%精度

  • 振荡频率:30、50、250kHz

  • 软启动功能:6ms 典型值 (50kHz产品)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 数码相机、电子记事本、PDA等移动设备用电源

  • CD随身听、MD等音响装置用电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

  • 微机用电源

 S8354.pdf

S-8354

升压 内置FET PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8353/8354系列

描述:

  • S-8353/8354系列是一种CMOS升压DC/DC控制器,由基准电压源、振荡电路、大功率MOS FET、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路(S-8353)、PWM/PFM切换控制电路(S-8354)等构成。

  • 外接零件只使用线圈、电容器和二极管就可以构成升压DC/DC控制器。本产品结合微型封装和低消耗电流等特点,最适合在需要高效率的移动设备的应用电路中使用。

  • S-8353系列产品通过能以线性方式在0~83%(250kHz产品为0~78%)范围内改变占空系数的PWM控制电路,设定在最佳状态的误差放大电路、相位补偿电路,可获得低纹波率、高效率和良好的过渡特性。

  • S-8354系列通过PWM/PFM切换控制电路,在负载较轻时,将工作状态切换为占空系数:15%的PFM控制,可以防止因IC的工作电流引起的效率下降。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证以0.9V (Iout=1mA)启动

  • 低消耗电流

    18.7μA典型值(50kHz产品、3.3V、工作时)

    0.5μA 最大值 (休眠时)

  • 占空系数

    内置PWM/PFM切换控制电路 (S-8354)

    15~83% (30kHz、50kHz产品)

    15~8% (250kHz产品)

  • 外接零件:线圈、电容器、二极管

  • 输出电压

    1.5~6.5V (VDD/Vout分离型)

    2.0~6.5V (VDD/Vout分离型以外)
    (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.4%精度

  • 振荡频率:30、50、250kHz

  • 软启动功能:6ms 典型值 (50kHz产品)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 数码相机、电子记事本、PDA等移动设备用电源

  • CD随身听、MD等音响装置用电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

  • 微机用电源

 S8363.pdf

S-8363

升压 超小型 1.2 MHz PWM / PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8363系列

描述:

  • S-8363系列是一种由基准电压源、振荡电路、误差放大器、相位补偿电路、电流限制电路、切换控制电路、启动(预热)电路等构成的CMOS升压型DC/DC控制器。

  • S-8363系列可通过PWM/PFM切换控制工作,跳过轻负载时的脉冲,从而防止因IC的工作电流而导致的效率下降。 由于可通过启动(预热)电路从0.9V(Iout=1mA)开始启动,因此最适用于使用1节干电池的应用电路。

  • 可在1.8V至5.0V范围内,通过外接电阻自由地设定输出电压。

  • S-8363系列的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且,采用了小型的SNT-6A、SOT-23-6封装,因此可适用于高密度安装。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证利用0.9 V (Iout = 1 mA)启动上升

  • 振荡频率:1.2 MHz

  • 输入电压范围:0.9 V ~ 4.5 V

  • 输出电流:300 mA (Vin = 1.8 V、Vout = 3.3 V)

  • 基准电压:0.6 V±2.5%

  • 效率:85%

  • 软启动功能:1.2 ms典型值

  • 低消耗电流:静止时 95μA典型值

  • 占空系数

    PWM / PFM切换控制

    最大88%

  • 开/关控制功能:休眠时消耗电流 3.0μA最大值

  • 电流限制电路:限制电感器电流的峰值

  • N沟道功率MOS FET 通态电阻:0.25 Ω 典型值

  • 启动(预热)功能

    当Vout电压在1.4 V以下时可利用固定Duty脉冲工作

  • 无铅产品

 

用途:

  • MP3播放器、数码音响播放器

  • 数码相机、GPS、无绳收发机

  • 其他携带设备

 S8355 56 57 58.pdf

S-8355

升压 超小型 600kHz PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8355/56/57/58系列

描述:

  • S-8355/56/57/58系列是一种CMOS升压DC/DC控制器,由基准电压源、振荡电路、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路(S-8355/57)、PWM/PFM切换控制电路(S-8356/58)等构成。通过使用外接低导通电阻N沟道功率MOS,即可适用于需要高效率、高输出电流的应用电路上。

  • S-8355/57系列产品通过能以线性方式在0~83%(250kHz、 300kHz、600kHz产品为0~78%)范围内改变占空系数的PWM控制电路,和设定在最佳状态的误差放大电路、相位补偿电路,可获得低纹波率、高效率和良好的过渡特性。

  • S-8356/58系列通过PWM/PFM切换控制电路,在负载较轻时,将工作状态切换为占空系数:15%的PFM控制电路,可以防止因IC的工作电流引起的效率下降。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证以0.9V (Iout=1mA)启动

  • 低消耗电流

    25.9μA 典型值(100kHz产品、3.3V、工作时)

    0.5μA 最大值 (休眠时)

  • 占空系数

    内置PWM/PFM切换控制电路 (S-8356/58)

    15~83% (100kHz产品)
    15~78% (250kHz、300kHz、600kHz产品)

  • 外接零件:线圈、二极管、电容器、晶体管

  • 输出电压

    1.5~6.5V (VDD/Vout分离型) 
    2.0~6.5V (VDD/Vout分离型以外) (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.4%精度

  • 振荡频率:100、250、300、600kHz

  • 软启动功能:6ms 典型值 (100kHz产品)

  • 带开/关控制功能

  • 无铅产品

 

用途:

  • 数码相机、电子记事本、PDA等移动设备用电源

  • CD随身听、MD等音响装置用电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

  • 微机用电源

 S8355 56 57 58.pdf

S-8356

升压 超小型 600kHz PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8355/56/57/58系列

描述:

  • S-8355/56/57/58系列是一种CMOS升压DC/DC控制器,由基准电压源、振荡电路、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路(S-8355/57)、PWM/PFM切换控制电路(S-8356/58)等构成。通过使用外接低导通电阻N沟道功率MOS,即可适用于需要高效率、高输出电流的应用电路上。

  • S-8355/57系列产品通过能以线性方式在0~83%(250kHz、 300kHz、600kHz产品为0~78%)范围内改变占空系数的PWM控制电路,和设定在最佳状态的误差放大电路、相位补偿电路,可获得低纹波率、高效率和良好的过渡特性。

  • S-8356/58系列通过PWM/PFM切换控制电路,在负载较轻时,将工作状态切换为占空系数:15%的PFM控制电路,可以防止因IC的工作电流引起的效率下降。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证以0.9V (Iout=1mA)启动

  • 低消耗电流

    25.9μA 典型值(100kHz产品、3.3V、工作时)
    0.5μA 最大值 (休眠时)

  • 占空系数

    内置PWM/PFM切换控制电路 (S-8356/58)

    15~83% (100kHz产品)
    15~78% (250kHz、300kHz、600kHz产品)

  • 外接零件:线圈、二极管、电容器、晶体管

  • 输出电压

    1.5~6.5V (VDD/Vout分离型)
    2.0~6.5V (VDD/Vout分离型以外) (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.4%精度

  • 振荡频率:100、250、300、600kHz

  • 软启动功能:6ms 典型值 (100kHz产品)

  • 带开/关控制功能

  • 无铅产品

 

用途:

  • 数码相机、电子记事本、PDA等移动设备用电源

  • CD随身听、MD等音响装置用电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

  • 微机用电源

 S8355 56 57 58.pdf

S-8357

升压 超小型 600kHz PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8355/56/57/58系列

描述:

  • S-8355/56/57/58系列是一种CMOS升压DC/DC控制器,由基准电压源、振荡电路、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路(S-8355/57)、PWM/PFM切换控制电路(S-8356/58)等构成。通过使用外接低导通电阻N沟道功率MOS,即可适用于需要高效率、高输出电流的应用电路上。

  • S-8355/57系列产品通过能以线性方式在0~83%(250kHz、 300kHz、600kHz产品为0~78%)范围内改变占空系数的PWM控制电路,和设定在最佳状态的误差放大电路、相位补偿电路,可获得低纹波率、高效率和良好的过渡特性。

  • S-8356/58系列通过PWM/PFM切换控制电路,在负载较轻时,将工作状态切换为占空系数:15%的PFM控制电路,可以防止因IC的工作电流引起的效率下降。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证以0.9V (Iout=1mA)启动

  • 低消耗电流

    25.9μA 典型值(100kHz产品、3.3V、工作时)
    0.5μA 最大值 (休眠时)

  • 占空系数

    内置PWM/PFM切换控制电路 (S-8356/58)

    15~83% (100kHz产品)
    15~78% (250kHz、300kHz、600kHz产品)

  • 外接零件:线圈、二极管、电容器、晶体管

  • 输出电压

    1.5~6.5V (VDD/Vout分离型)
    2.0~6.5V (VDD/Vout分离型以外) (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.4%精度

  • 振荡频率:100、250、300、600kHz

  • 软启动功能:6ms 典型值 (100kHz产品)

  • 带开/关控制功能

  • 无铅产品

 

用途:

  • 数码相机、电子记事本、PDA等移动设备用电源

  • CD随身听、MD等音响装置用电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

  • 微机用电源

 S8355 56 57 58.pdf

S-8358

升压 超小型 600kHz PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8355/56/57/58系列

描述:

  • S-8355/56/57/58系列是一种CMOS升压DC/DC控制器,由基准电压源、振荡电路、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路(S-8355/57)、PWM/PFM切换控制电路(S-8356/58)等构成。通过使用外接低导通电阻N沟道功率MOS,即可适用于需要高效率、高输出电流的应用电路上。

  • S-8355/57系列产品通过能以线性方式在0~83%(250kHz、 300kHz、600kHz产品为0~78%)范围内改变占空系数的PWM控制电路,和设定在最佳状态的误差放大电路、相位补偿电路,可获得低纹波率、高效率和良好的过渡特性。

  • S-8356/58系列通过PWM/PFM切换控制电路,在负载较轻时,将工作状态切换为占空系数:15%的PFM控制电路,可以防止因IC的工作电流引起的效率下降。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证以0.9V (Iout=1mA)启动

  • 低消耗电流

    25.9μA 典型值(100kHz产品、3.3V、工作时)
    0.5μA 最大值 (休眠时)

  • 占空系数

    内置PWM/PFM切换控制电路 (S-8356/58)

    15~83% (100kHz产品)

    15~78% (250kHz、300kHz、600kHz产品)

  • 外接零件:线圈、二极管、电容器、晶体管

  • 输出电压

    1.5~6.5V (VDD/Vout分离型)

    2.0~6.5V (VDD/Vout分离型以外) (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.4%精度

  • 振荡频率:100、250、300、600kHz

  • 软启动功能:6ms 典型值 (100kHz产品)

  • 带开/关控制功能

  • 无铅产品

 

用途:

  • 数码相机、电子记事本、PDA等移动设备用电源

  • CD随身听、MD等音响装置用电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

  • 微机用电源

 S8365 8366.pdf

S-8365

升压 超小型 1.2 MHz PWM控制、PWM / PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8365/8366系列

描述:

  • S-8365/8366系列是一种由基准电压电路、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、时钟闩锁式短路保护电路、PWM控制电路(S-8365系列)、PWM / PFM切换控制电路(S-8366系列)等构成的CMOS升压型DC/DC控制器。

  • 由于使用外接的低导通电阻的N沟道功率MOS FET,因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。

  • S-8365系列可通过PWM控制电路,将占空系数线性改变到90%为止,因此可对应高效率、输入输出电压差较大的电压条件。

  • S-8366系列可通过PWM / PFM切换控制电路,在轻负载时将工作切换为PFM控制电路,从而防止因IC的工作电流而导致的效率下降。

  • S-8365/8366系列的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且,采用了小型的SNT-6A、SOT-23-5、SOT-23-6封装,因此可适用于高密度安装。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证利用1.1 V (1 mA)启动上升 (无UVLO功能产品时)

  • 输入电压范围:1.8 V ~ 5.5 V

  • 振荡频率:1.2 MHz、600 kHz

  • 基准电压:0.6 V ± 2.0%

  • 软启动功能:7 ms 典型值

  • 低消耗电流:静止时 70 µA典型值

  • 占空系数

    内置PWM / PFM切换控制电路 (S-8366系列)

    28% ~ 85% (1.2 MHz产品)

    28% ~ 90% (600 kHz产品)

  • 开/关控制功能:休眠时消耗电流 1.0μA(最大值)

  • 外接元器件:电感器、二极管、电容器、晶体管

  • 时钟闩锁式短路保护电路

    可按产品类型选择短路保护功能的有/无

    可利用外部电容器设定延迟时间 (带短路保护功能产品时)

  • UVLO(欠压锁定)功能:可按产品类型选择UVLO功能的有/无

  • 无铅产品

 

用途:

  • MP3播放器、数码音响播放器

  • 数码相机、GPS、无绳收发机

  • 其他携带设备

 S8365 8366.pdf

S-8366

升压 超小型 1.2 MHz PWM控制、PWM / PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8365/8366系列

描述:

  • S-8365/8366系列是一种由基准电压电路、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、时钟闩锁式短路保护电路、PWM控制电路(S-8365系列)、PWM / PFM切换控制电路(S-8366系列)等构成的CMOS升压型DC/DC控制器。

  • 由于使用外接的低导通电阻的N沟道功率MOS FET,因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。

  • S-8365系列可通过PWM控制电路,将占空系数线性改变到90%为止,因此可对应高效率、输入输出电压差较大的电压条件。

  • S-8366系列可通过PWM / PFM切换控制电路,在轻负载时将工作切换为PFM控制电路,从而防止因IC的工作电流而导致的效率下降。

  • S-8365/8366系列的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且,采用了小型的SNT-6A、SOT-23-5、SOT-23-6封装,因此可适用于高密度安装。

 

特点:

  • 低电压工作:可保证利用1.1 V (1 mA)启动上升 (无UVLO功能产品时)

  • 输入电压范围:1.8 V ~ 5.5 V

  • 振荡频率:1.2 MHz、600 kHz

  • 基准电压:0.6 V ± 2.0%

  • 软启动功能:7 ms 典型值

  • 低消耗电流:静止时 70 μA典型值

  • 占空系数

    内置PWM / PFM切换控制电路 (S-8366系列)

    28% ~ 85% (1.2 MHz产品)

    28% ~ 90% (600 kHz产品)

  • 开/关控制功能:休眠时消耗电流 1.0 µA (最大值)

  • 外接元器件:电感器、二极管、电容器、晶体管

  • 时钟闩锁式短路保护电路

    可按产品类型选择短路保护功能的有/无

    可利用外部电容器设定延迟时间 (带短路保护功能产品时)

  • UVLO(欠压锁定)功能:可按产品类型选择UVLO功能的有/无

  • 无铅产品

 

用途:

  • MP3播放器、数码音响播放器

  • 数码相机、GPS、无绳收发机

  • 其他携带设备

 S8340_8341_.pdf

S-8340

升压 600kHz PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8340/8341系列

描述:

  • S-8340/8341系列是一种PWM控制(S-8340)、PWM/PFM切换控制(S-8341)CMOS升压DC/DC控制器,由基准电压源、振荡电路、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路等构成。

  • 振荡频率高达300kHz或600kHz,所以通过较小的外接零件就可构成高效率、大输出电流的升压DC/DC控制器。与此同时,还考虑到了输出段的高速化,以便能高速地对低通态电阻的N沟道功率MOS进行通断。

  • S-8340系列产品通过能以线性方式在0~82%范围内改变占空系数的PWM控制电路,设定在最佳状态的误差放大电路、相位补偿电路,可获得低纹波率、高效率和良好的过渡特性。

  • S-8341系列通过PWM/PFM切换控制电路,在占空系数为27%以上时切换为PWM控制,在27%以下时切换为PFM控制,因此在整个负载范围内获得了很高的效率。本IC产品结合8-pin TSSOP封装的采用和振荡频率的提高,最适合在移动设备的主电源中使用。

 

特点:

  • 振荡频率

    600kHz (A, B系列)

    300kHz (C, D系列)

  • 输出电压:2.5~6.0V(以0.1V为进阶单位来选择,输出电压为固定输出型产品)

  • 输出电压精度:±2.0%

  • 另备有输出电压为外部设定(FB)型产品:VFB=1.0V

  • 外接零件:仅需晶体管、线圈、二极管、3个电容器和电阻

  • 占空系数

    0~82% PWM控制 (S-8340)

    27~82% PWM/PFM切换控制 (S-8341A/B系列)

    21~82% PWM/PFM切换控制 (S-8341C/D系列)

  • 低电压工作:0.9V即能保证振荡

  • 内置电流限制电路:可用外接电阻RSENSE设定

  • 软启动功能:可用外接电容CSS设定

  • 带开/关控制功能

  • 无铅产品

 

用途:

  • PDA、电子记事本、携带电话等移动设备用电源

  • CD随身听、头戴式立体声耳机等音响装置用电源

  • 笔记本电脑、外围设备的主电源和辅助电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

 S8340_8341_.pdf

S-8341

升压 600kHz PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8340/8341系列

描述:

  • S-8340/8341系列是一种PWM控制(S-8340)、PWM/PFM切换控制(S-8341)CMOS升压DC/DC控制器,由基准电压源、振荡电路、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路等构成。

  • 振荡频率高达300kHz或600kHz,所以通过较小的外接零件就可构成高效率、大输出电流的升压DC/DC控制器。与此同时,还考虑到了输出段的高速化,以便能高速地对低通态电阻的N沟道功率MOS进行通断。

  • S-8340系列产品通过能以线性方式在0~82%范围内改变占空系数的PWM控制电路,设定在最佳状态的误差放大电路、相位补偿电路,可获得低纹波率、高效率和良好的过渡特性。

  • S-8341系列通过PWM/PFM切换控制电路,在占空系数为27%以上时切换为PWM控制,在27%以下时切换为PFM控制,因此在整个负载范围内获得了很高的效率。本IC产品结合8-pin TSSOP封装的采用和振荡频率的提高,最适合在移动设备的主电源中使用。

 

特点:

  • 振荡频率

    600kHz (A, B系列)

    300kHz (C, D系列)

  • 输出电压:2.5~6.0V(以0.1V为进阶单位来选择,输出电压为固定输出型产品)

  • 输出电压精度:±2.0%

  • 另备有输出电压为外部设定(FB)型产品:VFB=1.0V

  • 外接零件:仅需晶体管、线圈、二极管、3个电容器和电阻

  • 占空系数

    0~82% PWM控制 (S-8340)

    27~82% PWM/PFM切换控制 (S-8341A/B系列)

    21~82% PWM/PFM切换控制 (S-8341C/D系列)

  • 低电压工作:0.9V即能保证振荡

  • 内置电流限制电路:可用外接电阻RSENSE设定

  • 软启动功能:可用外接电容CSS设定

  • 带开/关控制功能

  • 无铅产品

 

用途:

  • PDA、电子记事本、携带电话等移动设备用电源

  • CD随身听、头戴式立体声耳机等音响装置用电源

  • 笔记本电脑、外围设备的主电源和辅助电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

 S8333.pdf

S-8333

升压 LCD偏压用 1沟道 PWM控制DC/DC控制器 S-8333系列

描述:

  • S-8333系列是一种由基准电压电路、振荡电路、误差放大电路、PWM控制电路、低电压误工作防止电路(UVLO)、时钟闩锁式短路保护电路等构成的CMOS升压DC/DC控制器。最低工作电压为1.8 V,最适合于LCD用电源及低电压工作的移动设备。 由于在ROSC端子部连接了电阻,所以可设定内部的振荡频率最大到1.08 MHz为止。

  • 通过在RDuty端子部连接了电阻,故可控制PWM控制电路的最大占空系数。在电源投入时的软启动功能由基准电压调整方式、最大占空系数调整方式的2种组合而成,即使由于IC外部的原因而导致FB端子电压保持在不足基准电压的状态下,也可以调整最大占空系数来启动提升输出电压。通过连接在CC端子部的电阻和电容器的值进行相位补偿,成为可以调整增益值的构成。因此,使每个应用电路均可针对工作稳定度和过渡响应特性进行合适的设置。

  • 基准电压为1.0 V±1.5%的高精度,通过外接的输出电压设定电阻可以得到任意的输出电压。另外,通过连接在CSP端子的电容器可设定短路保护电路的延迟时间。因短路最大占空系数的状态若持续,电容器则被充电,经由一定时间后停止振荡工作。在电源的电压降低到UVLO检测电压以下后,通过将其提升到UVLO解除电压以上即可解除短路保护功能。因所设定的输出容量的不同而选择使用陶瓷电容器,或是钽电容器。

  • 该产品可进行各种设定以及选择,加上与采用小型封装的特点相结合,可以成为使用方便的控制器IC。

 

特点:

  • 低电压工作:1.8 V ~ 6.0 V

  • 振荡频率:利用外接电阻可在280 kHz ~ 1.08 MHz之间设定

  • 最大占空系数:利用外接电阻可在47 ~ 88.5%之间设定

  • 基准电压:1.0 V ± 1.5%

  • UVLO(低电压误工作防止)功能

    检测电压在1.5 V ~ 2.3 V之间,可以0.1 V为进阶单位来选择

    滞后幅度在0.1 V ~ 0.3 V之间,可以0.1 V为进阶单位来选择

  • 时钟闩锁式短路保护电路:可用外接电容器设定延迟时间

  • 软启动功能

    软启动时间可在10 ms, 15 ms, 20ms的3阶段中进行选择

    调整方式可采用基准电压调整和最大占空系数调整的2种方式

  • 通过外接设定相位补偿

    可利用连接在CC与GND端子之间的电阻和电容器来进行调整

  • 无铅产品

 

用途:

  • LCD、CCD等的电源

  • 移动设备用电源

 S8337_8338.pdf

S-8337

升压 1.2 MHz 高频 PWM控制DC/DC控制器 S-8337/8338系列

描述:

  • S-8337/8338系列是一种由基准电压电路、振荡电路、误差放大电路、PWM控制电路、低电压误工作防止电路 (UVLO) 、时钟闩锁式短路保护电路等构成的CMOS升压DC/DC控制器。最低工作电压为1.8 V,最适合应用于LCD用电源及低电压工作的移动设备。由于在ROSC端子部连接了电阻,所以可设定内部的振荡频率最大到1.133 MHz。

  • S-8337系列通过在RDuty端子部连接了电阻,故可控制PWM控制电路的最大占空系数。S-8338系列的最大占空系数则是固定的(88%)。通过连接在CC端子部的电阻和电容器的值进行相位补偿,成为可以调整增益值的构成。因此,对每个应用电路均可适当设置工作稳定度和过渡响应。

  • 基准电压为1.0 V±1.5%的高精度,通过外接的输出电压设定电阻可以得到任意的输出电压。另外,通过连接在CSP端子的电容器可设定短路保护电路的延迟时间。由于短路最大占空系数的状态若持续,外接在CSP端子部的电容器则被充电,经由一定时间后停止振荡工作。这种状态可由电源的再通电,或者设置为休眠状态(S-8338系列)而被解除。由于所设定的输出容量的不同而选择使用陶瓷电容器,或是钽电容器。

  • 可进行各种设定以及选择,加上与采用小型封装的特点相组合,可以成为使用非常方便的控制器IC。

 

特点:

  • 低电压工作:1.8 V ~ 6.0 V

  • 振荡频率:利用外接电阻可在286 kHz ~ 1.133MHz之间设定

  • 最大占空系数

    利用外接电阻可在50 ~ 90%之间设定(S-8337系列)

    固定为88% 典型值(S-8338系列)

  • 基准电压:1.0 V ± 1.5%

  • UVLO(低电压误工作防止)功能

    检测电压在 1.5 V ~ 2.3 V之间,可以0.1 V级进选择

    滞后幅度在0.1 V ~ 0.3 V之间,可以0.1 V级进选择

  • 时钟闩锁式短路保护电路:可用外接电容器设定延迟时间

  • 软启动功能

    软启动时间可在10ms, 15ms, 20ms的3阶段中进行选择

  • 通过外接设定相位补偿

    针对GND可通过电阻与 电容器的串联连接来进行调整

  • 开/关控制功能

    S-8338系列,休眠时消耗电流 1.0 μA 最大值

  • 无铅产品


用途:

  • LCD, CCD等的电源

  • 移动设备用电源

 S8337_8338.pdf

S-8338

升压 1.2 MHz 高频 PWM控制DC/DC控制器 S-8337/8338系列

描述:

  • S-8337/8338系列是一种由基准电压电路、振荡电路、误差放大电路、PWM控制电路、低电压误工作防止电路 (UVLO) 、时钟闩锁式短路保护电路等构成的CMOS升压DC/DC控制器。最低工作电压为1.8 V,最适合应用于LCD用电源及低电压工作的移动设备。由于在ROSC端子部连接了电阻,所以可设定内部的振荡频率最大到1.133 MHz。

  • S-8337系列通过在RDuty端子部连接了电阻,故可控制PWM控制电路的最大占空系数。S-8338系列的最大占空系数则是固定的(88%)。通过连接在CC端子部的电阻和电容器的值进行相位补偿,成为可以调整增益值的构成。因此,对每个应用电路均可适当设置工作稳定度和过渡响应。

  • 基准电压为1.0 V±1.5%的高精度,通过外接的输出电压设定电阻可以得到任意的输出电压。另外,通过连接在CSP端子的电容器可设定短路保护电路的延迟时间。由于短路最大占空系数的状态若持续,外接在CSP端子部的电容器则被充电,经由一定时间后停止振荡工作。这种状态可由电源的再通电,或者设置为休眠状态(S-8338系列)而被解除。由于所设定的输出容量的不同而选择使用陶瓷电容器,或是钽电容器。

  • 可进行各种设定以及选择,加上与采用小型封装的特点相组合,可以成为使用非常方便的控制器IC。

 

特点:

  • 低电压工作:1.8 V ~ 6.0 V

  • 振荡频率:利用外接电阻可在286 kHz ~ 1.133MHz之间设定

  • 最大占空系数

    利用外接电阻可在50 ~ 90%之间设定(S-8337系列)

    固定为88% 典型值(S-8338系列)

  • 基准电压:1.0 V ± 1.5%

  • UVLO(低电压误工作防止)功能

    检测电压在 1.5 V ~ 2.3 V之间,可以0.1 V级进选择

    滞后幅度在0.1 V ~ 0.3 V之间,可以0.1 V级进选择

  • 时钟闩锁式短路保护电路:可用外接电容器设定延迟时间

  • 软启动功能

    软启动时间可在10ms, 15ms, 20ms的3阶段中进行选择

  • 通过外接设定相位补偿

    针对GND可通过电阻与 电容器的串联连接来进行调整

  • 开/关控制功能

    S-8338系列,休眠时消耗电流 1.0 µA 最大值

  • 无铅产品

 

用途:

  • LCD, CCD等的电源

  • 移动设备用电源

 S8550.pdf

S-8550

降压 内置FET 同步整流方式 PWM控制、DC/DC控制器 S-8550系列

描述:

  • S-8550 系列是一种由基准电压电路、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、PWM 控制电路、低电压误工作防止电路(UVLO), 电流限制电路、功率MOS FET 等构成的CMOS 同步整流方式的降压型DC/DC 控制器。

  • 振荡频率高达1.2 MHz,所以通过较小的外接元器件就可以构成高效率、大输出电流的降压型DC/DC 控制器。

  • 与以往的降压型DC/DC 控制器相比,S-8550 系列内置了同步整流电路,所以能很容易地获得高效率。输出电容器可以使用陶瓷电容器。另外,采用了小型的SOT-23-5 封装以及超小型、薄型的SNT-8A 封装,因此可适用于高密度安装。

 

特点:

  • 振荡频率:1.2 MHz

  • 输入电压范围:2.0 ~ 5.5 V

  • 输出电压范围

    可利用外接输出电压设定电阻任意设定

  • 输出电流:600 mA

  • 基准电压:0.6 V ±2.0%

  • 效率:92%

  • 软启动功能:1 ms (典型值)

  • 开/关控制功能

    休眠时消耗电流 1.0 µA (最大值)

  • 内置电流限制电路

  • P沟道功率MOS FET 导通电阻:0.4 Ω (典型值)

  • N沟道功率MOS FET 导通电阻:0.3 Ω (典型值)

  • 常时连续模式工作(无轻负载模式)

  • 无铅、Sn 100%、无卤素

 

用途:

  • 手机

  • 蓝牙(Bluetooth)

  • 无绳电话

  • 数码音响

  • 数码相机

  • 便携式DVD播放机

  • CD随身听及其他携带设备

 S8520_8521.pdf

S-8520

降压 PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8520/8521系列

描述:

  • S-8520/8521系列是一种由基准电压源、振荡电路和误差放大器等构成的PWM控制(S-8520系列)、PWM/PFM切换控制(S-8521系列)CMOS降压型DC/DC控制器。

  • S-8520系列通过以线性方式在0%到100%的范围内改变占空系数的PWM控制电路和误差放大电路,来获得低纹波、高效率和良好的过渡响应特性。并且内置了软启动电路,以防止启动上升时发生上冲。

  • S-8521系列是利用PWM/PFM切换控制,在通常时以占空系数25%到100%的PWM控制来进行工作,在轻负载时,自动地将工作切换为占空系数25%的PFM控制。从设备的待机时开始,到工作时为止的宽范围内获得高效率。

  • 通过外接P沟道功率MOS FET或PNP晶体管、线圈、电容器和二极管,就可以构成降压型DC/DC控制器,该产品采用SOT-23-5微型封装并结合了低消耗电流等特点,最适用于移动设备的电源部位上。因为输入电压的最大值为16 V,因此也适用于AC适配器。

 

特点:

  • 低消耗电流

    工作时 : 60 μA 最大值(A、B型产品)、21 μA最大值 (C、D型产品)、100 μA最大值(E、F型产品)

    休眠时 : 0.5 μA 最大值

  • 输入电压

    2.5 ~ 16 V (B、D、F型产品)

    2.5 ~ 10 V (A、C、E型产品)

  • 输出电压

    在1.5 ~ 6.0 V之间,可以0.1 V为进阶单位来进行设定

  • 占空系数

    0 ~ 100% PWM控制 (S-8520系列)

    25 ~ 100% PWM/PFM切换控制 (S-8521系列)

  • 外接零件仅需P沟道功率MOS FET或PNP晶体管和线圈、二极管、电容器
    (外接PNP晶体管时,另需要基极电阻和电容器)

  • 振荡频率

    180 kHz 典型值(A、B型产品)

    60 kHz 典型值(C、D型产品)

    300 kHz 典型值(E、F型产品)

  • 软启动功能

    8 ms 典型值(A、B型产品)

    12 ms 典型值(C、D型产品)

    4.5 ms 典型值(E、F型产品)

  • 备有开/关控制功能

  • 备有过负载保护电路

  • 过负载检测时间

    4 ms 典型值 (A型产品)

    14 ms 典型值 (C型产品)

    2.6 ms 典型值 (E型产品)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 手机、电子记事本、PDA等采用电池设备的单板电源

  • CD随身听、带耳机立体声收音机等音响设备的电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

  • 微机用电源

  • 从NiH电池或4节NiCd电池,或2节锂离子电池转换到3.3 V/3 V等

  • 从AC适配器转换到5 V/3 V等

 S8520_8521.pdf

S-8521

降压 PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8520/8521系列

描述:

  • S-8520/8521系列是一种由基准电压源、振荡电路和误差放大器等构成的PWM控制(S-8520系列)、PWM/PFM切换控制(S-8521系列)CMOS降压型DC/DC控制器。

  • S-8520系列通过以线性方式在0%到100%的范围内改变占空系数的PWM控制电路和误差放大电路,来获得低纹波、高效率和良好的过渡响应特性。并且内置了软启动电路,以防止启动上升时发生上冲。

  • S-8521系列是利用PWM/PFM切换控制,在通常时以占空系数25%到100%的PWM控制来进行工作,在轻负载时,自动地将工作切换为占空系数25%的PFM控制。从设备的待机时开始,到工作时为止的宽范围内获得高效率。

  • 通过外接P沟道功率MOS FET或PNP晶体管、线圈、电容器和二极管,就可以构成降压型DC/DC控制器,该产品采用SOT-23-5微型封装并结合了低消耗电流等特点,最适用于移动设备的电源部位上。因为输入电压的最大值为16 V,因此也适用于AC适配器。

 

特点:

  • 低消耗电流

  • 工作时 : 60 μA 最大值(A、B型产品)、21 μA最大值 (C、D型产品)、100 μA最大值(E、F型产品)

    休眠时 : 0.5 μA最大值

  • 输入电

    2.5 ~ 16 V (B、D、F型产品)

    2.5 ~ 10 V (A、C、E型产品)

  • 输出电压

    在1.5 ~ 6.0 V之间,可以0.1 V为进阶单位来进行设定

  • 占空系数

    0 ~ 100% PWM控制 (S-8520系列)

    25 ~ 100% PWM/PFM切换控制 (S-8521系列)

  • 外接零件仅需P沟道功率MOS FET或PNP晶体管和线圈、二极管、电容器
    (外接PNP晶体管时,另需要基极电阻和电容器)

  • 振荡频率

    180 kHz 典型值(A、B型产品)

    60 kHz 典型值(C、D型产品)

    300 kHz 典型值(E、F型产品)

  • 软启动功能

    8 ms 典型值(A、B型产品)

    12 ms 典型值(C、D型产品)

    4.5 ms 典型值(E、F型产品)

  • 备有开/关控制功能

  • 备有过负载保护电路

  • 过负载检测时间

    4 ms 典型值 (A型产品)

    14 ms 典型值 (C型产品)

    2.6 ms 典型值 (E型产品)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 手机、电子记事本、PDA等采用电池设备的单板电源

  • CD随身听、带耳机立体声收音机等音响设备的电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

  • 微机用电源

  • 从NiH电池或4节NiCd电池,或2节锂离子电池转换到3.3 V/3 V等

  • 从AC适配器转换到5 V/3 V等

 S8540_8541.pdf

S-8540

降压 600 kHz PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8540/8541系列

描述:

  • S-8540/8541系列是一种由基准电压源、振荡电路、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路和电流限制电路等构成的PWM控制(S-8540系列)、PWM/PFM切换控制(S-8541系列)CMOS降压DC/DC控制器。振荡频率高达600 kHz、300 kHz,所以通过较小的外接零件就可构成高效率、大输出电流的降压型DC/DC控制器。

  • S-8540系列通过以线性方式在0% ~ 100%的范围内改变占空系数的PWM控制电路和设定在最佳状态的误差放大电路、相位补偿电路,来获得低纹波、高效率和良好的过渡特性。

  • S-8541系列通过PWM/PFM切换控制电路,在占空系数为29%以上时切换为PWM控制,在29%以下时切换为PFM控制,在全部的负载领域内获得了很高的效率。

  • 本IC产品结合8-Pin MSOP封装的采用和提高振荡频率,最适合在移动设备的主电源中使用。

 

特点:

  • 振荡频率

    600 kHz (A、B型)

    300 kHz (C、D型)

  • 输出电压

    在1.5 ~ 6.0 V的范围内,
    可以0.1 V为进阶单位来进行选择(A、C型)

  • 输出电压精度:±2.0%

  • 备有输出电压为外部设定(FB)型产品

  • 外接零件为晶体管、线圈、二极管各1个和电容器

  • 内置PWM/PFM切换控制电路(S-8541系列)

    占空系数 : 29% (PFM工作时)、29 ~ 100% (PWM工作时)

  • 内置电流限制电路:可利用外接电阻RSENSE来进行设定

  • 软启动功能:可利用外接电容CSS及外接电阻RSS来进行设定

  • 开/关控制功能

  • 无铅产品

 

用途:

  • PDA、电子记事本、携带电话等移动设备用电源

  • CD随身听、带耳机立体声收音机等音响设备用电源

  • 笔记本电脑、外围设备的主电源或辅助电源

 S8540_8541.pdf

S-8541

降压 600 kHz PWM控制、PWM/PFM切换控制 DC/DC控制器 S-8540/8541系列

描述:

  • S-8540/8541系列是一种由基准电压源、振荡电路、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路和电流限制电路等构成的PWM控制(S-8540系列)、PWM/PFM切换控制(S-8541系列)CMOS降压DC/DC控制器。振荡频率高达600 kHz、300 kHz,所以通过较小的外接零件就可构成高效率、大输出电流的降压型DC/DC控制器。

  • S-8540系列通过以线性方式在0% ~ 100%的范围内改变占空系数的PWM控制电路和设定在最佳状态的误差放大电路、相位补偿电路,来获得低纹波、高效率和良好的过渡特性。

  • S-8541系列通过PWM/PFM切换控制电路,在占空系数为29%以上时切换为PWM控制,在29%以下时切换为PFM控制,在全部的负载领域内获得了很高的效率。

  • 本IC产品结合8-Pin MSOP封装的采用和提高振荡频率,最适合在移动设备的主电源中使用。

 

特点:

  • 振荡频率

    600 kHz (A、B型)

    300 kHz (C、D型)

  • 输出电压

    在1.5 ~ 6.0 V的范围内,
    可以0.1 V为进阶单位来进行选择(A、C型)

  • 输出电压精度:±2.0%

  • 备有输出电压为外部设定(FB)型产品

  • 外接零件为晶体管、线圈、二极管各1个和电容器

  • 内置PWM/PFM切换控制电路(S-8541系列)

    占空系数 : 29% (PFM工作时)、29 ~ 100% (PWM工作时)

  • 内置电流限制电路:可利用外接电阻RSENSE来进行设定

  • 软启动功能:可利用外接电容CSS及外接电阻RSS来进行设定

  • 开/关控制功能

  • 无铅产品

 

用途:

  • PDA、电子记事本、携带电话等移动设备用电源

  • CD随身听、带耳机立体声收音机等音响设备用电源

  • 笔记本电脑、外围设备的主电源或辅助电源

 S8533.pdf

S-8533

降压 同步整流方式 PWM控制 DC/DC控制器 S-8533系列

描述:

  • S-8533系列是一种同步整流方式PWM控制CMOS降压型DC/DC控制器,由基准电压源、同步整流电路、振荡电路、误差放大器、相位补偿电路、PWM控制电路等构成。

  • 只需外接P沟道及N沟道功率MOS FET晶体管各1个、线圈1个和电容器3个,即可获得高效率的降压DC/DC控制器。

  • 振荡频率高达300kHz,所以通过较小的外接零件就可构成高效率、大输出电流的降压DC/DC控制器,与传统的降压DC/DC控制器相比,效率可提高3~10%。

  • 本IC产品结合8-pin TSSOP封装的采用和振荡频率的提高,最适合在移动设备的主电源中使用。

 

特点:

  • 利用同步整流方式提高了效率 (典型值 94%)

  • 外接

    MOS采用P沟道及N沟道两种MOS晶体管,再加上最大占空系数=100%,可以最大限度地使用电池。

  • 振荡频率:300kHz

  • 输入电压:2.7~16.0V

  • 输出电压:1.25, 1.3~6.0V (以0.1V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2.0%

  • 软启动功能:可用外接电容(Css)来设定

  • 备有开/关控制功能

  • 无铅产品

 

用途:

  • 硬盘(HD)、DVD 驱动器的稳压电源

  • 数码相机、PDA、电子记事本、手机等移动设备用电源

  • 笔记本电脑、外围设备的主电源和辅助电源

  • 照相机、视频设备、通信设备的稳压电源

 S77100 77101.pdf

S-77100/77101

电源顺序控制器 S-77100/77101系列

描述:

  • S-77100/77101系列为电源顺序控制器。

  • S-77100系列可通过输出4通道的使能信号,来控制外部电源电路。通过切换ON端子的 “H” 和 “L”,使能信号可按顺序 “开” 和”关”。

  • S-77101系列可通过输出3通道的使能信号,来控制外部电源电路。通过将ON端子从 “L” 切换为 “H”,使能信号可按顺序 “开”,通过将OFF端子从 “H” 切换为 “L”,使能信号可按顺序 “关”。

  • 可通过外接电容器来设定各个使能信号的延迟时间。

  • 另外,因采用小型的8-Pin TSSOP或SNT-8A封装,故可高密度安装。

 

特点:

  • 可简单地控制多个电源的顺序

  • 可通过外接电容器设定延迟时间

  • 可用1个输入信号来控制4通道的顺序 (S-77100系列)

  • 可分别用不同的输入信号来控制上电顺序和断电顺序 (S-77101系列)

  • 可通过级联连接来增加使能输出信号

  • 低消耗电流

    3.0 μA (典型值) (断电期间、电源安定期间、Vdd= 3.3 V、Ta = +25°C)

  • 宽工作电压范围:2.2 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 可选择输出方式:CMOS输出、N沟道开路漏极输出

  • 可选择输出逻辑:动态 “H”、动态 “L”

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 

用途:

  • 多台装置的电源顺序控制

  • 微处理器、微控制器的顺序控制

  • FPGA的电源顺序控制

  • 电视机、照相机、打印机等的电源顺序控制

 S8821.pdf

S-8821

电压稳定化 升压型充电泵DC-DC转换器 S-8821系列

描述:

  • S-8821系列是采用CMOS技术开发、带调压功能的升压型充电泵DC-DC转换器。

  • S-8821系列由振荡电路、控制电路、基准电压电路、误差増幅电路和输出开关晶体管构成,通过PFM控制来调整输出电压。

  • 另外,由于充电泵用电容器、输入电容器、输出电容器均可以使用小型的陶瓷电容器,所以能实现装置的小型化。

 

特点:

  • 升压型PFM控制CMOS充电泵

  • 电源电压:1.6 ~ 5.0 V

  • 输出电压:2.5 ~ 5.5 V (以0.1 V为进阶单位来选择)

  • 输出电压精度:±2 % (最大值)

  • 内置软启动电路:1.0 ms (典型值)

  • 输出电流:25 mA (Vin=(VOUT(S) × 0.80) V)

  • 振荡频率:1.0 MHz (典型值)

  • 备有ON/OFF功能:待机时 : 1 µA (最大值)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 锂离子电池驱动的应用电路

  • 局部电源

  • 显示器白色LED的背光用电源

S-8424A

备用电池切换用IC S-8424A系列

描述:

  • S-8424A系列是用来切换主电源和备用电源的可由单片构成的CMOS IC。单片中内置2个电压调整器、3个电压检测器、电源调节切换开关及其控制电路等。

  • 除主电源和备用电源的切换功能之外,还可以向微机等供给与电源电压对应的3种电压检测输出信号。

  • 另外,本IC产品在开关控制方面采用特殊程序,使备用电源能得到有效利用,最适用于保护系统的构筑。

 

特点:

  • 低消耗电流

    15μA 最大值 ( Vin=6V,通常工作状态时)

    2.1μA 最大值 (备用时)

  • 电压调节器

    输出电压精度 : ±2%

    输出电压 : 2.3~5.4V (以0.1V为进阶单位来独立选择)

  • 内置3种 (CS, /PREEND, /RESET)电压检测器

    检测电压精度 : ±2%

    检测电压 : 2.4~5.3V (以0.1V为进阶单位来选择) (CS电压检测器)
    1.7~3.4V (以0.1V为进阶单位来选择) (/PREEND, /RESET电压检测器)

  • 能以单片方式构成主电源和备用电源的切换电路

  • 能有效利用备用电源

  • 采用特殊程序

    在主电源电压未达到开关单元的初始工作电压时,不会输出备用电压。

  • 无铅产品

 

用途:

  • 摄录一体机

  • 数码相机

  • 存储器卡

  • 其他SRAM备用装置

S-8425

备用电池切换用IC S-8425系列

描述:

  • S-8425系列是用来切换主电源和备用电源的可由单片构成的CMOS IC。单片中内置3个电压调整器、2个电压检测器、电源调节切换开关及其控制电路等。

  • 除主电源和备用电源的切换功能之外,还可以向微机等供给与电源电压对应的2种电压检测输出信号。

  • 另外,本IC产品在开关控制方面采用特殊程序,使备用电源能得到有效利用,最适用于保护系统的构筑。

 

特点:

  • 低消耗电流

    15µA 最大值 ( Vin=6V,通常工作状态时)、

    2.1µA 最大值 (备用时)

  • 电压调节器

    输出电压精度: ±2%

    输出电压: 2.3~5.4V (以0.1V为进阶单位来独立选择)

  • 内置2种 (CS, /RESET)电压检测器

    检测电压精度 : ±2%

    检测电压: 2.4~5.3V (以0.1V为进阶单位来选择) (CS电压检测器)
    1.7~3.4V (以0.1V为进阶单位来选择) (/RESET电压检测器)

  • /RESET解除延迟时间:300µs 最小值

  • 能以单片方式构成主电源和备用电源的切换电路

  • 能有效利用备用电源

  • 采用特殊程序

    在主电源电压未达到开关单元的初始工作电压时,不会输出备用电压。

  • 无铅产品

 

用途:

  • 摄录一体机

  • 数码相机

  • 存储器卡

  • 其他SRAM备用装置

S-8426A

备用电池切换用IC S-8426A系列

描述:

The S-8426A Series is a CMOS IC designed for use in the switching circuits of primary and backup power supplies on a single chip. It consists of two voltage regulators, three voltage detectors, a power supply switch and its controller, as well as other functions.
In addition to the switching function between the primary and backup power supply, the S-8426A Series can provide the micro controllers with three types of voltage detection output signals corresponding to the power supply voltage.
Moreover adopting a special sequence for switch control enables the effective use of the backup power supply, making this IC ideal for configuring a backup system.

 

特点:

  • 低消耗电流

    15μA 最大值 ( Vin=6V,通常工作状态时)

    4.5μA 最大值 (备用时)

  • 电压调节器

  • 输出电压精度:±2%

  • 输出电压:2.3~5.4V (以0.1V为进阶单位来独立选择)

  • 内置3种 (CS, /PREEND, /RESET)电压检测器

  • 检测电压精度:±2%

  • 检测电压

    2.4~5.3V (以0.1V为进阶单位来选择)
    (CS电压检测器)

    1.7~3.4V (以0.1V为进阶单位来选择)
    (/PREEND, /RESET电压检测器)

  • 能以单片方式构成主电源和备用电源的切换电路

  • 能有效利用备用电源

  • 采用特殊程序

    在主电源电压未达到开关单元的初始工作电压时,不会输出备用电压。

  • 无铅产品

 

用途:

  • 摄录一体机

  • 数码相机

  • 存储器卡

  • 其他SRAM备用装置

 S8240A.pdf

S-8240A

1节电池用电池保护IC S-8240A系列

描述:

  • S-8240A系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。

  • S-8240A系列最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压:3.5 V ~ 4.6 V (5 mV进阶)  精度±20 mV 

    过充电解除电压:3.1 V ~ 4.6 V  精度±50 mV 

    过放电检测电压:2.0 V ~ 3.4 V (10 mV进阶)  精度±50 mV 

    过放电解除电压:2.0 V ~ 3.4 V  精度±100 mV 

    放电过电流检测电压:0.015 V ~ 0.200 V (5 mV进阶)  精度±5 mV 

    负载短路检测电压:0.065 V ~ 0.500 V (25 mV进阶)   精度±40 mV 

    充电过电流检测电压:−0.200 V ~ −0.015 V (5 mV进阶)  精度±5 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容) 

  • 可选择向0 V电池充电的功能:允许、禁止

  • 可选择休眠功能:有、无

  • 可选择放电过电流状态的解除条件:断开负载、连接充电器

  • 可选择放电过电流状态的解除电压:Vriov, Vdiov

  • 高耐压:VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广:Ta = – 40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 1.5 μA (典型值)、3.0 μA (最大值) (Ta = +25°C) 

    休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C) 

    过放电时 : 500 nA (最大值) (Ta = +25°C) 

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8240B.pdf

S-8240B

1节电池用电池保护IC S-8240B系列

描述:

  • S-8240B系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。

  • S-8240B系列最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 3.5 V ~ 4.6 V (5 mV进阶)  精度±20 mV 

    过充电解除电压 3.1 V ~ 4.6 V  精度±50 mV 

    过放电检测电压 2.0 V ~ 3.4 V (10 mV进阶)  精度±50 mV 

    过放电解除电压 2.0 V ~ 3.4 V  精度±100 mV 

    放电过电流检测电压 0.015 V ~ 0.100 V (1 mV进阶)  精度±3 mV 

    负载短路检测电压 0.065 V ~ 0.500 V (25 mV进阶)  精度±40 mV 

    充电过电流检测电压 −0.100 V ~ −0.015 V (1 mV进阶)  精度±3 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容) 

  • 可选择向0 V电池充电的功能:允许、禁止

  • 可选择休眠功能:有、无

  • 可选择放电过电流状态的解除条件:断开负载、连接充电器

  • 可选择放电过电流状态的解除电压:Vriov, Vdiov

  • 高耐压:VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广:Ta = – 40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 1.5 μA (典型值)、3.0 μA (最大值) (Ta = +25°C) 

    休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C) 

    过放电时 : 500 nA (最大值) (Ta = +25°C) 

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8200A.pdf

S-8200A

1节电池用电池保护IC S-8200A系列

描述:

  • S-8200A系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子/锂聚合物可充电电池的保护IC。

  • 本IC最适合于对1节锂离子/锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 3.5 V ~ 4.5 V (5 mV进阶) 精度±20 mV (Ta = +25°C),精度±25 mV (Ta = −10°C ~ +60°C)

    过充电解除电压 : 3.1 V ~ 4.5 V 精度±30 mV

    过放电检测电压 : 2.0 V ~ 3.4 V (10 mV进阶) 精度±35 mV

    过放电解除电压 : 2.0 V ~ 3.4 V 精度±50 mV

    放电过电流检测电压 : 0.05 V ~ 0.20 V (10 mV进阶)  精度±10 mV

    负载短路检测电压 : 0.5 V (固定) 精度±100 mV

    充电过电流检测电压 : −0.20 V ~ −0.05 V (25 mV进阶) 精度±15 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容):精度±20%

  • 高耐压 (VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值 = 28 V)

  • 可选择 "允许" / "禁止" 向0 V电池充电的功能

  • 可选择休眠功能的 "有" / "无"

  • 工作温度范围广:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 2.8 μA (典型值)、5.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 0.1 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8211C.pdf

S-8211C

1节电池用电池保护IC S-8211C系列

描述:

  • S-8211C系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子/锂聚合物可充电电池的保护IC。

  • 本IC最适合于对1节锂离子/锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 : 3.9 V ~ 4.5 V (以5 mV进阶) 精度±25 mV (Ta = +25°C),精度±30 mV (Ta = −5°C ~ +55°C)

    过充电解除电压 : 3.8 V ~ 4.43 V 精度±50 mV

    过放电检测电压 : 2.0 V ~ 3.0 V (以10 mV进阶) 精度±50 mV

    过放电解除电压 : 2.0 V ~ 3.4 V 精度±100 mV

    放电过电流检测电压 : 0.05 V ~ 0.30 V (以10 mV进阶) 精度±15 mV

    负载短路检测电压 : 0.5 V (固定) 精度±200 mV

    充电过电流检测电压 : −0.1 V (固定) 精度±30 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容) 精度±20%

  • 高耐压 (VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值 = 28 V)

  • 可选择 “允许” / “禁止” 向0 V电池充电的功能

  • 可选择休眠功能的 “有” / “无”

  • 工作温度范围广:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 3.0 μA (典型值), 5.5 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 0.2 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8211D.pdf

S-8211D

1节电池用电池保护IC S-8211D系列

描述:

  • S-8211D系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的锂离子可充电池 / 锂聚合物可充电池保护用IC。

  • 本IC最适合于1节电池用锂离子可充电池 / 锂聚合物可充电池电池组的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 : 3.6 V ~ 4.5 V (以5 mV进阶) 精度±25 mV (Ta = +25°C)

    精度±30 mV (Ta = −5°C ~ +55°C)

    过充电解除电压 : 3.5 V ~ 4.4 V 精度±50 mV

    过放电检测电压 : 2.0 V ~ 3.0 V (以10 mV进阶) 精度±50 mV

    过放电解除电压 : 2.0 V ~ 3.4 V 精度±100 mV

    放电过电流检测电压 : 0.05 V ~ 0.30 V (以10 mV进阶) 精度±15 mV

    负载短路检测电压 : 0.5 V (固定) 精度±200 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容):精度±20%

  • 高耐压 (VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值 = 28 V)

  • 可选择 “允许” / “禁止” 向0 V电池充电的功能

  • 可选择休眠功能的 “有” / “无”

  • 工作温度范围广:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 3.0 μA (典型值), 5.5 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 : 0.2 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

  • 锂聚合物可充电池电池组

 S8261.pdf

S-8261

1节电池用电池保护IC S-8261系列

描述:

  • S-8261系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的锂离子/锂聚合物可充电池的保护IC。

  • 本IC最适合于1节锂离子/锂聚合物可充电池组的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

  • 内置高精度电压检测电路

    过充电检测电压 : 3.9 V ~ 4.5 V(进阶单位为5 mV) 

    精度±25 mV(25°C)、 ±30 mV(−5°C ~ +55°C)

    过充电滞后电压 : 0.1 V ~ 0.4 V  精度±25 mV 过充电滞后电压可以在 : 0.1 V ~ 0.4 V的范围内,以50 mV为进阶单位进行选择

    过放电检测电压 : 2.0 V ~ 3.0 V(进阶单位为10 mV) 精度±50 mV

    过放电滞后电压 : 0.0 V ~ 0.7 V  精度±50 mV

    过放电滞后电压可以在 : 0.0 V ~ 0.7 V的范围内,以100 mV为进阶单位进行选择

    过电流1检测电压 : 0.05 V ~ 0.3 V(进阶单位为10 mV) 精度±15 mV

    过电流2检测电压 : 0.5 V(固定) 精度±100 mV

  • 高耐压 (VM端子、CO端子:绝对最大额定值 = 28 V)

  • 各种延迟时间只需由内置电路来实现(过充电:tCU、过放电:tDL、过电流1:tIOV1、过电流2:tIOV2) (不需外接电容) 精度±20%

  • 内置三段过电流检测电路(过电流1、过电流2、负载短路)

  • 可以选择“允许”/“禁止”向0 V电池充电的功能

  • 可以选择休眠功能的“有”/“无”

  • 可充电器检测功能、异常充电电流检测功能

    根据检测VM端子的负电压(典型值−0.7 V)而解除过放电滞后(充电器检测功能)。

    当DO端子电压处于高电位(High),VM端子电压低于充电器检测电压(典型值-0.7 V)时,CO端子的输出将被设置于 低电位(Low)(异常充电电流检测功能)。

  • 低消耗电流

    工作状态时 典型值3.5 μA 最大值7.0 μA

    休眠状态时 最大值0.1 μA

  • 宽工作温度范围:−40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S82B1A.pdf

S-82B1A

带充放电控制功能 1节电池用电池保护IC S-82B1A系列

描述:

  • S-82B1A系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。

  • S-82B1A系列最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。

  • S-82B1A系列备有充放电控制信号输入端子,可通过外部信号进行充放电控制。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 3.5 V ~ 4.6 V (5 mV进阶) 精度±20 mV

    过充电解除电压 3.1 V ~ 4.6 V 精度±50 mV

    过放电检测电压 2.0 V ~ 3.0 V (10 mV进阶) 精度±50 mV

    过放电解除电压 2.0 V ~ 3.4 V 精度±100 mV

    放电过电流检测电压1 0.010 V ~ 0.100 V (1 mV进阶) 精度±3 mV

    放电过电流检测电压2 0.030 V ~ 0.200 V (1 mV进阶) 精度±5 mV

    负载短路检测电压 0.050 V ~ 0.500 V (5 mV进阶) 精度±20 mV

    充电过电流检测电压 -0.100 V ~ -0.010 V (1 mV进阶) 精度±3 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

  • 充放电控制功能

    可选择CTL端子的控制逻辑 : 动态 “H”、动态 “L”

    可选择CTL端子的内部电阻连接 : 上拉、下拉

    可选择CTL端子的内部电阻值 : 1.0 MΩ、2.0 MΩ、3.0 MΩ、4.0 MΩ、5.0 MΩ

  • 可选择向0 V电池充电的功能:允许、禁止

  • 可选择休眠功能:有、无

  • 可选择放电过电流状态的解除条件:断开负载、连接充电器

  • 可选择放电过电流状态的解除电压

    放电过电流检测电压1 (Vdiov1)

    放电过电流解除电压 (Vriov) = Vdd × 0.8 (典型值)

  • 高耐压:VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 2.0 μA (典型值)、4.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

    过放电时 : 500 nA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8230A_B.pdf

S-8230A/B

带放电控制功能 1节电池用电池保护IC S-8230A/B系列

描述:

  • S-8230A/B系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。

  • S-8230A/B系列最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护,及通过外部信号的放电控制。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 : 3.5 V ~ 4.5 V (5 mV进阶) 

  • 精度±20 mV(Ta = +25°C) 精度±25 mV (Ta = -10°C ~ +60°C)

    过充电解除电压 : 3.1 V ~ 4.5 V  精度±30 mV

    过放电检测电压 : 2.0 V ~ 3.4 V (10 mV进阶) 精度±35 mV

    过放电解除电压 : 2.0 V ~ 3.4 V 精度±50 mV

    放电过电流检测电压 : 0.05 V ~ 0.20 V(10 mV进阶) 精度±10 mV

    负载短路检测电压 : 0.5 V (固定) 精度±100 mV

    负载短路检测电压 : -0.20 V ~ -0.05 V (25 mV进阶) 精度±15 mV 、-0.16 V ~ -0.08 V (40 mV进阶)

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容) 精度±20%

  • 放电控制功能

    可选择CTL端子的控制逻辑 : 动态 “H”、动态 “L”

    可选择CTL端子的内部电阻连接 : 上拉、下拉

    可选择CTL端子的内部电阻值 : 1.0 MΩ、2.5 MΩ、5.0 MΩ

    可选择放电禁止状态闩锁功能: 有、无

  • 可选择向0 V电池充电的功能:允许、禁止

  • 可选择休眠功能:有、无

  • 可选择从放电过电流状态的复归条件:断开负载、连接充电器

  • 充电器连接端子采用高耐压器件:VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 2.8 μA (典型值)、5.5 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 : 0.1 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

  • 锂聚合物可充电池电池组

 S8250A.pdf

S-8250A

带放电控制功能 1节电池用电池保护IC S-8250A系列

描述:

  • S-8250A系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。 S-8250A系列最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护,及通过外部信号的放电控制。

  • S-8250A系列可按照充放电控制用FET的通态电阻来调整放电过电流检测电压的电源电压依存性,从而实现高精度的放电过电流检测。


特点:

  • 高精度放电过电流检测电路

    放电过电流检测电压 0.05 V ~ 0.15 V (1 mV进阶), 精度±10 mV (Ta = +25°C)

    (可按照充放电控制用FET的通态电阻来设定电源电压依存性)

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 :4.1 V ~ 4.6 V (5 mV进阶),精度±20 mV (Ta = +25°C), 精度±25 mV (Ta = -10°C ~ +60°C)

    过充电解除电压 : 3.7 V ~ 4.6 V 精度±30 mV

    过放电检测电压 : 2.0 V ~ 2.8 V (10 mV进阶) 精度±50 mV

    过放电解除电压 : 2.0 V ~ 3.0 V 精度±100 mV

    负载短路检测电压 : 0.25 V ~ 0.50 V (50 mV进阶) 精度±50 mV

    充电过电流检测电压 : -0.20 V ~ -0.025 V (25 mV进阶) 精度±15 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

  • 放电控制功能

    可选择CTL端子的控制逻辑 : 动态 “H”、动态 “L”

    可选择CTL端子的内部电阻连接 : 上拉、下拉

    可选择CTL端子的内部电阻值 : 1.0 MΩ、2.0 MΩ、3.0 MΩ、4.0 MΩ、5.0 MΩ

    可选择放电禁止状态闩锁功能: 有、无

  • 可选择向0 V电池充电的功能:允许、禁止

  • 可选择休眠功能:有、无

  • 可选择放电过电流状态的解除条件:断开负载、连接充电器

  • 充电器连接端子采用高耐压器件:VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 2.0 μA (典型值)、4.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

  • 锂聚合物可充电池电池组

 S8250B.pdf

S-8250B

带放电控制功能 1节电池用电池保护IC S-8250B系列

描述:

  • S-8250B系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。

  • S-8250B系列最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。 

  • S-8250B系列可按照充放电控制用FET的通态电阻来调整放电过电流检测电压的电源电压依存性,从而实现高精度的放电过电 流检测。


特点:

  • 高精度放电过电流检测电路

    放电过电流检测电压 0.05 V ~ 0.15 V (1 mV进阶), 精度±10 mV (Ta = +25°C)

(可按照充放电控制用FET的通态电阻来设定电源电压依存性)

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 :4.1 V ~ 4.6 V (5 mV进阶)

    精度±20 mV (Ta = +25°C), 精度±25 mV (Ta = -10°C ~ +60°C)

    过充电解除电压 : 3.7 V ~ 4.6 V 精度±30 mV

    过放电检测电压 : 2.0 V ~ 2.8 V (10 mV进阶) 精度±50 mV

    过放电解除电压 : 2.0 V ~ 3.0 V 精度±100 mV

    负载短路检测电压 : 0.25 V ~ 0.50 V (50 mV进阶) 精度±50 mV

    充电过电流检测电压 : -0.20 V ~ -0.05 V (25 mV进阶) 精度±15 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

  • 可选择向0 V电池充电的功能:允许、禁止

  • 可选择休眠功能:有、无

  • 可选择放电过电流状态的解除条件:断开负载、连接充电器

  • 高耐压:VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 2.0 μA (典型值)、4.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

  • 锂聚合物可充电池电池组

 S82A1A.pdf

S-82A1A

1节电池用电池保护IC S-82A1A系列

描述:

  • S-82A1A系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。

  • S-82A1A系列最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。

  • S-82A1A系列通过使用外接过电流检测电阻,实现受温度变化影响小的高精度过电流保护。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 3.5 V ~ 4.6 V (5 mV进阶) 精度±20 mV

    过充电解除电压 3.1 V ~ 4.6 V 精度±50 mV

    过放电检测电压 2.0 V ~ 3.0 V (10 mV进阶) 精度±50 mV

    过放电解除电压 2.0 V ~ 3.4 V 精度±100 mV

    放电过电流检测电压1 0.010 V ~ 0.100 V (1 mV进阶) 精度±3 mV

    放电过电流检测电压2 0.030 V ~ 0.200 V (1 mV进阶) 精度±5 mV

    负载短路检测电压 0.050 V ~ 0.500 V (5 mV进阶) 精度±20 mV

    充电过电流检测电压 -0.100 V ~ -0.010 V (1 mV进阶) 精度±3 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

  • 可选择向0 V电池充电的功能:允许、禁止

  • 可选择休眠功能:有、无

  • 可选择放电过电流状态的解除条件:断开负载、连接充电器

  • 可选择放电过电流状态的解除电压

    放电过电流检测电压1 (Vdiov1)

    放电过电流解除电压 (Vriov) = Vdd × 0.8 (典型值)

  • 高耐压:VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 2.0 μA (典型值)、4.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

    过放电时 : 500 nA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8252.pdf

S-8252

2节电池串联用电池保护IC S-8252系列

描述:

  • S-8252系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于2节串联锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。

  • 本IC最适合于对2节串联锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

    过充电检测电压n (n = 1, 2) 3.550 V ~ 4.600 V (5 mV进阶)

    精度±20 mV (+25°C)、 精度±25 mV (-10°C ~ +60°C)

    过充电解除电压n (n = 1, 2)  3.150 V ~ 4.600 V精度±30 mV

    精度±50 mV 过放电检测电压n (n = 1, 2)  2.00 V ~ 3.00 V (10 mV进阶)

    过放电解除电压n (n = 1, 2) 2.00 V ~ 3.40ZM V精度±100 mV

    精度±10 mV 放电过电流检测电压  0.05 V ~ 0.40 V (10 mV进阶)

    精度±100 mV 负载短路检测电压 0.5 V (固定)

    充电过电流检测电压 -0.40 V ~ -0.05 V (25 mV进阶) 精度±20 mV

  • 可选择充电过电流检测功能的 “有” / “无”

  • 精度±20% 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

  • 高耐压 (VM端子、CO端子﹕绝对最大额定值 = 28 V)

  • 可选择向0 V电池充电功能的 “可能” / “禁止”

  • 可选择休眠功能的 “有” / “无”

  • 宽工作温度范围:-40°C ~ +85°C

  • 低消耗电流

    工作时 : 8.0 μA (最大值) (+25°C)

    休眠时 : 0.1μA(最大值) (+25°C)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8262A.pdf

S-8262A

2节电池串联用电池保护IC S-8262A系列

描述:

  • S-8262A系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于2节串联锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。

  • S-8262A系列备有输出报警检测信号的过充电报警信号输出端子 (AO端子)。

  • 报警检测信号的输出优先于通过过充电检测而得到的控制充电用FET控制信号的输出。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

    过充电检测电压n (n = 1, 2) : 3.900 V ~ 4.500 V (5 mV进阶)

    精度±20 mV (Ta = +25°C), 精度±25 mV (Ta = -10°C ~ +60°C)

    过充电解除电压n (n = 1, 2) : 3.800 V ~ 4.500 V : 精度±30 mV

    过放电检测电压n (n = 1, 2) : 2.00 V ~ 3.00 V (10 mV进阶) : 精度±50 mV

    过放电解除电压n (n = 1, 2) : 2.00 V ~ 3.40 V : 精度±100 mV

    放电过电流1检测电压 : 0.05 V ~ 0.20 V (10 mV进阶) : 精度±10 mV

    放电过电流2检测电压 : 0.20 V ~ 0.40 V (20 mV进阶) : 精度±20 m

    负载短路检测电压 : 0.70 V (固定) : 精度±100 mV

    充电过电流检测电压 : -0.400 V ~ -0.005 V (25 mV进阶) : 精度±20 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容) : 精度±20%

  • 充电器连接端子采用高耐压器件 (VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值 = 28 V)

  • 可选择 “允许” / “禁止” 向0 V电池充电的功能

  • 工作温度范围广:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 8.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 : 0.1 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8253C.pdf

S-8253C/D

2节/3节串联用电池保护IC S-8253C/D系列

描述:

  • S-8253C/D系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于2节或3节串联锂离子可充电电池的保护IC。

  • 本IC最适用于对锂离子可充电电池组的过充电、过放电以及过电流的保护。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

    过充电检测电压n (n = 1 ~ 3) 3.9 ~ 4.4 V (50 mV级进) 精度±25 mV

    过充电解除电压n (n = 1 ~ 3) 3.8 ~ 4.4 V 精度±50 mV

    过放电检测电压n (n = 1 ~ 3) 2.0 ~ 3.0 V (100 mV级进) 精度±80 mV

    过放电解除电压n (n = 1 ~ 3) 2.0 ~ 3.4 V 精度±100 mV

  • 3段过电流检测功能 (包含负载短路)

    过电流检测电压1 0.05 ~ 0.30 V (50 mV级进) 精度±25 mV

    过电流检测电压2 0.5 V (固定)

    过电流检测电压3 1.2 V (固定)

  • 各种延迟时间 (过充电、过放电、过电流) 仅通过内置电路即可实现 (不需要外接容量)

  • 通过控制端子可以禁止充放电

  • 可选择向0 V电池的充电功能「可能」/「禁止」

  • 高耐压:绝对最大额定值26 V

  • 宽工作电压范围:2 ~ 24 V

  • 宽工作温度范围:– 40 ~ + 85 °C

  • 低消耗电流

    工作时 28 μA 最大值 (+ 25 °C)

    休眠时 0.1 μA 最大值 (+ 25 °C)

  • 无铅, Sn 100%, 无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

  • 锂聚合可充电池电池组

 S8243A_B.pdf

S-8243A/B

3节/4节串联用电池保护IC S-8243A/B系列

描述:

  • S-8243A/B系列是锂离子可充电池保护用的IC。A系列保护3节串联,B系列保护4节串联的锂离子电池组不受过充电、过放电、过电流的影响。

  • 由高精度的电池保护电路、电池监视放大器构成,内置用于驱动微机或气体计量IC的电压稳压器。

  • 通过与微机或气体计量IC的组合,即可简单地显示电池余量。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

    过充电检测电压n(n=1 ~ 4) 3.9 V ~ 4.4 V(50 mV级进)  精度±25 mV

    过充电滞后n(n=1 ~ 4) -0.10 V ~ -0.40 V(50 mV 级进)或0 V 精度±50 mV

    (过充电解除电压n(=过充电检测电压n+过充电滞后n) 可在3.8 V ~ 4.4 V的范围内选择)

    过放电检测电压n(n=1 ~ 4) 2.0 V ~ 3.0 V(100 mV 级进) 精度±80 mV

    过放电滞后n(n=1 ~ 4) 0.20 V ~ 0.70 V或0 V(100 mV级进) 精度±100 mV

    (过放电解除电压n(=过放电检测电压n+过放电滞后n) 可在2.0 V ~ 3.4 V的范围内选择)

  • 包括短路保护在内的3段过电流检测功能

    过电流检测电压1 0.05 V ~ 0.3 V(50 mV级进) 精度±5 mV

    过电流检测电压2 0.5 V 精度±100 mV

    过电流检测电压3 VDD/2 精度±15%

  • 过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间、过电流检测延迟时间1可通过外接器件的容量来设置 (过电流检测延迟时间2、过电流检测延迟时间3为内部固定)

  • 可从控制端子控制充放电

  • 高精度电池监视放大器:GAMP=Vbattery×0.2±1.0%

  • 电压稳压器:Vout=3.3 V±2.4%(3 mA 最大值)

  • 高耐压:绝对最大额定值26 V

  • 宽工作电压范围:6 V ~ 18 V

  • 宽工作温度范围:-40°C ~ +85°C

  • 低消耗电流

    工作时 120 μA 最大值

    休眠时 0.1 μA 最大值

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

  • 锂聚合体可充电池电池组

 S8254A.pdf

S-8254A

3节/4节串联用电池保护IC S-8254A系列

描述:

  • S-8254A系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的3节串联或者是4节串联用锂离子可充电池保护用IC。 

  • 通过SEL端子的切换,可对应3节串联或者是4节串联用的电池保护。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

    过充电检测电压n (n = 1 ~ 4) 3.9 ~ 4.4 V (50 mV级进) 精度±25 mV

    过充电解除电压n (n = 1 ~ 4) 3.8 ~ 4.4 V 精度±50 mV

    过放电检测电压n (n = 1 ~ 4) 2.0 ~ 3.0 V (100 mV级进) 精度±80 mV

    过放电解除电压n (n = 1 ~ 4) 2.0 ~ 3.4 V 精度±100 mV

  • 3段过电流检测功能

    过电流检测电压1 0.05 ~ 0.30 V (50 mV级进) 精度±25 mV

    过电流检测电压2 0.5 V 精度±100 mV

    过电流检测电压3 VC1 ( 1.2 V 精度±300 mV

  • 通过外接部件的容量可设置过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间和过电流检测延迟时间1 (过电流检测延迟时间2、过电流检测延迟时间3为内部固定)

  • 通过SEL端子可以实现3节串联用/4节串联用的切換

  • 通过控制端子可以控制充放电

  • 高耐压:绝对最大额定值 26 V

  • 宽工作电压范围:2 ~ 24 V

  • 宽工作温度范围:-40 ~ + 85 °C

  • 低消耗电流

    工作时 30 μA 最大值 (+ 25 °C)

    休眠时 0.1 μA 最大值 (+ 25 °C)

  • 无铅产品,Sn 100%,无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

 S8204A_2.pdf

 S8204A_1.pdf

S-8204A

3节/4节串联用电池保护IC S-8204A系列

描述:

  • S-8204A系列内置有高精度检测电路与延迟电路,单品可监视3节或4节串联锂离子可充电电池的状态。通过SEL端子,可以切换3节或4节串联电池。

  • 将S-8204A系列级联连接,则可保护6节以上的串联锂离子可充电电池组。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

    过充电检测电压n (n = 1 ~ 4) 3.8 ~ 4.6 V (进阶单位为50 mV) 精度±25 mV

    过充电解除电压n (n = 1 ~ 4) 3.6 ~ 4.6 V 精度±50 mV

    过放电检测电压n (n = 1 ~ 4) 2.0 ~ 3.0 V (进阶单位为100 mV) 精度±80 mV

    过放电解除电压n (n = 1 ~ 4) 2.0 ~ 3.4 V 精度±100 mV

  • 3段放电过电流检测功能

    过电流检测电压1   0.05 ~ 0.30 V (进阶单位为50 mV) 精度±15 mV

    过电流检测电压2   0.5 V (固定) 精度±100 mV

    负荷短路检测电压   1.0 V (固定) 精度±300 mV

  • 充电过电流检测功能

    充电过电流检测电压  -0.25 ~ -0.05 V (进阶单位为50 mV) 精度±30 mV

  • 通过外接电容可设置过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间、放电过电流检测延迟时间1、放电过电流检测延迟时间2、充电过电流检测延迟时间
    (负荷短路检测延迟时间为内部固定)

  • 通过SEL端子可以实现3节串联用/4节串联用的切换

  • 通过控制充电控制用端子和放电控制用端子可单独控制充放电

  • 高耐压:绝对最大额定值 24 V

  • 工作电压范围广:2 ~ 22 V

  • 工作温度范围广:Ta = -40 ~ + 85 °C

  • 消耗电流低

    工作时 33 μA 最大值 (Ta = + 25 °C)

    休眠时 0.1 μA 最大值 (Ta = + 25 °C)

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

 S8204B_1.pdf

 S8204B_2.pdf

S-8204B

3节/4节串联用电池保护IC S-8204B系列

描述:    

  • S-8204B系列内置有高精度检测电路与延迟电路,单品可监视3节或4节串联锂离子可充电电池的状态。通过SEL端子,可以切换3节或4节串联电池。

  • 将S-8204B系列级联连接,则可保护6节以上的串联锂离子可充电电池组。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

    过充电检测电压n (n = 1 ~ 4) 3.8 ~ 4.6 V (进阶单位为50 mV) 精度±25 mV

    过充电解除电压n (n = 1 ~ 4) 3.6 ~ 4.6 V 精度±50 mV

    过放电检测电压n (n = 1 ~ 4) 2.0 ~ 3.0 V (进阶单位为100 mV) 精度±80 mV

    过放电解除电压n (n = 1 ~ 4) 2.0 ~ 3.4 V 精度±100 mV (2) 3段过电流检测功能

    过电流检测电压1    0.05 ~ 0.30 V (进阶单位为50 mV) 精度±15 mV

    过电流检测电压2    0.5 V (固定) 精度±100 mV

    负荷短路检测电压 1.0 V (固定) 精度±300 mV

  • 通过外接电容可设置过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间、放电过电流检测延迟时间1和放电过电流检测延迟时间2 (负荷短路检测延迟时间为内部固定)

  • 通过SEL端子可以切换3节串联用/4节串联用

  • 通过控制充电控制用端子和放电控制用端子可单独控制充放电。

  • 高耐压:绝对最大额定值 24 V

  • 宽工作电压范围:2 ~ 22 V

  • 宽工作温度范围:− 40 ~ + 85 °C

  • 低消耗电流

    工作时 33 μA 最大值 (+ 25 °C)

    休眠时 0.1 μA 最大值 (+ 25 °C)

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

 S8225A_.pdf

S-8225A

3节 ~ 5节电池串联用电池监视IC S-8225A系列

描述:

  • S-8225A系列内置有高精度电压检测电路和延迟电路,可单品监视3节 ~ 5节串联锂离子可充电电池的状态。

  • 通过SEL1端子和SEL2端子可以切换3节 ~ 5节串联电池。

  • 将S-8225A系列级联连接,可保护6节以上的串联锂离子电池组。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

    过充电检测电压n (n = 1 ~ 5) : 3.5 V ~ 4.4 V (进阶单位为50 mV), 精度 ±20 mV (Ta = +25°C), ±30 mV (Ta =  0°C ~ +60°C)

    过充电解除电压n (n = 1 ~ 5) : 3.3 V ~ 4.4 V, 精度 ±50 mV

    过放电检测电压n (n = 1 ~ 5) : 2.0 V ~ 3.2 V (进阶单位为100 mV) , 精度 ±80 mV

    过放电解除电压n (n = 1 ~ 5) : 2.0 V ~ 3.4 V, 精度 ±100 mV

  • 通过外接电容可设置过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间

  • 通过SEL1端子和SEL2端子可以切换3节 ~ 5节串联电池

  • 可以进行级联连接

  • 通过CTLC端子来控制CO端子、CTLD端子来控制DO端子

  • CO端子和DO端子的输出电压限制为12 V (最大值)

  • 高耐压:绝对最大额定值 28 V

  • 工作电压范围广:4 V ~ 26 V

  • 工作温度范围广:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 (V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3.4 V) : 22 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 (V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 1.6 V) : 4.5 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

 S8225B_.pdf

S-8225B

3节 ~ 5节电池串联用电池监视IC S-8225B系列

描述:

  • S-8225B系列内置有高精度电压检测电路和延迟电路,可单品监视3节 ~ 5节串联锂离子可充电电池的状态。

  • 通过SEL1端子和SEL2端子可以切换3节 ~ 5节串联电池。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

    过充电检测电压n (n = 1 ~ 5) : 3.5 V ~ 4.4 V (进阶单位为50 mV), 精度 ±20 mV (Ta = +25°C), ±30 mV (Ta = 0°C ~ +60°C)

    过充电解除电压n (n = 1 ~ 5) : 3.3 V ~ 4.4 V , 精度 ±50 mV

    过放电检测电压n (n = 1 ~ 5) : 2.2 V ~ 3.2 V (进阶单位为100 mV) , 精度 ±80 mV

    过放电解除电压n (n = 1 ~ 5) : 2.2 V ~ 3.4 V , 精度 ±100 mV

  • 通过外接电容可设置过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间

  • 通过SEL1端子和SEL2端子可以切换3节 ~ 5节串联电池

  • 通过CTLC端子来控制CO端子、CTLD端子来控制DO端子

  • CO端子和DO端子的输出电压限制为12 V (最大值)

  • 可选择输出逻辑

  • 动态 “H”、动态 “L”

  • 高耐压:绝对最大额定值 28 V

  • 工作电压范围广:4 V ~ 26 V

  • 工作温度范围广:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 (V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3.4 V) : 20 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    休眠时 (V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 1.6 V) : 3.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

 S8205A_B.pdf

S-8205A/B

4节/5节电池串联用电池保护IC S-8205A/B系列

描述:

  • S-8205A/B 系列内置有高精度电压检测电路和延迟电路,可单品监视4 节或5 节串联锂离子可充电电池的状态。

  • 本IC 最适合于锂离子可充电电池的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

    过充电检测电压n (n = 1 ~ 5) 3.55 V ~ 4.50 V(进阶单位为50 mV) 精度± 25 mV

    过充电解除电压n (n = 1 ~ 5) 3.30 V ~ 4.50 V精度± 50 mV

    过放电检测电压n (n = 1 ~ 5) 2.0 V ~ 3.2 V (进阶单位为100 mV) 精度± 80 mV

    过放电解除电压n (n = 1 ~ 5) 2.0 V ~ 3.4 V 精度± 100 mV

  • 2段的放电过电流检测功能

    放电过电流检测电压 0.05 V ~ 0.30 V (进阶单位为50 mV) 精度± 15 mV

    负载短路检测电压 0.50 V ~ 1.0 V (进阶单位为100 mV) 精度± 100 mV

  • 充电过电流检测功能 · 充电过电流检测电压 -0.30 V ~ -0.05 V (进阶单位为50 mV) 精度± 30 mV

  • 通过外接电容可设置过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间、放电过电流检测延迟时间、充电过电流检测延迟 时间(负载短路检测延迟时间为内部固定)

  • S-8205A系列:4节串联用、S-8205B系列:5节串联用

  • 通过控制充电控制用端子和放电控制用端子可单独控制充/放电

  • 可以选择“有”⁄“无”休眠功能

  • 采用耐高压元件:绝对最大额定值 28 V

  • 宽工作电压范围:2 V ~ 24 V

  • 宽工作温度范围:-40°C ~ +85°C

  • 低消耗电流

    工作时 40 μA 最大值 (+25°C)

    休眠时 0.1 μA 最大值 (+25°C)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

 S8206A_.pdf

S-8206A

1节电池用电池保护IC (二级保护用) S-8206A系列

描述:

  • S-8206A系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的二级保护IC。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 3.50 V ~ 5.00 V (5 mV进阶)  精度±20 mV 

    过充电解除电压 3.10 V ~ 4.95 V  精度±50 mV

  • 检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容) 

  • 可选择输出逻辑:动态 “H”、动态 “L”

  • 可选择输出方式:CMOS输出、N沟道开路漏极输出

  • 工作温度范围广:Ta = – 40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 1.5 μA (典型值)、3.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8244_.pdf

S-8244

1~4节串联用电池保护IC(二级保护用) S-8244系列

描述:

  • S-8244系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的锂离子可充电池二级保护用IC。

  • 通过将各节电池之间加以短路,可适用于1~4节电池的串联连接。


特点:

  • 内置高精度电压检测电路

    过充电检测电压

    3.700 V~4.550 V: ±25 mV精度(+25°C)、(进阶单位为5 mV) ±50 mV精度(-40°C ~ +85°C)

    滞后

    可选择5种中的任意一种:0.38±0.1 V、0.25±0.07 V、0.13±0.04 V、0.045±0.02 V、无

  • 高耐压:绝对最大额定值 26 V

  • 宽工作电压范围:3.6 V ~ 24 V (过电压检测后延迟电路正常工作的范围)

  • 可通过外接部件的容量来设置检测时的延迟时间

  • 低消耗电流

    各节3.5 V时 3.0 μA 最大值(+25°C)

    各节2.3 V时 2.4 μA 最大值(+25°C)

  • 输出方式、输出逻辑

    可选择5种中的任意一种

    CMOS输出动态“H”

    CMOS输出动态“L”

    Pch开路漏极输出动态“L”

    Nch开路漏极输出动态“H”

    Nch开路漏极输出动态“L”

    (滞后0.045 V的产品为CMOS输出或者Nch开路漏极输出)

  • 无铅、Sn 100%、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组(二级保护用)

 S8213_.pdf

S-8213

2节 / 3节电池串联用电池保护 IC (二级保护用) S-8213系列

描述:

  • S-8213系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子可充电电池的二级保护IC。

  • 通过在VC3 – VSS间短路,可适用于2节 / 3节电池的串联连接。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测电路

  • 过充电检测电压n (n = 1 ~ 3)

    4.10 V ~ 4.50 V (进阶单位为50 mV)

    精度±25 mV (Ta = +25°C)

    精度±30 mV (Ta = 0°C ~ +60°C)

  • 过充电滞后电压n (n = 1 ~ 3)

    0 V ± 25 mV, -0.05 V ± 25 mV, -0.4 V ± 80 mV

  • 仅通过内置电路即可获得检测时的延迟时间 (不需要外接电容)

  • 可选择输出逻辑:输出动态 “H”、输出动态 “L”

  • 高耐圧:绝对最大额定值26 V

  • 工作电压范围广:3.6 V ~ 24 V

  • 工作温度范围广:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 低消耗电流

    各节电池VCUn – 1.0 V时 : 2.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

    各节电池2.0 V时 : 0.3 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池 (二级保护用)

 S8264A_B_C_.pdf

S-8264A/B/C

2 〜 4节电池串联用电池保护IC (二级保护用) S-8264A/B/C系列

描述:

  • S-8264A/B/C系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子可充电电池的二级保护IC。

  • 通过将各节电池间短路,可适用于2 ~ 4节电池的串联连接。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测电路

    过充电检测电压n (n = 1 ~ 4) 4.20 V ~ 4.80 V (进阶单位为50 mV) 精度±25 mV (+25°C) 精度±30 mV (-5°C ~ +55°C)

    过充电滞后电压n (n = 1 ~ 4) -0.52±0.21 V、-0.39±0.16 V、-0.26±0.11 V、-0.13±0.06 V、无电压

  • 仅通过内置电路即可获得检测时的延迟时间 (不需要外接电容)

  • 通过CTL端子的输出控制功能 (CTL端子在内部下拉) (S-8264A系列)
    通过CTL端子的输出控制功能 (CTL端子在内部上拉) (S-8264C系列)

  • 过充电检测后的输出闩锁功能 (S-8264B系列)

  • 输出方式、输出逻辑 CMOS输出动态 “H”

  • 高耐圧元器件:绝对最大额定值26 V

  • 宽工作电压范围:3.6 V ~ 24 V

  • 宽工作温度范围:-40°C ~ +85°C

  • 低消耗电流

    各节电池3.5 V时 5.0 μA 最大值 (+25°C)

    各节电池2.3 V时 4.0 μA 最大值 (+25°C)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池 (二级保护用)

 S8215A_.pdf

S-8215A

3节~5节电池串联用电池保护 IC (二级保护用) S-8215A系列

描述:

  • S-8215A系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子可充电电池的二级保护IC。

  • 通过将各节电池间短路,可适用于3节~5节电池的串联连接。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测电路

    过充电检测电压n (n = 1 ~ 5)

    3.60 V ~ 4.70 V (进阶单位为50 mV)

    精度±25 mV (+25°C时)

    精度±30 mV (−5°C ~ +55°C时)

    过充电滞后电压n (n = 1 ~ 5)

    0.0 mV ~ −550 mV (进阶单位为50 mV)

    −300 mV ~ −550 mV 精度为±20%

    −100 mV ~ −250 mV 精度为±50 mV

    0.0 mV ~ −50 mV 精度为±25 mV

  • 仅通过内置电路即可获得检测时的延迟时间 (不需要外接电容)

  • 可选择输出方式:CMOS输出、N沟道开路漏极输出、P沟道开路漏极输出

  • 可选择输出逻辑:输出动态“H”、 输出动态“L”

  • 高耐圧:绝对最大额定值28 V

  • 宽工作电压范围:3.6 V ~ 26 V

  • 宽工作温度范围:−40°C ~ +85°C

  • 低消耗电流

    各节电池Vcun − 1.0 V时 : 3.0 μA 最大值 (+25°C)

    各节电池2.3 V时 : 1.7 μA 最大值 (+25°C)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素 ( 详情请参阅“产品型号的构成”)


用途:

  • 锂离子可充电电池(二级保护用)

 S8259A_.pdf

S-8259A

1节电池用电池监视IC S-8259A系列

描述:

  • S-8259A系列是内置高精度检测电路和延迟电路的IC。

  • S-8259A系列最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电的监视。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 3.5 V ~ 4.6 V (5 mV进阶)  精度±20 mV

    过充电解除电压 3.1 V ~ 4.6 V  精度±50 mV 

    过放电检测电压 2.0 V ~ 3.4 V (10 mV进阶)  精度±50 mV 

    过放电解除电压 2.0 V ~ 3.4 V  精度±100 mV 

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容) 

  • 工作温度范围广:Ta = – 40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

    工作时 : 1.5 μA (典型值)、3.0 μA (最大值) (Ta = +25°C) 

    过放电时 : 2.0 μA (最大值) (Ta = +25°C) 

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8211E_.pdf

S-8211E

1节电池用电池保护IC S-8211E系列

描述:

  • S-8211E系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的IC。

  • 本IC最适用于监视1节电池用锂离子可充电池 / 锂聚合物可充电池 电池组的过充电和过放电。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 : 3.6 V ~ 4.5 V (以5 mV进阶)精度±25 mV (+25°C),精度±30 mV (-5°C ~ +55°C)

    过充电解除电压 : 3.5 V ~ 4.4 V 精度±50 mV

    过放电检测电压 : 2.0 V ~ 3.0 V (以10 mV进阶) 精度±50 mV

    过放电解除电压 : 2.0 V ~ 3.4 V 精度±100 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容):精度±20%

  • 宽工作温度范围:-40°C ~ +85°C

  • 低消耗电流

    工作时 3.0 μA 典型值、5.5 μA 最大值 (+25°C)

    过放电时 2.0 μA 典型值、3.5 μA 最大值 (+25°C)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 锂离子可充电池电池组

  • 锂聚合物可充电池电池组

 S8209A_.pdf

 S8209A_2.pdf

S-8209A

带电量平衡功能的电池保护用IC S-8209A系列

描述:

  • S-8209A系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的、用于保护锂离子/锂聚合物可充电电池的IC。

  • 由于配置了通信功能和2种电量平衡功能,因此也可用来构成多节串联电池的保护电路。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 3.9 V ~ 4.4 V (进阶单位为5 mV) 精度±25 mV

    过充电解除电压 3.8 V ~ 4.4 V 精度±50 mV

    电量平衡检测电压 3.9 V ~ 4.4 V (进阶单位为5 mV) 精度±25 mV

    电量平衡解除电压 3.8 V ~ 4.4 V 精度±50 mV

    过放电检测电压 2.0 V ~ 3.0 V (进阶单位为10 mV) 精度±50 mV

    过放电解除电压 2.0 V ~ 3.4 V 精度±100 mV

  • 可通过外接电容在输出端子上设定延迟时间

  • 可在CTLC、CTLD端子上控制充电、放电和电量平衡

  • 配置充电/放电的2种电量平衡功能

  • 宽工作温度范围:-40℃ ~ +85℃

  • 低消耗电流:7.0 μA 最大值

  • 无铅产品


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8209B_.pdf

 S8209B_2.pdf

S-8209B

带电量平衡功能的电池保护用IC S-8209B系列

描述:

  • S-8209B系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的、用于保护锂离子/锂聚合物可充电电池的IC。

  • 由于配置了通信功能和2种电量平衡功能,因此也可用来构成多节串联电池的保护电路。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    过充电检测电压 3.9 V ~ 4.4 V (进阶单位为5 mV) 精度±25 mV

    过充电解除电压 3.8 V ~ 4.4 V 精度±50 mV

    电量平衡检测电压 3.9 V ~ 4.4 V (进阶单位为5 mV) 精度±25 mV

    电量平衡解除电压 3.8 V ~ 4.4 V 精度±50 mV

    过放电检测电压 2.0 V ~ 3.0 V (进阶单位为10 mV) 精度±50 mV

    过放电解除电压 2.0 V ~ 3.4 V 精度±100 mV

  • 可通过外接电容在输出端子上设定延迟时间

  • 可在CTLC、CTLD端子上控制充电、放电和电量平衡

  • 配置充电/放电的2种电量平衡功能

  • 宽工作温度范围:-40℃ ~ +85℃

  • 低消耗电流:7.0 μA 最大值

  • 无铅产品


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8229_.pdf

S-8229

电池监视用IC S-8229系列

描述:

  • S-8229系列是使用CMOS技术开发的电池监视用IC。与以往的CMOS电压检测器相比,工作电压最高可达到24 V,最适用于需要耐高压的应用电路。

  • 因可检测三个电压值,所以可分阶段地确认电压的状况。


特点:

  • 检测电压精度:±1.0%

  • 滞后特性:VHYS1 ~ VHYS3 = 0 mV, 50 mV, 300 mV, 400 mV, 500 mV

  • 消耗电流

    工作时 : IDD1 = 9.0 μA (最大值) (-VDETtotal ≥42 V)

    IDD1 = 11.0 μA (最大值) (-VDETtotal <42 V)

    休眠时 :IDD2 = 0.1 μA (最大值)

  • 工作电压范围:VDD = 3.6 V ~ 24 V

  • 检测电压:-VDET1(S) ~ -VDET3(S)= 10.5 V ~ 21.5 V (进阶单位为0.1 V)

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出

  • 输出逻辑:完全充电时全输出为ON、完全充电时全输出为OFF

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

 S8239A_.pdf

S-8239A

多节电池串联用过电流监视IC S-8239A系列

描述:

  • S-8239A系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是多节电池串联用过电流监视IC。

  • S-8239A系列最适合于对锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过电流的保护。


特点:

  • 内置高精度电压检测电路

    过电流1检测电压 0.04 V ~ 0.30 V (10 mV进阶) 精度±15 mV

    过电流2检测电压 0.2 V ~ 0.7 V (100 mV进阶) 精度±100 mV

    过电流3检测电压 1.2 V (固定) 精度±300 mV

  • 内置三段过电流检测电路:过电流 1 、过电流 2 、过电流 3

  • 可选择过电流 3 检测功能:有、无

  • UVLO (欠压锁定) 功能:UVLO检测电压 2.0 V (固定) 精度±100 mV

  • 高耐压:VM端子、DO端子 : 绝对最大额定值 28 V

  • 各种延迟时间只需由内置电路来实现 ( 不需外接电容 )

  • 消耗电流低

    通常工作时 7.0 μA (最大值)

    UVLO工作时 6.0 μA (最大值)

  • 输出逻辑:动态 “L”, 动态 “H”

  • 工作温度范围广:Ta = – 40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8239B_.pdf

S-8239B

多节电池串联用过电流监视IC S-8239B系列

描述:

  • S-8239B系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是多节电池串联用过电流监视IC。

  • S-8239B系列最适合于对锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过电流的保护。


  • 特点:
    内置高精度电压检测电路

    过电流1检测电压0.04 V ~ 0.30 V (10 mV进阶) 精度±15 mV

    过电流2检测电压 0.1 V ~ 0.7 V (100 mV进阶) 精度±100 mV

    过电流3检测电压 1.2 V (固定) 精度±300 mV

  • 内置三段过电流检测电路:过电流1、过电流2、过电流3

  • 可选择过电流3检测功能:有、无

  • UVLO (欠压锁定) 功能:UVLO检测电压 : 2.0 V (固定) 精度±100 mV

  • 高耐压:VM端子、DO端子 : 绝对最大额定值 28 V

  • 各种延迟时间只需由内置电路来实现 ( 不需外接电容 )

  • 消耗电流低

    通常工作时 : 7.0 μA (最大值)

    休眠时 : 0.1 μA (最大值)

  • 输出逻辑:动态 “L”

  • 工作温度范围广:Ta = – 40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S8249_.pdf

S-8249

带电量平衡功能的电压监视用IC S-8249系列

描述:

  • S-8249系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的带电量平衡功能的电压监视用IC。

  • 本IC最适用于电池及电容器的电量平衡和过充电保护。


特点:

  • 高精度电压检测电路

    电量平衡检测电压: 2.0 V ~ 4.6 V (5 mV进阶)

    精度±12 mV (2.0 V≦Vbu<2.4 V), 精度±0.5% (2.4 V≦Vbu≦4.6 V)

    电量平衡解除电压: 2.0 V ~ 4.6 V

    精度±24 mV (2.0 V≦Vbl<2.4 V) , 精度±1.0% (2.4 V≦Vbl≦4.6 V)

    过充电检测电压: 2.0 V ~ 4.6 V (5 mV进阶) 

    精度±12 mV (2.0 V≦Vcu<2.4 V) , 精度±0.5% (2.4 V≦Vcu≦4.6 V)

    过充电解除电压: 2.0 V ~ 4.6 V

    精度±24 mV (2.0 V≦Vcl<2.4 V) , 精度±1.0% (2.4 V≦Vcl≦4.6 V)

  • 在CB端子 − VSS端子间内置通态电阻5 Ω (典型值) 的N沟道晶体管

  • 消耗电流:2.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

  • 可选择CO端子输出方式、输出逻辑

    CMOS输出 动态 “H”、动态 “L”

    N沟道开路漏极输出 动态 “H”、动态 “L”

  • 可通过CE端子切换为省电模式

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 可充电电池模块

  • 电容器模块

 S82U1A_C.pdf

S-82U1A

带报警功能 1节电池用电池保护IC S-82U1A系列

描述:

内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。通过使用外接过电流检测电阻,实现受温度变化影响小的高精度过电流保护。具有报警功能,可检测过充电检测之前的电压。

特点:

  • 高精度电压检测电路

 过充电检测电压 3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶) 精度±12 mV

 过充电解除电压 3.100 V ~ 4.800 V*1 精度±50 mV

 报警状态检测电压 3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶) 精度±12 mV

 报警滞后电压 0 V, 0.010 V, 0.020 V 精度±5 mV

 过放电检测电压 2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶) 精度±50 mV

 过放电解除电压 2.000 V ~ 3.400 V*2 精度±75 mV

 放电过电流1检测电压 3 mV ~ 100 mV (0.5 mV进阶) 精度±1 mV

 放电过电流2检测电压 10 mV ~ 100 mV (1 mV进阶) 精度±2 mV

 负载短路检测电压 20 mV ~ 100 mV (1 mV进阶) 精度±4.5 mV

 充电过电流检测电压 −100 mV ~ −3 mV (0.5 mV进阶) 精度±1 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

  • 放电过电流控制功能

 放电过电流状态解除条件 : 断开负载

 放电过电流状态解除电压 : 放电过电流解除电压 (VRIOV) = VDD × 0.8 (典型值)

  • 向0 V电池充电 : 允许、禁止

  • 休眠功能 : 有、无

  • 报警功能

 AO端子输出逻辑 : 动态 "H"、动态 "L"

 AO端子输出方式 : CMOS输出、N沟道开路漏极输出

 AO端子 = "L" 时的连接 : VSS端子、VM端子

 充电控制功能 : 有、无

  • 高耐压 : VM端子、CO端子、AO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

 工作时 : 2.5 μA (典型值)、5.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 过放电时 : 0.5 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S82L1A_C.pdf

S-82L1A

带报警功能 1节电池用电池保护IC S-82L1A系列

描述:

       内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。S-82L1A系列最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。

通过报警功能,可检测过充电检测之前的电压。


特点:

  • 高精度电压检测电路

 过充电检测电压 4.200 V ~ 4.600 V (5 mV进阶) 精度±12 mV

 过充电解除电压 4.000 V ~ 4.600 V*1 精度±50 mV

 过放电检测电压 2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶) 精度±50 mV

 过放电解除电压 2.000 V ~ 3.400 V*2 精度±100 mV

 报警状态检测电压 4.200 V ~ 4.600 V (5 mV进阶) 精度±12 mV

 放电过电流检测电压 0.003 V ~ 0.100 V (1 mV进阶) 精度±3 mV

 负载短路检测电压 0.010 V ~ 0.100 V (5 mV进阶) 精度±7 mV

 充电过电流检测电压 −0.100 V ~ −0.003 V (1 mV进阶) 精度±3 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

  • 放电过电流控制功能

 放电过电流状态解除条件 : 断开负载

 放电过电流状态解除电压 : VRIOV = VDD × 0.8 (典型值)

  • 向0 V电池充电 : 允许、禁止

  • 休眠功能 : 有、无

  • 报警功能

 AO端子输出逻辑 : 动态 "L"

 AO端子输出方式 : CMOS输出、N沟道开路漏极输出

 AO端子 = "L" 时的连接 : VSS端子、VM端子

  • 高耐压 : VM端子、CO端子、AO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

 工作时 : 800 nA (典型值)、1500 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 过放电时 : 500 nA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途 :

锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S82T1A_C.pdf

S-82T1A

带报警功能 1节电池用电池保护IC S-82T1A系列

描述:

内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。通过使用外接过电流检测电阻,实现受温度变化影响小的高精度过电流保护。通过报警功能,可检测过充电检测之前的电压。


特点:

  • 高精度电压检测电路

 过充电检测电压 3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶) 精度±12 mV

 过充电解除电压 3.100 V ~ 4.800 V*1 精度±50 mV

 报警状态检测电压 3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶) 精度±12 mV

 报警滞后电压 0 V, 0.010 V, 0.020 V 精度±5 mV

 过放电检测电压 2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶) 精度±50 mV

 过放电解除电压 2.000 V ~ 3.400 V*2 精度±75 mV

 放电过电流1检测电压 3 mV ~ 100 mV (0.5 mV进阶) 精度±1.5 mV

 放电过电流2检测电压 10 mV ~ 100 mV (1 mV进阶) 精度±3 mV

 负载短路检测电压 20 mV ~ 100 mV (1 mV进阶) 精度±5 mV

 充电过电流检测电压 −100 mV ~ −3 mV (0.5 mV进阶) 精度±1.5 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

  • 放电过电流控制功能

 放电过电流状态解除条件 : 断开负载

 放电过电流状态解除电压 : 放电过电流解除电压 (VRIOV) = VDD × 0.8 (典型值)

  • 向0 V电池充电 : 允许、禁止

  • 休眠功能 : 有、无

  • 报警功能

 AO端子输出逻辑 : 动态 "H"、动态 "L"

 AO端子输出方式 : CMOS输出、N沟道开路漏极输出

 AO端子 = "L" 时的连接 : VSS端子、VM端子

 充电控制功能 : 有、无

  • 高耐压 : VM端子、CO端子、AO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

 工作时 : 2.5 μA (典型值)、5.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 过放电时 : 0.5 μA (最大值) (Ta = +25°C) 

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组

 S82V1A_C.pdf

S-82V1A

带报警功能 1节电池用电池保护IC S-82V1A系列

描述:

       内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物。可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。通过使用外接过电流检测电阻,实现受温度变化影响小的高精度过电流保护。通过报警功能,可检测过充电检测之前的电压。


特点:

  • 高精度电压检测电路

 过充电检测电压 3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶) 精度±12 mV

 过充电解除电压 3.100 V ~ 4.800 V*1 精度±50 mV

 报警状态检测电压 3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶) 精度±12 mV

 报警滞后电压 0 V, 0.010 V, 0.020 V 精度±5 mV

 过放电检测电压 2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶) 精度±50 mV

 过放电解除电压 2.000 V ~ 3.400 V*2 精度±75 mV

 放电过电流1检测电压 3 mV ~ 100 mV (0.25 mV进阶) 精度±0.75 mV

 放电过电流2检测电压 6 mV ~ 100 mV (0.5 mV进阶) 精度±1.5 mV

 负载短路检测电压 20 mV ~ 100 mV (1 mV进阶) 精度±4 mV

 充电过电流检测电压 −100 mV ~ −3 mV (0.25 mV进阶) 精度±0.75 mV

  • 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

  • 放电过电流控制功能

 放电过电流状态解除条件 : 断开负载

 放电过电流状态解除电压 : 放电过电流解除电压 (VRIOV) = VDD × 0.8 (典型值)

  • 向0 V电池充电 : 允许、禁止

  • 休眠功能 : 有、无

  • 报警功能

 AO端子输出逻辑 : 动态 "H"、动态 "L"

 AO端子输出方式 : CMOS输出、N沟道开路漏极输出

 AO端子 = "L" 时的连接 : VSS端子、VM端子

 充电控制功能 : 有、无

  • 高耐压 : VM端子、CO端子、AO端子 : 绝对最大额定值28 V

  • 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

 工作时 : 2.5 μA (典型值)、5.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 过放电时 : 0.5 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组

  • 锂聚合物可充电电池组


 S82C4A_5A_C.pdf

S-82C4A/5A

4节 / 5节串联用电池保护IC S-82C4A/5A系列

描述:

内置温度保护电路、高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子可充电电池的保护IC。通过专用的连接端子外接NTC热敏电阻器,可进行温度保护。最适合于对4节 / 5节串联用锂离子可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

  • 针对各节电池的高精度电压检测功能

过充电检测电压n 3.900 V ~ 4.500 V (25 mV进阶) 精度±20 mV

过充电解除电压n 3.500 V ~ 4.500 V*1 精度±50 mV

过放电检测电压n 2.000 V ~ 3.200 V (100 mV进阶) 精度±50 mV

过放电解除电压n 2.000 V ~ 3.400 V*2 精度±100 mV

  • 3段放电过电流检测功能

放电过电流1检测电压 10 mV ~ 200 mV (5 mV进阶) 精度±5 mV

放电过电流2检测电压 20 mV ~ 300 mV (5 mV进阶) 精度±10 mV

负载短路检测电压 50 mV ~ 400 mV (10 mV进阶) 精度±20 mV

  • 充电过电流检测功能

充电过电流检测电压 −200 mV ~ −10 mV (5 mV进阶) 精度±5 mV

  • 放电过电流1检测延迟时间可通过外接电容设置 (其它延迟时间为内部固定)

  • 通过控制端子可以控制节能工作

  • 向0 V电池充电 : 允许、禁止

  • 休眠功能 : 有、无

  • 放电过电流状态解除条件 : 断开负载、连接充电器

  • CO端子、DO端子的输出电压限制为VC2端子电压 (S-82C5A系列)

  • 通过连接NTC热敏电阻器,可以进行充电时高温、低温、充放电时高温、低温4种不同温度的检测

高温充放电禁止温度 +40°C ~ +85°C (1°C进阶) 精度±3°C*3

高温充电禁止温度 +40°C ~ +85°C (1°C进阶) 精度±3°C*3

低温充电禁止温度 −40°C ~ +10°C (1°C进阶) 精度±3°C*3

低温充放电禁止温度 −40°C ~ +10°C (1°C进阶) 精度±3°C*3

  • 高耐压 : 绝对最大额定值28.0 V

  • 工作电压范围广 : 5.0 V ~ 24.0 V

  • 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

  • 消耗电流低

工作时 : 5.0 μA (典型值), 10 μA (最大值) (Ta = +25°C)

休眠时 : 0.1 μA (最大值) (Ta = +25°C)

节能时 : 0.1 μA (最大值) (Ta = +25°C)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 锂离子可充电电池组


 S82B1B_C.pdf

S-82B1B

1节电池组用节电功能电池保护IC S-82B1B系

描述:

S-82B1B系列是锂离子/锂聚合物充电电池的保护IC,内置高精度电压检测电路和延迟电路。适用于保护1节锂离子/锂聚合物可充电电池组免受过充电、过放电和过电流的影响。


特点:

• 高精度电压检测电路

过充电检测电压 3.500 V ~ 4.600 V (5 mV进阶)               精度±20 mV

过充电解除电压 3.100 V ~ 4.600 V*1                              精度±50 mV

过放电检测电压 2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶)             精度±50 mV

过放电解除电压 2.000 V ~ 3.400 V*2                              精度±100 mV

放电过电流检测电压1 0.010 V ~ 0.100 V (1 mV进阶)      精度±3 mV

放电过电流检测电压2 0.030 V ~ 0.200 V (1 mV进阶)      精度±5 mV

负载短路检测电压 0.050 V ~ 0.500 V (5 mV进阶)           精度±20 mV

充电过电流检测电压 −0.100 V ~ −0.010 V (1 mV进阶)   精度±3 mV

• 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

• 节电功能

可选择PS端子的控制逻辑 : 动态 "H"、动态 "L"

可选择PS端子的内部电阻连接 : 上拉、下拉

可选择PS端子的内部电阻值 : 1.0 MΩ、2.0 MΩ、3.0 MΩ、4.0 MΩ、5.0 MΩ

• 可选择向0 V电池充电的功能 : 允许、禁止

• 休眠功能

• 可选择放电过电流状态的解除条件 : 断开负载、连接充电器

• 可选择放电过电流状态的解除电压 : 放电过电流检测电压1 (VDIOV1)、

放电过电流解除电压 (VRIOV) = VDD × 0.8 (典型值)

• 高耐压 : VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

• 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 消耗电流低

工作时 : 2.0 μA (典型值)、4.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

节电时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压 − 过充电滞后电压

(过充电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.4 V的范围内以50 mV为进阶单位进行选择)

*2. 过放电解除电压 = 过放电检测电压 + 过放电滞后电压

(过放电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.7 V的范围内以100 mV为进阶单位进行选择)


用途:

• 锂离子可充电电池组

• 锂聚合物可充电电池组

 S1318_C.pdf

S-1318

5.5 V 输入、100 mA、95 nA 超低消耗电流稳压器 S-1318 系列

描述:

S-1318系列是采用CMOS技术开发的超低消耗电流、低压差的正电压型电压稳压器。消耗电流仅为95 nA (典型值),输出电压精度高达±1.0%,最适用于便携设备以及电池供电设备。


特点:

• 输出电压 : 1.2 V, 1.8 V, 2.2 V, 2.3 V, 2.5 V, 2.8 V, 3.0 V, 3.3 V

• 输入电压 : 1.7 V ~ 5.5 V

• 输出电压精度 : ±1.0% (1.2 V输出产品 : ±15 mV) (Ta = +25°C)

• 输入输出电压差 : 45 mV (典型值) (2.5 V输出产品、IOUT = 10 mA时) (Ta = +25°C)

• 消耗电流 : 

工作时 : 95 nA (典型值)

休眠时 : 2 nA (典型值)

• 输出电流 : 

可输出75 mA (1.2 V输出产品、VIN≥VOUT(S) + 1.0 V时)*1

可输出100 mA (1.8 V, 2.2 V, 2.3 V, 2.5 V, 2.8 V, 3.0 V, 3.3 V输出产品、VIN≥VOUT(S) + 1.0V时)*1

• 输入电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (大于或等于1.0 μF)

• 输出电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (大于或等于1.0 μF)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置ON / OFF控制电路 : 

能够延长电池的使用寿命

可选择放电分路功能的 "有" / "无"

可选择下拉功能的 "有" / "无"

• 工作温度范围 Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。


用途:

• 电池供电设备的稳压电源

• 便携通讯设备、数码相机、数码音响播放器的稳压电源

• 家用电器产品的稳压电源


 S1740_1741_C.pdf

S-1740/S-1741

5.5 V 输入、100 mA 稳压器,带电源电压分压输出 S-1740/1741 系列

描述:

S-1740/1741系列是采用CMOS技术开发的带电源分压输出功能、超低消耗电流、低压差的正电压型电压稳压器。稳压器部分的消耗电流仅为0.35 μA (典型值),输出电压精度高达±1.0%。

S-1740/1741系列备有电源分压输出功能。电源分压输出功能是指把稳压器的输入电压 (VIN) 分压为VIN/2或VIN/3,然后输出此电压的功能。例如,利用此功能可直接连接低压微机的A/D转换器,微机可监视电池电压。


特点:

稳压器部分

• 输出电压 : 在VOUT = 1.0 V ~ 3.5 V的范围内,以0.05 V为进阶单位来选择

• 输入电压 : VIN = 1.5 V ~ 5.5 V

• 输出电压精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V输出产品 : ±15 mV) (Ta = +25°C)

• 输入输出电压差 : 20 mV (典型值) (2.5 V输出产品、IOUT = 10 mA时) (Ta = +25°C)

• 工作时的消耗电流 : ISS1 = 0.35 μA (典型值) (Ta = +25°C)

• 输出电流 : 可输出100 mA (VIN≥VOUT(S) + 1.0 V时)*1

• 输入电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (大于或等于1.0 μF)

• 输出电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (1.0 μF ~ 100 μF)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

电源分压部分

• 输出电压 : 

2023-03-20 (S-1740系列)

VPMOUT = VIN/3 (S-1741系列)

• 工作时的消耗电流 : ISS1P = 0.15 μA (典型值) (Ta = +25°C)

• 输出电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (100 nF ~ 220 nF)

• 内置使能电路 : 可以延长电池的使用寿命

整体部分

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。


用途:

• 电池供电设备的稳压电源以及电池电压监视辅助

• 便携通讯设备、数码相机、数码音响播放器的稳压电源

• 家用电器产品的稳压电源


 S85S0P_C.pdf

S-85S0P

带电源分压输出功能 5.5 V输入、50 mA、静止时电流260 nA的 降压、同步整流DC-DC控制器 S-85S0P系列

描述:

S-85S0P系列导入了本公司独自的低消耗功率控制和COT (Constant On-Time) 控制,实现了极低消耗电流工作 (静止时电流 260 nA) 和高速过渡响应。它可通过PFM控制进行工作。在宽负载电流范围内可实现高效率,大力支持装载小型电池的移动设备以及可穿戴式设备的长时间驱动。


特点:

DC-DC转换器部分

• 消耗电流极低 : 静止时电流260 nA

• 效率 (100 μA负载时) : 90.5%

• 高速过渡响应 : COT控制

• 输入电压 : 2.2 V ~ 5.5 V

• 输出电压 : 

0.7 V ~ 2.5 V, 进阶单位为0.05 V

2.6 V ~ 3.9 V, 进阶单位为0.1 V

• 输出电压精度 : 

±1.5% (1.0 V≤VOUT≤3.9 V) 

±15 mV (0.7 V≤VOUT<1.0 V)

• 高侧端功率MOS FET导通电阻 : 420 mΩ

• 低侧端功率MOS FET导通电阻 : 320 mΩ

• 软启动功能: 1 ms (典型值)

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 1.8 V (典型值) (检测电压)

• 热敏关闭功能 : 135°C (典型值) (检测温度)

• 过载电流保护功能 : 300 mA (L = 2.2 μH时)

• 自动复归型短路保护功能 : Hiccup控制

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

电源分压部分

• 低消耗电流 : 280 nA (典型值)

• 输入电压 : 1.5 V ~ 5.5 V

• 输出电压 : 

 VIN/2 (S-85S0PCxx)

 VIN/3 (S-85S0PDxx)

整体部分

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素: 


 用途:

• 可穿戴式设备

• 蓝牙设备

• 无线传感器网络设备

• 医疗保健设备

• 智能型电表

• 便携游戏机设备


 S85S1P_C.pdf

S-85S1P

带电源分压输出功能 5.5V输入、200mA、静止时电流260nA的降压、同步整流DC-DC控制器 S-85S1P系列

描述:

S-85S1P系列导入了本公司独自的低消耗功率控制和COT (Constant On-Time) 控制,实现了极低消耗电流工作和高速过渡响应。通过PWM / PFM切换控制,在轻负载时可自动切换为PFM控制,静止时,可在260 nA的极低消耗电流下工作。在宽负载电流范围内可实现高效率,大力支持装载小型电池的移动设备以及可穿戴式设备的长时间驱动。


特点:

DC-DC转换器部分

• 消耗电流极低 : 静止时电流260 nA

• 效率 (100 μA负载时) : 90.5%

• 高速过渡响应 : COT控制

• 输入电压 : 2.2 V ~ 5.5 V

• 输出电压 : 

0.7 V ~ 2.5 V, 进阶单位为0.05 V

2.6 V ~ 3.9 V, 进阶单位为0.1 V

• 输出电压精度 : 

±1.5% (1.0 V≤VOUT≤3.9 V) 

±15 mV (0.7 V≤VOUT<1.0 V)

• 切换频率 : 1.0 MHz (PWM工作时)

• 高侧端功率MOS FET导通电阻 : 420 mΩ

• 低侧端功率MOS FET导通电阻 : 320 mΩ

• 软启动功能: 1 ms (典型值)

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 1.8 V (典型值) (检测电压)

• 热敏关闭功能 : 135°C (典型值) (检测温度)

• 过载电流保护功能 : 450 mA (L = 2.2 μH时)

• 自动复归型短路保护功能 : Hiccup控制

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

电源分压部分

• 低消耗电流 : 280 nA (典型值)

• 输入电压 : 1.5 V ~ 5.5 V

• 输出电压 : 

VIN/2 (S-85S1PCxx)

 VIN/3 (S-85S1PDxx)

整体部分

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素:


用途:

• 可穿戴式设备

• 蓝牙设备

• 无线传感器网络设备

• 医疗保健设备

• 智能型电表

• 便携游戏机设备


 S85S0A_C.pdf

S-85S0A

5.5 V输入、50 mA、静止时电流260 nA的 降压、同步整流DC-DC控制器 S-85S0A系列

描述:

S-85S0A系列导入了本公司独自的低消耗功率控制和COT (Constant On-Time) 控制,实现了极低消耗电流工作 (静止时电流260 nA) 和高速过度响应。它可通过PFM控制进行工作。在宽负载电流范围内可实现高效率,大力支持装载小型电池的移动设备以及可穿戴式设备的长时间驱动。


特点:

• 消耗电流极低: 静止时电流260 nA

• 效率 (100 μA负载时) : 90.5% 

• 高速过渡响应 : COT控制

• 输入电压 : 2.2 V ~ 5.5 V

• 输出电压 : 

0.7 V ~ 2.5 V, 进阶单位为0.05 V

2.6 V ~ 3.9 V, 进阶单位为0.1 V

• 输出电压精度 : 

±1.5% (1.0 V≤VOUT≤3.9 V)

±15 mV (0.7 V≤VOUT<1.0 V)

• 高侧端功率MOS FET导通电阻 : 420 mΩ

• 低侧端功率MOS FET导通电阻 : 320 mΩ

• 软启动功能: 1 ms (典型值)

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 1.8 V (典型值) (检测电压)

• 热敏关闭功能 : 135°C (典型值) (检测温度)

• 过载电流保护功能 : 300 mA (L = 2.2 μH时)

• 自动复归型短路保护功能 : Hiccup控制

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

• 可穿戴式设备

• 蓝牙设备

• 无绳传感器网络设备

• 医疗保健设备

• 智能型电表

• 便携游戏机设备


 S85S1A_C.pdf

S-85S1A

5.5 V输入、200 mA、静止时电流260 nA的 降压、同步整流DC-DC控制器 S-85S1A系列

描述:

S-85S1A系列导入了本公司独自的低消耗功率控制和COT (Constant On-Time) 控制,实现了极低消耗电流工作和高速过度响应。通过PWM / PFM切换控制,在轻负载时可自动切换为PFM控制,静止时,可在260 nA的极低消耗电流下工作。在宽负载电流范围内可实现高效率,大力支持装载小型电池的移动设备以及可穿戴式设备的长时间驱动。


特点:

• 消耗电流极低: 静止时电流260 nA

• 效率 (100 μA负载时) : 90.5%

• 高速过渡响应 : COT控制 

• 输入电压 : 2.2 V ~ 5.5 V

• 输出电压 : 

0.7 V ~ 2.5 V, 进阶单位为0.05 V

2.6 V ~ 3.9 V, 进阶单位为0.1 V 

• 输出电压精度 :  

±1.5% (1.0 V≤VOUT≤3.9 V)

±15 mV (0.7 V≤VOUT<1.0 V)

• 切换频率 : 1.0 MHz (PWM工作时)

• 高侧端功率MOS FET导通电阻 : 420 mΩ

• 低侧端功率MOS FET导通电阻 : 320 mΩ

• 软启动功能: 1 ms (典型值)

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 1.8 V (典型值) (检测电压)

• 热敏关闭功能 : 135°C (典型值) (检测温度)

• 过载电流保护功能 : 450 mA (L = 2.2 μH时)

• 自动复归型短路保护功能 : Hiccup控制

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

• 可穿戴式设备

• 蓝牙设备

• 无线传感器网络设备

• 医疗保健设备

• 智能型电表

• 便携游戏机设备


 S85M0A_C.pdf

S-85M0A

5.6 V输入、50 mA、静止时电流260 nA的 低EMI、降压、同步整流DC-DC控制器 S-85M0A系列 (WLP产品)

描述:

S-85M0A系列导入了本公司独自的低消耗功率控制和COT (Constant On-Time) 控制,实现了极低消耗电流工作 (静止时电流260 nA) 和高速过渡响应。它可通过PFM控制进行工作。在宽负载电流范围内可实现高效率,大力支持装载小型电池的移动设备以及可穿戴式设备的长时间驱动。


特点:

• 消耗电流极低: 静止时电流260 nA 

• 效率 (100 μA负载时) : 90.5% 

• 高速过渡响应 : COT控制 

• 输入电压 : 2.2 V ~ 5.6 V 

• 输出电压 : 0.7 V ~ 2.5 V, 进阶单位为0.05 V

2.6 V ~ 3.9 V, 进阶单位为0.1 V

• 输出电压精度 :

±1.5% (1.0 V≤VOUT≤3.9 V) 

±15 mV (0.7 V≤VOUT<1.0 V)

• 高侧端功率MOS FET导通电阻 : 360 mΩ

• 低侧端功率MOS FET导通电阻 : 250 mΩ

• 软启动功能: 1 ms (典型值)

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 1.8 V (典型值) (检测电压)

• 热敏关闭功能 : 135°C (典型值) (检测温度)

• 过载电流保护功能 : 300 mA (L = 2.2 μH时)

• 自动复归型短路保护功能 : Hiccup控制

• 放电分路功能 : 

无 (S-85M0A系列B型)

有 (S-85M0A系列C型)

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅、无卤素


用途:

• 可穿戴式设备

• 蓝牙设备

• 无线传感器网络设备

• 医疗保健设备

• 智能型电表

• 便携游戏机设备

• GPS设备


 S85M1A_C.pdf

S-85M1A

5.6 V输入、200 mA、静止时电流260 nA的 低EMI、降压、同步整流DC-DC控制器 S-85M1A系列 (WLP产品)

描述:

S-85M1A系列导入了本公司独自的低消耗功率控制和COT (Constant On-Time) 控制,实现了极低消耗电流工作和高速过渡响应。通过PWM / PFM切换控制,在轻负载时可自动切换为PFM控制,静止时,可在260 nA的极低消耗电流下工作。在宽负载电流范围内可实现高效率,大力支持装载小型电池的移动设备以及可穿戴式设备的长时间驱动。


特点:

• 消耗电流极低: 静止时电流260 nA

• 效率 (100 μA负载时) : 90.5%

• 高速过渡响应 : COT控制 

• 输入电压 : 2.2 V ~ 5.6 V

• 输出电压 : 

0.7 V ~ 2.5 V, 进阶单位为0.05 V

2.6 V ~ 3.9 V, 进阶单位为0.1 V 

• 输出电压精度 : 

±1.5% (1.0 V≤VOUT≤3.9 V) 

±15 mV (0.7 V≤VOUT<1.0 V) 

• 切换频率 : 1.0 MHz (PWM工作时)

• 高侧端功率MOS FET导通电阻 : 360 mΩ

• 低侧端功率MOS FET导通电阻 : 250 mΩ

• 软启动功能: 1 ms (典型值) 

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 1.8 V (典型值) (检测电压) 

• 热敏关闭功能 : 135°C (典型值) (检测温度) 

• 过载电流保护功能 : 450 mA (L = 2.2 μH时) 

• 自动复归型短路保护功能 : Hiccup控制

• 放电分路功能 : 

无 (S-85M1A系列B型) 

有 (S-85M1A系列C型) 

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +85°C 

• 无铅、无卤素


用途:

• 可穿戴式设备

• 蓝牙设备

• 无线传感器网络设备

• 医疗保健设备

• 智能型电表

• 便携游戏机设备

• GPS设备


 S82A2A_B_C_C.pdf

S-82A2A/S-82A2B/S-82A2C

2节电池串联用电池保护IC S-82A2A/B/C系列

描述:

内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。最适合于对2节串联锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。

通过使用外接过电流检测电阻,实现受温度变化影响小的高精度过电流保护。

S-82A2A/C系列备有充放电控制信号输入端子 (CTL端子),可通过外部信号进行充放电控制。

S-82A2B系列备有节电信号输入端子 (PS端子),可通过外部信号驱动节电功能,抑制消耗电流。


特点:

• 高精度电压检测电路

 过充电检测电压n          3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶)          精度±15 mV

 过充电解除电压n          3.100 V ~ 4.800 V*1                         精度±50 mV

 过放电检测电压n          2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶)        精度±50 mV

 过放电解除电压n          2.000 V ~ 3.400 V*2                         精度±75 mV

 放电过电流1检测电压   3 mV ~ 100 mV(0.5 mV进阶)       精度±1.0 mV

 放电过电流2检测电压   10 mV ~ 100 mV (1 mV进阶)           精度±3 mV

 负载短路检测电压        20 mV ~ 100 mV (1 mV进阶)           精度±5 mV

 充电过电流检测电压     −100 mV ~ −3 mV (0.5 mV进阶)     精度±1.0 mV

• 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

• 充放电控制功能 (S-82A2A/C系列)

 CTL端子控制逻辑 : 动态 "H"、动态 "L"

 CTL端子内部电阻连接 : 上拉、下拉

 CTL端子内部电阻值 : 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩ进阶)

• 节电功能 (S-82A2B系列)

 PS端子控制逻辑 : 动态 "H"、动态 "L"

 PS端子内部电阻值 : 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩ进阶)

• 向0 V电池充电 : 允许、禁止

• 休眠功能 : S-82A2A/C系列 : 有、无

 S-82A2B系列 : 有

• 高耐压 : VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

• 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 消耗电流低

 工作时 : 3.0 μA (典型值)、6.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 过放电时 : 1.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 节电时 (S-82A2B系列) : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压 − 过充电滞后电压

 (过充电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.4 V的范围内以50 mV为进阶单位进行选择)

*2. 过放电解除电压 = 过放电检测电压 + 过放电滞后电压

 (过放电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.7 V的范围内以100 mV为进阶单位进行选择)

备注 n = 1, 2


用途:

• 锂离子可充电电池组

• 锂聚合物可充电电池组


 S1222B_D_C.pdf

S-1222B/D

28 V输入、200 mA的 电压稳压器 S-1222B/D系列

描述:

S-1222B/D系列是采用高耐压CMOS工艺技术开发的高耐压、低消耗电流、高精度输出电压的正电压电压稳压器,内置了ON / OFF控制电路。

由于最大工作电压可高达28 V,而消耗电流却仅为6.5 μA (典型值),因此可在低消耗电流下工作。并且,由于内置了低通态电阻输出晶体管,所以输入输出电压差非常小,能够获得较大的输出电流。

为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。


特点:

• 输出电压 : 在2.3 V ~ 12.0 V的范围内,以0.1 V为进阶单位来选择

• 输入电压 : 3.0 V ~ 28 V

• 输出电压精度 : ±1.0% (Ta = +25°C)

• 消耗电流 : 

工作时 : 6.5 μA (典型值) (Ta = +25°C)

休眠时 : 0.1 μA (典型值) (Ta = +25°C)

• 输出电流 : 可输出200 mA (VIN≥VOUT(S) + 2.0 V时)*1

• 输入电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (大于或等于1.0 μF)

• 输出电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (1.0 μF ~ 100 μF)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度165°C (典型值)

• 内置ON / OFF控制电路 : 能够延长电池的使用寿命有放电分路功能

• 工作温度范围 Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅、Sn 100%、无卤素

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

用途:

• 产业机器的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

• 智能卡的稳压电源


 S1214_C.pdf

S-1214

工作温度105°C、36 V输入、1000 mA的电压稳压器 S-1214系列

描述:

S-1214系列是采用高耐压CMOS工艺技术开发的高耐压、低消耗电流、高精度输出电压的正电压电压稳压器。

最大工作电压可高达36 V,消耗电流却仅为5.0 μA (典型值),因此可在低消耗电流下工作。并且,由于内置了低通态电阻输出晶体管,所以输入输出电压差非常小,能够获得较大的输出电流。不仅备有可在IC内部设定输出电压型产品,还备有可通过外部电阻设定输出电压型的产品。

为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路


特点:

• 输出电压 (内部设定) : 1.8 V, 3.0 V, 3.3 V, 5.0 V, 8.0 V, 12.0 V, 15.0 V

• 输出电压 (外部设定) : 在1.8 V ~ 30.0 V的范围内,可通过外部电阻设定

• 输入电压 : 2.8 V ~ 36.0 V

• 输出电压精度 : ±1.0% (Ta = +25°C)

• 消耗电流 : 

工作时 : 5.0 μA (典型值) (Ta = +25°C)

休眠时 : 0.1 μA (典型值) (Ta = +25°C)

• 输出电流 : 可输出1000 mA (VIN≥VOUT(S) + 2.0 V时)*1

• 输入、输出电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (大于或等于1.0 μF)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流 (带输入输出电压差检测功能)

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度170°C (典型值)

• 内置ON / OFF控制电路 : 

能够延长电池的使用寿命

有放电分路功能

有下拉功能

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 产业机器的稳压电源

• 家电产品的稳压电源


 S8580AA_8580AB_8581AA_8581AB_C.pdf

S-8580AC/ S-8580AD/ S-8581AC/ S-8581AD

36 V输入、600 mA的降压、同步整流DC-DC控制器  S-8580AC/ S-8580AD/ S-8581AC/ S-8581ADV系列

描述:

S-8580/8581系列是使用高耐压CMOS工艺技术开发的降压型DC-DC控制器。

最大工作电压高达36 V,FB端子电压维持±1.5%的高精度。采用小型的HSNT-6(2025)等适于高密度安装的封装,为设备的小型化做出贡献。

可以通过选项选择PWM控制 (S-8580系列) 和PWM / PFM切换控制 (S-8581系列)。

S-8581系列在重负载时通过PWM控制工作,负载减轻时自动切换为PFM控制工作,实现了应对设备状态的高效率工作。此外,通过本公司独有的PWM / PFM切换技术,可以减小PFM控制时VOUT中发生的纹波电压。

S-8580/8581系列内置有同步整流电路,与以往的降压型DC-DC控制器相比,更易实现高效率化。还内置有保护IC或线圈免受过大负载电流损坏的过载电流保护电路、防止因发热导致IC受损的热敏关闭电路。


特点:

• 输入电压 : 4.0 V ~ 36.0 V

• 输出电压 (外部设定) : 

2.5 V ~ 30.0 V (S-8580系列) 

2.5 V ~ 12.0 V (S-8581系列)

• 输出电流 : 600 mA

• FB端子电压精度 : ±1.5%

• 效率 : 91%

• 振荡频率 : 2.2 MHz (典型值)

• 过载电流保护功能 : 1.2 A (典型值) (逐脉冲方式)

• 热敏关闭功能 : 170°C (典型值) (检测温度)

• 短路保护功能 : Hiccup控制、Latch控制

• 100%占空系数工作

• 软启动功能 : 5.8 ms (典型值)

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 3.35 V (典型值) (检测电压)

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

• 产业器械的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

 S8580AA_8580AB_8581AA_8581AB_C.pdf

S-8580AA/S-8580AB/S-8581AA/S-8581AB

36 V输入、600 mA的降压、同步整流DC-DC控制器S-8580AA/S-8580AB/S-8581AA/S-8581AB系列

描述:

S-8580/8581系列是使用高耐压CMOS工艺技术开发的降压型DC-DC控制器。

最大工作电压高达36 V,FB端子电压维持±1.5%的高精度。采用小型的HSNT-6(2025)等适于高密度安装的封装,为设备的小型化做出贡献。

可以通过选项选择PWM控制 (S-8580系列) 和PWM / PFM切换控制 (S-8581系列)。

S-8581系列在重负载时通过PWM控制工作,负载减轻时自动切换为PFM控制工作,实现了应对设备状态的高效率工作。此外,通过本公司独有的PWM / PFM切换技术,可以减小PFM控制时VOUT中发生的纹波电压。

S-8580/8581系列内置有同步整流电路,与以往的降压型DC-DC控制器相比,更易实现高效率化。还内置有保护IC或线圈免受过大负载电流损坏的过载电流保护电路、防止因发热导致IC受损的热敏关闭电路。


特点:

• 输入电压 : 4.0 V ~ 36.0 V

• 输出电压 (外部设定) : 

2.5 V ~ 30.0 V (S-8580系列)

2.5 V ~ 12.0 V (S-8581系列)

• 输出电流 : 600 mA

• FB端子电压精度 : ±1.5%

• 效率 : 91%

• 振荡频率 : 2.2 MHz (典型值)

• 过载电流保护功能 : 1.2 A (典型值) (逐脉冲方式)

• 热敏关闭功能 : 170°C (典型值) (检测温度)

• 短路保护功能 : Hiccup控制、Latch控制

• 100%占空系数工作

• 软启动功能 : 5.8 ms (典型值)

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 3.35 V (典型值) (检测电压)

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

• 产业器械的稳压电源

 • 家电产品的稳压电源


 S82C2B_C_C.pdf

S-82C2B/C

2节电池串联用电池保护IC S-82C2B/C系列

描述:

内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。最适合于对2节串联锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

• 高精度电压检测电路

 过充电检测电压n            3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶)            精度±20 mV

 过充电解除电压n            3.100 V ~ 4.800 V*1                           精度±50 mV

 过放电检测电压n            2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶)          精度±50 mV

 过放电解除电压n            2.000 V ~ 3.400 V*2                           精度±75 mV

 放电过电流1检测电压     3 mV ~ 400 mV (1 mV进阶)                精度±3.0 mV

 放电过电流2检测电压     10 mV ~ 400 mV (1 mV进阶)              精度±5 mV

 负载短路检测电压          20 mV ~ 800 mV (5 mV进阶)               精度±10 mV

 充电过电流检测电压       −400 mV ~ −3 mV (1 mV进阶)           精度±3.0 mV

• 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

• 充放电控制功能 (S-82C2B系列)

 CTL端子控制逻辑 : 动态 "H"、动态 "L"

 CTL端子内部电阻连接 : 上拉、下拉

 CTL端子内部电阻值 : 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩ进阶)

• 节电功能 (S-82C2C系列)

 PS端子控制逻辑 : 动态 "H"、动态 "L"

 PS端子内部电阻值 : 1 MΩ ~ 10 MΩ (1 MΩ进阶)

• 向0 V电池充电 : 允许、禁止

• 休眠功能 : 

  S-82C2B系列 : 有、无

  S-82C2C系列 : 有

• 高耐压 : VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

• 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 消耗电流低

 工作时 : 3.0 μA (典型值)、6.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 过放电时 : 1.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 节电时 (S-82C2C系列) : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压 − 过充电滞后电压

 (过充电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.4 V的范围内以50 mV为进阶单位进行选择)

*2. 过放电解除电压 = 过放电检测电压 + 过放电滞后电压

 (过放电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.7 V的范围内以100 mV为进阶单位进行选择)

备注 n = 1, 2


用途:

• 锂离子可充电电池组

• 锂聚合物可充电电池组

 S82P1B_C.pdf

S-82P1B

1节电池用电池保护IC S-82P1B系列

描述

内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。S-82P1B系列通过使用外接过电流检测电阻,实现受温度变化影响小的高精度过电流保护。


特点:

• 高精度电压检测电路

 过充电检测电压                             3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶)            精度±15 mV

 过充电解除电压                            3.100 V ~ 4.800 V*1                            精度±50 mV

 过放电检测电压                            2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶)          精度±50 mV

 过放电解除电压                            2.000 V ~ 3.400 V*2                            精度±75 mV

 放电过电流检测电压1                   3 mV ~ 100 mV (0.25 mV进阶)           精度±0.75 mV

 放电过电流检测电压2                   6 mV ~ 100 mV (0.5 mV进阶)             精度±2 mV

 负载短路检测电压                        20 mV ~ 100 mV (1 mV进阶)              精度±5 mV

 充电过电流检测电压                    −100 mV ~ −3 mV (0.25 mV进阶)       精度±0.75 mV

• 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

• 放电过电流控制功能

 放电过电流状态解除条件 : 断开负载

 放电过电流状态解除电压 : 放电过电流解除电压 (VRIOV) = VDD × 0.8 (典型值)

• 向0 V电池充电 : 允许、禁止

• 休眠功能 : 有、无

• 高耐压 : VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

• 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 消耗电流低

 工作时 : 2.0 μA (典型值)、4.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 过放电时 : 0.5 μA (最大值) (Ta = +25°C)

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压 − 过充电滞后电压

 (过充电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.4 V的范围内以50 mV为进阶单位进行选择)

*2. 过放电解除电压 = 过放电检测电压 + 过放电滞后电压

 (过放电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.7 V的范围内以100 mV为进阶单位进行选择) 


用途:

• 锂离子可充电电池组 

• 锂聚合物可充电电池组

 S82H4_C.pdf

S-82H4

带RTC用恒压输出端子 3节 / 4节电池串联用电池保护IC (二次保护用) S-82H4系列

描述:

内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子可充电电池的二次保护IC。通过将VC1端子 − VC2端子间短路,可适用于3节电池的串联连接。因备有了恒压输出电路,本IC可作为外接RTC (实时时钟IC) 的恒压电源使用。


特点:

• 针对各节电池的高精度电压检测电路

过充电检测电压n             3.600 V ~ 4.800 V (进阶单位为5 mV)        精度±15 mV (Ta = +25°C)、精度±20 mV (Ta = −10°C ~ +60°C)

过充电解除电压n*1          3.600 V ~ 4.800 V                                     精度±50 mV

VRTC端子关闭电压n        2.500 V ~ 2.800 V (进阶单位为100 mV)    精度±50 mV

• 延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

过充电检测延迟时间、VRTC端子关闭延迟时间 : 1 s, 2 s, 4 s, 6 s

• 过充电定时复位功能 : 有、无

• CO端子输出电压限于7.5 V (最大值)

• VRTC端子输出电压 1.800 V ~ 3.300 V (进阶单位为100 mV) 精度±2% (Ta = +25°C)

• VRTC端子输出电流 2 mA (最大值)

• 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 消耗电流低

工作时 (各节电池VCU − 1.0 V) : 4.0 μA (最大值)

VRTC端子关闭时 (各节电池VRSD − 1.0 V) : 1.0 μA (最大值)

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压 − 过充电滞后电压

(过充电滞后电压为在0 mV ~ 400 mV的范围内以50 mV为进阶单位来选择)

备注 1. 本IC的电池连接顺序受限制。如果需要电池连接顺序不受限制的产品时,请考虑采用S-82K3/K4系列。

2. n = 1, 2, 3, 4


用途:

• 锂离子可充电电池 (二次保护用)

 S82K3_K4_C.pdf

S-82K3/K4

带RTC用恒压输出端子 电池连接顺序自由 3节 / 4节电池串联用电池保护IC (二次保护用) S-82K3/K4系列

描述:

内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子可充电电池的二次保护IC。S-82K3系列可适用于3节电池串联,S-82K4系列可适用于4节电池串联;备有唤醒功能,可以自由的设置电池连接顺序;C可作为外接RTC (实时时钟IC) 的恒压电源使用。


特点:

• 针对各节电池的高精度电压检测电路

过充电检测电压n                      3.600 V ~ 4.800 V (进阶单位为5 mV)          精度±15 mV (Ta = +25°C)

                                                                                                                   精度±20 mV (Ta = −10°C ~ +60°C)

过充电解除电压n*1                   3.600 V ~ 4.800 V                                       精度±50 mV

VRTC端子关闭电压n                 2.500 V ~ 2.800 V (进阶单位为100 mV)       精度±50 mV

• 利用唤醒功能监测电池连接,以防止电池连接时CO端子的误输出

• 延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

过充电检测延迟时间、VRTC端子关闭延迟时间 : 1s, 2s, 4s, 6s

• 过充电定时复位功能 : 有、无

• CO端子输出电压限于7.5 V (最大值)

• VRTC端子输出电压     1.800 V ~ 3.300 V (进阶单位为100 mV )       精度±2% (Ta = +25°C)

• VRTC端子输出电流 2 mA (最大值)

• 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 消耗电流低

工作时 (各节电池VCU − 1.0 V) : 4.0 μA (最大值)

VRTC端子关闭时 (各节电池VRSD − 1.0 V) : 1.0 μA (最大值)

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压 − 过充电滞后电压

(过充电滞后电压为在0 mV ~ 400 mV的范围内以50 mV为进阶单位来选择)

备注 n = 1, 2, 3, 4


用途:

• 锂离子可充电电池 (二次保护用)


 S82Y1B_C.pdf

S-82Y1A

1节电池用电池保护IC S-82Y1B系列

描述:

C内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物

可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。

本IC通过使用外接过电流检测电阻,实现受温度变化影响小的高精度过电流保护。


特点:

• 高精度电压检测电路

 过充电检测电压                    3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶)                  精度±15 mV

 过充电解除电压                     3.100 V ~ 4.800 V*1                                精度±50 mV

 过放电检测电压                     2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶)               精度±50 mV

 过放电解除电压                     2.000 V ~ 3.400 V*2                                 精度±75 mV

 放电过电流1检测电压            3 mV ~ 50 mV (0.25 mV进阶)                  精度±0.5 mV

 放电过电流2检测电压            6 mV ~ 100 mV (0.5 mV进阶)                  精度±1.5 mV

 负载短路检测电压                 15 mV ~ 100 mV (1 mV进阶)                   精度±3.0 mV

 充电过电流检测电压              −50 mV ~ −3 mV (0.25 mV进阶)             精度±0.5 mV

• 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

• 放电过电流控制功能

 放电过电流状态的解除条件 : 断开负载

 放电过电流状态的解除电压 : 放电过电流状态的解除电压 (VRIOV) = VDD × 0.8 (典型值)

• 向0 V电池充电 : 允许、禁止

• 休眠功能 : 有、无

• 高耐压 : VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

• 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 消耗电流低

 工作时 : 2.0 μA (典型值)、4.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 过放电时 : 0.5 μA (最大值) (Ta = +25°C)

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压 − 过充电滞后电压

 (过充电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.4 V的范围内以50 mV为进阶单位进行选择)

*2. 过放电解除电压 = 过放电检测电压 + 过放电滞后电压

 (过放电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.7 V的范围内以100 mV为进阶单位进行选择)


用途:

• 锂离子可充电电池组

• 锂聚合物可充电电池组

 S82K1B_C.pdf

S-82K1B

1节电池用电池保护IC S-82K1B系列

描述:

S-82K1B系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。

S-82K1B系列最适合于对1节锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。

S-82K1B系列通过使用外接过电流检测电阻,实现受温度变化影响小的高精度过电流保护。


特点:

• 高精度电压检测电路

 过充电检测电压                    3.500 V ~ 4.600 V (5 mV进阶)                精度±15 mV

 过充电解除电压                    3.100 V ~ 4.600 V*1                                     精度±50 mV

 过放电检测电压                    2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶)             精度±50 mV

 过放电解除电压                    2.000 V ~ 3.400 V*2                               精度±75 mV

 放电过电流检测电压1           0.003 V ~ 0.100 V (0.5 mV进阶)             精度±1.0 mV

 放电过电流检测电压2           0.010 V ~ 0.100 V (1 mV进阶)                精度±3 mV

 负载短路检测电压                0.020 V ~ 0.100 V (1 mV进阶)                精度±5 mV

 充电过电流检测电压            −0.100 V ~ −0.003 V (0.5 mV进阶)         精度±1.0 mV

• 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

• 放电过电流控制功能

 放电过电流状态的解除条件 : 断开负载

 放电过电流状态的解除电压 : VRIOV = VDD × 0.8 (典型值)

• 向0 V电池充电 : 允许、禁止

• 休眠功能 : 有、无

• 高耐压 : VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

• 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 消耗电流低

 工作时 : 2.0 μA (典型值)、4.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 过放电时 : 0.5 μA (最大值) (Ta = +25°C)

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压 − 过充电滞后电压

 (过充电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.4 V的范围内以50 mV为进阶单位进行选择)

*2. 过放电解除电压 = 过放电检测电压 + 过放电滞后电压

 (过放电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.7 V的范围内以100 mV为进阶单位进行选择)


用途:

• 锂离子可充电电池组

• 锂聚合物可充电电池组

 S82C2A_C.pdf

S-82C2A

2节电池串联用电池保护IC S-82C2A系列

描述:

内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池的保护IC。最适合于对2节串联锂离子 / 锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和过电流的保护。


特点:

• 高精度电压检测电路

 过充电检测电压n                   3.500 V ~ 4.800 V (5 mV进阶)              精度±20 mV

 过充电解除电压n                   3.100 V ~ 4.800 V*1                             精度±50 mV

 过放电检测电压n                   2.000 V ~ 3.000 V (10 mV进阶)            精度±50 mV

 过放电解除电压n                   2.000 V ~ 3.400 V*2                             精度±75 mV

 放电过电流1检测电压            3 mV ~ 400 mV (1 mV进阶)                  精度±3 mV

 放电过电流2检测电压            10 mV ~ 400 mV (1 mV进阶)                精度±5 mV

 负载短路检测电压                 20 mV ~ 800 mV (5 mV进阶)                精度±10 mV

 充电过电流检测电压              −400 mV ~ −3 mV (1 mV进阶)             精度±3 mV

• 各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容)

• 向0 V电池充电 : 允许、禁止

• 休眠功能 : 有、无

• 放电过电流状态的解除条件 : 断开负载、连接充电器

• 放电过电流状态的解除电压 : 放电过电流解除电压 (VRIOV)、放电过电流1检测电压 (VDIOV1)

• 高耐压 : VM端子、CO端子 : 绝对最大额定值28 V

• 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 消耗电流低

 工作时 : 3.0 μA (典型值)、6.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

 休眠时 : 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)

 过放电时 : 2.0 μA (最大值) (Ta = +25°C)

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压 − 过充电滞后电压

 (过充电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.4 V的范围内以50 mV为进阶单位进行选择)

*2. 过放电解除电压 = 过放电检测电压 + 过放电滞后电压

 (过放电滞后电压为0 V或者可在0.1 V ~ 0.7 V的范围内以100 mV为进阶单位进行选择)

备注 n = 1, 2


用途:

• 锂离子可充电电池组

• 锂聚合物可充电电池组

存储器

 S93C46C_56C_66C_76C_86C_C.pdf

S-93C46C

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 存储器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 顺序读出功能

  • 电源电压低时禁止写入功能

  • 指令误识别的防止写入功能

  • 重写次数:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 数据保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出厂时数据:FFFFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 S93C46C_56C_66C_76C_86C_C.pdf

S-93C56C

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 存储器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 顺序读出功能

  • 电源电压低时禁止写入功能

  • 指令误识别的防止写入功能

  • 重写次数:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 数据保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出厂时数据:FFFFh

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 S93C46C_56C_66C_76C_86C_C.pdf

S-93C66C

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 存储器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 顺序读出功能

  • 电源电压低时禁止写入功能

  • 指令误识别的防止写入功能

  • 重写次数:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 数据保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出厂时数据:FFFFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 S93C46C_56C_66C_76C_86C_C.pdf

S-93C76C

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 存储器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 顺序读出功能

  • 电源电压低时禁止写入功能

  • 指令误识别的防止写入功能

  • 重写次数:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 数据保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出厂时数据:FFFFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 S93C46C_56C_66C_76C_86C_C.pdf

S-93C86C

3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C

描述:

  • 本IC是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 存储器容量

    S-93C46C : 1 K位 (64字 ×16位)

    S-93C56C : 2 K位 (128字 ×16位)

    S-93C66C : 4 K位 (256字 ×16位)

    S-93C76C : 8 K位 (512字 ×16位) (开发中)

    S-93C86C : 16 K位 (1024字 ×16位) (开发中)

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 顺序读出功能

  • 电源电压低时禁止写入功能

  • 指令误识别的防止写入功能

  • 重写次数:106 次 / 字(Ta = +85°C)

  • 数据保存期

    100年 (Ta = +25°C)

    50年 (Ta = +85°C)

  • 首次出厂时数据:FFFFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

 S93C46B_56B_66B_C.pdf

S-93C46B

3线串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。

  • 容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.8 V ~ 5.5 V

    写入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别的写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时

  • 存储器容量

    S-93C46B :1 K位

    S-93C56B :2 K位

    S-93C66B :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S93C46B_56B_66B_C.pdf

S-93C56B

3线串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。

  • 容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.8 V ~ 5.5 V

    写入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别的写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量

    S-93C46B :1 K位

    S-93C56B :2 K位

    S-93C66B :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S93C46B_56B_66B_C.pdf

S-93C66B

3线串行 EEPROM S-93C46B/56B/66B(1K/2K/4K位)

描述:

S-93C46B/56B/66B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。

容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是 64字 ×16位、128字 × 16位及256字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.8 V ~ 5.5 V

    写入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别的写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量

    S-93C46B :1 K位

    S-93C56B :2 K位

    S-93C66B :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S93C76A_C.pdf

S-93C76A

3线串行 EEPROM S-93C76A(8K位)

描述:

  • S-93C76A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量为8 K位,构成为512字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.8 v ~ 5.5 V

    写入:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc = 4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:10.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 重写次数:106次/字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时), 20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量:8 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S93C86B_C.pdf

S-93C86B

3线串行 EEPROM S-93C86B(16K位)

描述:

  • S-93C86B是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量为16 K位,构成为1024字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出: 1.8V ~ 5.5 V

    写入: 2.7V ~ 5.5 V

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc = 4.5V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 可连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别时写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量:16 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S93L46A_56A_66A_.pdf

S-93L46A

低电压工作3线串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93L46A/56A/66A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.6V ~ 5.5 V

    写入:1.8 V~ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别时写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量

    S-93L46A :1 K位

    S-93L56A :2 K位

    S-93L66A :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S93L46A_56A_66A_.pdf

S-93L56A

低电压工作3线串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93L46A/56A/66A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.6V ~ 5.5 V

    写入:1.8 V~ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别时写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量

    S-93L46A :1 K位

    S-93L56A :2 K位

    S-93L66A :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S93L46A_56A_66A_.pdf

S-93L66A

低电压工作3线串行 EEPROM S-93L46A/56A/66A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-93L46A/56A/66A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行E2PROM。容量有1 K、2 K及4 K位,构成分别是64字×16位、128字×16位及256字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.6V ~ 5.5 V

    写入:1.8 V~ 5.5 V (WRITE, ERASE), 2.7V ~ 5.5 V (WRAL, ERAL)

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:8.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • 指令误识别时写入防止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta =+85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta =+25℃时)

    20年(Ta =+85℃时)

  • 存储器容量

    S-93L46A :1 K位

    S-93L56A :2 K位

    S-93L66A :4 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S93L76A_.pdf

S-93L76A

低电压工作 3线串行 EEPROM S-93L76A(8K位)

描述:

  • S-93L76A是低电压工作、高速、低消耗电流和宽工作电压范围的串行3线E2PROM。容量为8 K位,构成为512字×16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。

  • 通讯方式为Microwire方式。


特点:

  • 工作电压范围

    读出:1.6 V ~ 5.5 V

    写入:1.8 V ~ 5.5 V(WRITE, ERASE), 2.7 ~ 5.5 V(WRAL, ERAL)

  • 工作频率:2.0 MHz(Vcc =4.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:10.0 ms (最大值)

  • 可以连续读出:电源电压低时写入禁止功能

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta = +85℃时)

  • 数据保存期

    100年(Ta = +25℃时)

    20年(Ta = +85℃时)

  • 存储器容量:8 K位

  • 首次出厂数据:FFFFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C02D_04D_08D_16D_.pdf

S-24C02D

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位,构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 页写入功能

    S-24C02D : 8节 / 页

    S-24C04D : 16节 / 页

    S-24C08D : 16节 / 页

    S-24C16D : 16节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 数据保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存储器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 写入保护:100%

  • 首次出厂时数据:FFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C02D_04D_08D_16D_.pdf

S-24C04D

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位,构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 页写入功能

    S-24C02D : 8节 / 页

    S-24C04D : 16节 / 页

    S-24C08D : 16节 / 页

    S-24C16D : 16节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 数据保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存储器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 写入保护:100%

  • 首次出厂时数据:FFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C02D_04D_08D_16D_.pdf

S-24C08D

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位,构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 页写入功能

    S-24C02D : 8节 / 页

    S-24C04D : 16节 / 页

    S-24C08D : 16节 / 页

    S-24C16D : 16节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 数据保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存储器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 写入保护:100%

  • 首次出厂时数据:FFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C02D_04D_08D_16D_.pdf

S-24C16D

2线串行EEPROM S-24C02D/04D/08D/16D (2K/4K/8K/16K 位)

描述:

  • 本IC是消耗电流低、工作电压范围广的2线串行EEPROM。容量为2 K位、4 K位、8 K位、16K位,构成为256字× 8位、512字× 8位、1024字× 8位、2048字× 8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.7 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz (最大值) (Vcc = 1.7 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 页写入功能

    S-24C02D : 8节 / 页

    S-24C04D : 16节 / 页

    S-24C08D : 16节 / 页

    S-24C16D : 16节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta = +25°C)

  • 数据保存期:100年 (Ta = +25°C)

  • 存储器容量

    S-24C02D: 2 K位

    S-24C04D : 4 K位

    S-24C08D : 8 K位

    S-24C16D : 16 K位

  • 写入保护:100%

  • 首次出厂时数据:FFh

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C32C_64C_.pdf

S-24C32C

2线串行 EEPROM S-24C32C/64C(32K/64K位)

描述:

  • S-24C32C/64C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。

  • 容量为32 K位、64 K位,构成为4096字×8位、8192字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率:400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-24C32C : 32 K位

    S-24C64C : 64 K位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C32C_64C_.pdf

S-24C64C

2线串行 EEPROM S-24C32C/64C(32K/64K位)

描述:

  • S-24C32C/64C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。

  • 容量为32 K位、64 K位,构成为4096字×8位、8192字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率:400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-24C32C : 32 K位

    S-24C64C : 64 K位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C128C_.pdf

S-24C128C

2线串行 EEPROM S-24C128C(128K位)

描述:

  • S-24C128C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为128 K位,构成为16384字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能:64字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率:400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量:128 K位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C256C_.pdf

S-24C256C

2线串行 EEPROM S-24C256C (256K位)

描述:

  • S-24C256C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为256 K位,构成为32768字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能 64字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率

    1.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 组(Ta =+25°C时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25°C时)

  • 存储器容量:256 K位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24C512C_.pdf

S-24C512C

2线串行 EEPROM S-24C512C (512K位)

描述:

  • S-24C512C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为512 K位,构成为65536字×8位。可进行页写入和顺序读出


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能 128字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率

    1.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 组(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量:512 K位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S24CM01C_.pdf

S-24CM01C

2线串行 EEPROM S-24CM01C (1M位)

描述:

  • S-24CM01C是低消耗电流、宽工作电压范围的2线串行E2PROM。容量为 1M位,构成为131072字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能:256字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率

    1.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

    400 kHz(Vcc = 1.6 V ~ 2.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子(SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数:106次 / 组(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量:1M位

  • 备有写入保护功能:100%

  • 首次出厂数据:FFh

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S34C04A_.pdf

S-34C04A

2线串行EEPROM用于DIMM SPD S-34C04A

描述:

  • 本IC是可在1.7 V ~ 3.6 V范围内工作,用于DIMM SPD的2线串行EEPROM。容量为4 K位,构成是2页 × 256字 × 8位。可进行页写入、顺序读出。

  • 本IC可在最大1.0 MHz的I2C-bus下工作。


特点:

  • 页写入:16节 / 页

  • 顺序读出:电源电压低时的禁止写入功能

  • 写入保护:可按每4块 (128字节 / 块) 设置软件保护

  • 重写次数:106次 / 字 (Ta = +25℃)

  • 数据保存期:100年 (Ta = +25℃)

  • 存储器容量:4 K位

  • 首次出厂时数据:FFh

  • 遵从JEDEC规范:EE1004-1

  • 消耗电流

    待机模式 : 3.0 μA (最大值)

    读出模式 : 0.4 mA (最大值)

    写入模式 : 2.0 mA (最大值)

  • 工作电压范围:1.7 V ~ 3.6 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vdd = 2.2 V ~ 3.6 V)

    400 kHz (最大值) (Vdd = 1.7 V ~ 3.6 V)

  • 噪声除去:备有施密特触发器、带噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 工作温度范围:Ta = −20℃ ~ +125℃

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C010A_020A_040A_.pdf

S-25C010A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI串行E2PROM。容量为1 K、2 K、4 K位,构成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:16字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • CMOS施密特输入(CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次/字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-25C010A : 1K位

    S-25C020A : 2K位

    S-25C040A : 4K位

  • 首次出厂数据:FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C010A_020A_040A_.pdf

S-25C020A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI串行E2PROM。容量为1 K、2 K、4 K位,构成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:16字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • CMOS施密特输入(CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次/字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-25C010A : 1K位

    S-25C020A : 2K位

    S-25C040A : 4K位

  • 首次出厂数据:FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C010A_020A_040A_.pdf

S-25C040A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A(1K/2K/4K位)

描述:

  • S-25C010A/020A/040A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI串行E2PROM。容量为1 K、2 K、4 K位,构成是128 × 8位、256 × 8位、 512 × 8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:16字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时写入禁止功能

  • CMOS施密特输入(CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次/字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-25C010A : 1K位

    S-25C020A : 2K位

    S-25C040A : 4K位

  • 首次出厂数据:FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C080A_.pdf

S-25C080A

CMOS SPI 8K 串行EEPROM S-25C080A(8K位)

描述:

  • S-25C080A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的SPI 串行E2PROM。容量为8 K位,构成是1024字×8位。

  • 可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc = 2.5 ~ 5.5 V)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量:8 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C160A_.pdf

S-25C160A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C160A(16K位)

描述:

  • S-25C160A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。

  • 容量为16 K位,构成是2048字×8位。 可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 时钟频率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次/字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(+25℃时)

  • 存储器容量:16 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C320A_640A_.pdf

S-25C320A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C320A/640A(32K/64K位)

描述:

  • S-25C320A/640A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。

  • 容量为32 K位、64 K位,构成为4096字×8位、8192字×8 位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-25C320A 32 K位

    S-25C640A 64 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C320A_640A_.pdf

S-25C640A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C320A/640A(32K/64K位)

描述:

  • S-25C320A/640A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。

  • 容量为32 K位、64 K位,构成为4096字×8位、8192字×8 位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时: 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时: 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量

    S-25C320A 32 K位

    S-25C640A 64 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C128A_.pdf

S-25C128A

CMOS SPI 串行EEPROM S-25C128A(128K位)

描述:

  • S-25C128A是高速、低消耗电流和宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。容量为128 K位,构成是16384字×8位。 可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 时钟频率:5.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:64字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能

    软件、硬件

    25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 字(Ta =+25℃时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25℃时)

  • 存储器容量:128 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C256A_.pdf

S-25C256A

SPI 串行EEPROM S-25C256A (256K位)

描述:

  • S-25C256A系列是高速、低消耗电流、宽工作电压范围的SPI串行E2PROM。容量为256 K位,构成是32768字×8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:10.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:64字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 组(Ta =+25°C时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25°C时)

  • 存储器容量:256 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25C512A_.pdf

S-25C512A

SPI 串行EEPROM S-25C512A (512K位)

描述:

  • S-25C512A系列是高速、低消耗电流、宽工作电压范围的SPI串行E2PROM。容量为512 K位,构成是65536字×8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:10.0 MHz(Vcc =2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

  • 页写入功能:128字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 组(Ta =+25°C时)

  • 数据保存期:100年(Ta =+25°C时)

  • 存储器容量:512 K位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 S25CM01A_.pdf

S-25CM01A

SPI 串行EEPROM S-25CM01A (1M位)

描述:

  • S-25CM01A系列是高速、低消耗电流、宽工作电压范围的SPI串行E2PROM。

  • 容量为1 M位,构成是131072字×8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

    读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

    写入时 : 1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:10.0 MHz( Vcc = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间:5.0 ms ( 最大值 )

  • 支持SPI模式( 0, 0 )&( 1, 1 )

  • 页写入功能:256字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护领域:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数:106次 / 组( Ta = +25°C时)

  • 数据保存期:100年( Ta = +25°C时)

  • 存储器容量:1 M位

  • 首次出厂数据:FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

传感器IC

 S58LM20A_.pdf

S-58LM20A

CMOS温度传感器IC S-58LM20A 系列

描述:

  • S-58LM20A系列是对温度变化能取得线性输出电压的高精度温度传感器IC。

  • 在芯片内集成了温度传感器、恒电流电路和运算放大器。

  • 使用温度范围是−55 ~ +130℃,与传统的热敏电阻器等的温度传感器相比线性优越,可以广泛应用于各种温度控制电路中。


特点:

  • 温度精度高±2.5℃(−55 ~ +130℃)

  • 输出电压与温度变化呈线性关系

    −11.77 mV/℃ 典型值

    Ta = −30℃ : 2.205 V典型值

    Ta = +30℃ : 1.515 V典型值

    Ta = 100℃ : 0.303 V典型值

  • 线性特性优异:±0.4 %典型值(−20 ~ +80℃)

  • 可以在较大的电源电压范围下工作

    VDD = 2.4 ~ 5.5 V(−30 ~ +130℃)

    VDD = 2.7 ~ 5.5 V(−55 ~ +130℃)

  • 消耗电流低

    4.5 μA典型值(+25℃)

    6.0 μA 最大值(−55 ~ +130℃)

  • 内置运算放大器

  • 以VSS为基准的输出电压

  • 无铅产品


用途:

  • 手机、无线设备等的高频电路特性的补正

  • 石英振荡器振荡频率的补正

  • LCD的对比度补正

  • 放大器增益的补正

  • 自动调焦电路的补正

  • 电池管理方面的温度检测

  • 充电电池、卤素灯等的过热保护

 S8110C_8120C_.pdf

S-8110C

CMOS温度传感器IC S-8110C/8120C系列

描述:

  • S-8110C/8120C系列是对温度变化能取得线性输出电压的高精度温度传感器IC。

  • 在芯片内集成了温度传感器、恒电流电路和运算放大器。

  • 使用范围为-40℃ ~ 100℃,与传统的热敏电阻器等的温度传感器相比线性优异、可以广泛应用于各种温度控制电路中。


特点:

  • 温度精度高

    S-8110C系列±5.0 ℃(-30 ~ 100 ℃)

    S-8120C系列 ±2.5 ℃(-30 ~ 100 ℃)

  • 输出电压与温度变化呈线性关系

    -8.20 mV/ ℃ 典型值 

    Ta=-30 ℃ : 1.951 V典型值

    Ta=30 ℃ : 1.474 V典型值

    Ta=100 ℃ : 0.882 V典型值

  • 线性特性优异:±0.5 %典型值(-20 ~ 80 ℃)

  • 可以在较大的电源电压范围下工作:Vdd=2.4~10.0 V

  • 消耗电流低:4.5 μA典型值(25 ℃)

  • 内置运算放大器

  • 以VSS为基准的温度电压输出

  • 无铅产品


用途:

  • 手机、无线设备等的高频电路特性的补正

  • 石英振动子振荡频率的补正

  • LCD的对比度补正

  • 放大器增益的补正

  • 自动调焦电路的补正

  • 电池管理方面的温度检测

  • 充电电池、卤素灯等的过热保护

 S8110C_8120C_.pdf

S-8120C

CMOS温度传感器IC S-8110C/8120C系列

描述:

  • S-8110C/8120C系列是对温度变化能取得线性输出电压的高精度温度传感器IC。

  • 在芯片内集成了温度传感器、恒电流电路和运算放大器。

  • 使用范围为-40℃ ~ 100℃,与传统的热敏电阻器等的温度传感器相比线性优异、可以广泛应用于各种温度控制电路中。


特点:

  • 温度精度高

    S-8110C系列±5.0 ℃(-30 ~ 100 ℃)

    S-8120C系列 ±2.5 ℃(-30 ~ 100 ℃)

  • 输出电压与温度变化呈线性关系

    -8.20 mV/ ℃ 典型值 

    Ta=-30 ℃ : 1.951 V典型值

    Ta=30 ℃ : 1.474 V典型值

    Ta=100 ℃ : 0.882 V典型值

  • 线性特性优异:±0.5 %典型值(-20 ~ 80 ℃)

  • 可以在较大的电源电压范围下工作:Vdd=2.4~10.0 V

  • 消耗电流低:4.5 μA典型值(25 ℃)

  • 内置运算放大器

  • 以VSS为基准的温度电压输出

  • 无铅产品


用途:

  • 手机、无线设备等的高频电路特性的补正

  • 石英振动子振荡频率的补正

  • LCD的对比度补正

  • 放大器增益的补正

  • 自动调焦电路的补正

  • 电池管理方面的温度检测

  • 充电电池、卤素灯等的过热保护

 S5813A_5814A_.pdf

S-5813A

CMOS温度传感器IC S-5813A/14A 系列

描述:

  • S-5813A/14A系列是对温度变化能取得线性输出电压的高精度温度传感器IC。

  • 在芯片内集成了温度传感器、恒电流电路和运算放大器。

  • 温度范围为 -40°C ~ +100°C,与传统的热敏电阻器等的温度传感器相比线性优异,可以广泛应用于各种温度控制电路中。


特点:

  • 温度精度高

    S-5813A系列 : ±5.0 ℃(-30 ~ 100 ℃)

    S-5814A系列 : ±2.5 ℃(-30 ~ 100 ℃)

  • 输出电压与温度变化呈线性关系

    −11.04 mV/ ℃ 典型值

    Ta=-30 ℃ : 2.582 V典型值

    Ta=+30 ℃ : 1.940 V典型值

    Ta=+100 ℃ : 1.145 V典型值

  • 线性特性优异:±0.5 %典型值(-20 ~ 80 ℃)

  • 可以在较大的电源电压范围下工作:Vdd=2.4~10.0 V(+25 ℃)

  • 消耗电流低:4.0 μA典型值(+25 ℃)

  • 内置运算放大器

  • 以Vss为基准的输出电压

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 手机、无线设备等的高频电路特性的补正

  • 石英振荡器振荡频率的补正

  • LCD的对比度补正

  • 放大器增益的补正

  • 自动调焦电路的补正

  • 电池管理方面的温度检测

  • 充电电池、卤素灯等的过热保护

 S5813A_5814A_.pdf

S-5814A

CMOS温度传感器IC S-5813A/14A 系列

描述:

  • S-5813A/14A系列是对温度变化能取得线性输出电压的高精度温度传感器IC。

  • 在芯片内集成了温度传感器、恒电流电路和运算放大器。

  • 温度范围为 -40°C ~ +100°C,与传统的热敏电阻器等的温度传感器相比线性优异,可以广泛应用于各种温度控制电路中。


  • 特点:
    温度精度高

    S-5813A系列 : ±5.0 ℃(-30 ~ 100 ℃

    S-5814A系列 : ±2.5 ℃(-30 ~ 100 ℃)

  • 输出电压与温度变化呈线性关系

    −11.04 mV/ ℃ 典型值

    Ta=-30 ℃ : 2.582 V典型值

    Ta=+30 ℃ : 1.940 V典型值

    Ta=+100 ℃ : 1.145 V典型值

  • 线性特性优异:±0.5 %典型值(-20 ~ 80 ℃)

  • 可以在较大的电源电压范围下工作:Vdd=2.4~10.0 V(+25 ℃)

  • 消耗电流低:4.0 μA典型值(+25 ℃)

  • 内置运算放大器

  • 以Vss为基准的输出电压

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 手机、无线设备等的高频电路特性的补正

  • 石英振荡器振荡频率的补正

  • LCD的对比度补正

  • 放大器增益的补正

  • 自动调焦电路的补正

  • 电池管理方面的温度检测

  • 充电电池、卤素灯等的过热保护

 S5851A_.pdf

S-5851A

2线 数字温度传感器 S-5851A系列

描述:

  • S-5851A系列是2线串行输入输出的数字温度传感器。可不需外接部件,利用0.0625℃的分解能来测量温度。

  • 可适用于多种多样的应用电路,进行宽范围的温度测量。在同一芯片中集成了温度传感器、基准电压发生电路、ΔΣ型AD转换器和接口总线,且将它们收容在超小型的SNT-6A及SOT-23-6封装中。


特点:

  • 低电压工作:VDD (最小值) = 2.7 V

  • 低消耗电流

    45 μA 典型值 (+25℃)

    1 μA 典型值 (+25℃、休眠时)

  • 高精度

    ±2.0℃ (最大值) -25℃ ~ +85℃

    ±3.0℃ (最大值) -40℃ ~ +125℃

  • 温度分解能:0.0625℃

  • 数字输出:2线串行接口

  • 最大工作频率:400 kHz

  • 内置低电源电压检测电路

  • 无铅产品


用途:

  • 电源温度监测器

  • 电池温度监测器

  • 空调系统

  • 各种电子设备

 S5852A_.pdf

S-5852A

带温度比较功能 高精度 数字温度传感器 S-5852A系列

描述:

  • S-5852A系列是可在1.7 V ~ 3.6 V范围内工作的带温度比较功能高精度数字温度传感器。

  • S-5852A系列采用I2C-bus的接口与外部连接,可在最大1.0 MHz的频率下工作。

  • 通过使用可由I2C-bus设定的温度比较功能,输出温度检测信号。并能够通过使用可由I2C-bus设定的休眠模式,来减少消耗电流。


特点:

  • 温度精度

    ±0.5°C(典型值)/±1.0°C(最大值) (Ta = 0°C~+65°C)

    ±0.5°C(典型值)/±1.0°C(最大值) (Ta = +75°C~+95°C)

  • 温度分辨率:0.5°C, 0.25°C, 0.125°C, 0.0625°C(可由分辨率寄存器来选择)

  • 温度采样率:7 次 / 秒 (最小值)

  • 可选择滞后幅度:无滞后、1.5°C、3.0°C、6.0°C

  • 消耗电流

    串行总线非动态时休眠模式: 0.3 μA (典型值), 3.0 μA (最大值)

    串行总线非动态时动态模式: 40 μA (典型值), 100 μA (最大值)

  • 工作电压范围:1.7 V ~ 3.6 V

  • 工作频率

    1.0 MHz (最大值) (Vdd = 2.2 V ~ 3.6 V)

    400 kHz (最大值) (Vdd = 1.7 V ~ 2.2 V)

  • 温度比较功能:双阈值模式、单阈值模式、OFF (可由设定寄存器来选择)

  • 噪声抑制:备有施密特触发器、带噪声滤波器输入端子 (SCL、SDA)

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +125°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 固态硬盘

  • 硬盘驱动器

  • 笔记本电脑、平板电脑

  • 冰箱

  • 空调系统

 S5855A_.pdf

S-5855A

PWM输出温度传感器IC S-5855A系列

描述:

  • S-5855A 系列是采用CMOS 技术开发的低消耗电流、单线式PWM 输出温度传感器IC。它可随温度的变化而改变占空系数。

  • 当超过所需温度时,占空系数从100%开始减少。占空系数可随着温度的上升直线下降。

  • 输出方式有CMOS 输出和N 沟道开路漏极输出可选择。

  • 采用了SNT-4A 及SOT-23-5 小型封装,可进行高密度的安装。


特点:

  • PWM 输出:单线式PWM 接口

  • 温度精度:±3.0°C

  • 占空系数开始产生变化的温度

    在+40°C ~ +80°C 的范围内,可以10°C 为进阶单位来进行选择

  • 占空系数的温度灵敏度

    在-1 %/°C ~ -4 %/°C 的范围内,可以1 %/°C 为进阶单位来进行选择

  • 低消耗电流:在Ta = +25°C 时,IDD = 50 μA (典型值)

  • 低电源电压工作:1.65 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:-40°C ~ +125°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • LED 器械的温度补充

 S5840B_.pdf

S-5840B

带闩锁功能的温度开关IC S-5840B 系列

描述:

  • S-5840B 系列内置有温度精度为±2.5°C 的半导体温度传感器,是具有闩锁功能的用于温度检测的温度开关IC。当达到检测温度时输出会翻转,直到检测到电源电压下降为止,输出信号会保持闩锁的状态。

  • 从低电源电压1.0 V 开始工作,由于是CMOS 构成因此消耗电流低(12μA 典型值)。并在同一芯片中集成了带有负温度系数的温度传感器、基准电压发生电路、比较器、电压检测电路和噪声保护电路等,且将它们收容在SOT-23-5 封装中。

  • 使用温度范围是−40 ~ +100°C,温度控制的应用范围很广。


特点:

  • 检测温度:+55 ~ +95°C、进阶单位为1°C 检测精度±2.5°C

  • 广范围工作电压:VDD = 1.0 ~ 10.0 V

  • 解除电压2.2 ~ 3.4 V、进阶单位为0.1 V

  • 低消耗电流:12 μA 典型值(+25°C)

  • 内置防止温度检测误工作电路

  • 温度检测后以闩锁方式固定输出逻辑

  • 可以选择动态“H”或者动态“L”的输出逻辑

  • 可以选择CMOS 输出或者Nch 漏极开路输出

  • 无铅产品


用途:

  • 游戏机设备

  • 各种电子设备

 S5844A_.pdf

S-5844A

温度开关IC S-5844A系列

描述:

  • S-5844A系列是以±2.5°C为温度精度进行温度检测的温度开关IC (恒温器IC)。

  • 当达到检测温度时输出会反转,温度会降低到解除温度,从而使输出恢复为原始状态。

  • 由于是CMOS构成,因此可从1.65 V的低电源电压开始工作,且消耗电流低 (0.18 μA (典型值))。

  • 在同一芯片中集成了带有负温度系数的温度传感器、基准电压发生电路和比较器,且将它们收容在SOT-23-5、SNT-4A封装,以及超小型的HSNT-4 (1010) 封装中。


特点:

  • 检测温度:+50°C ~ +100°C进阶单位为5°C;检测精度±2.5°C

  • 低电压工作:1.65 V (最小值)

  • 低消耗电流:0.18 μA 典型值 (Ta = +25°C)

  • 滞后温度:可切换为5°C;10°C;15°C和20°C

  • 可选择动态”H”或动态”L”的输出逻辑

  • 可选择CMOS输出或N沟道开路漏极输出

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 风机控制

  • 空调系统

  • 手机

  • 游戏机

  • 各种电子设备

 S5841_.pdf

S-5841

温度开关IC S-5841 系列

描述:

  • S-5841系列是内置有温度精度为±2.5℃的半导体温度传感器的、用于温度检测的温度开关IC。当达到检测温度时输出会反转,温度会降低到解除温度,从而使输出恢复为原始状态。

  • 由于是CMOS构成,因此可从2.2 V的低电源电压开始工作,且消耗电流低(10 μA典型值)。

  • 在同一芯片中集成了带有负温度系数的温度传感器、基准电压发生电路和比较器,且将它们收容在超小型的SNT-6A以及SOT-23-5封装中。


特点:

  • 检测温度:+40 ~ +100℃、 进阶单位为1℃ 检测精度 ±2.5℃

  • 低电压工作

    VDD (最小值) = 2.2 V (检测温度 = +55 ~ +100°C)

    VDD (最小值) = 2.6 V (检测温度 = +40 ~ +54°C)

  • 低消耗电流:10 μA典型值 (Ta = 25℃)

  • 滞后温度可切换为0℃、2℃、4℃和10℃

  • 可选择动态“H”或动态“L”的输出逻辑

  • 可选择CMOS输出或N沟道开路漏极输出

  • 无铅产品


用途:

  • 风机控制

  • 空调系统

  • 各种电子设备

 S5843A_.pdf

S-5843A

温度开关IC S-5843A 系列

描述:

  • S-5843A系列是以±2.5℃为温度精度进行温度检测的温度开关IC。当达到检测温度时输出会反转,温度会降低到解除温度,从而使输出恢复为原始状态。

  • 由于是CMOS构成,因此可从1.65 V的低电源电压开始工作,且消耗电流低(4.5 μA典型值)。

  • 在同一芯片中集成了带有负温度系数的温度传感器、基准电压发生电路和比较器,且将它们收容在超小型的SNT-6A以及SOT-23-5封装中。


特点:

  • 检测温度:+40℃ ~ +120℃、进阶单位为+1℃、检测精度 ±2.5℃

  • 低电压工作:VDD (最小值) = 1.65 V

  • 低消耗电流:4.5 μA 典型值 (Ta = +25℃)

  • 滞后温度:可切换为2℃、4℃、10℃和20℃

  • 可选择动态“H”或动态“L”的输出逻辑

  • 可选择CMOS输出或N沟道开路漏极输出

  • 备有防止误检测工作、误解除工作的功能

  • 无铅产品


用途:

  • 风机控制

  • 空调系统

  • 手机

  • 游戏机

  • 各种电子设备

 S5842A_.pdf

S-5842A

双阈值温度开关IC S-5842A系列

描述:

  • S-5842A 系列是检测两点的温度的双阈值温度开关IC。

  • 从电源电压2.5 V 开始工作,消耗电流低至10 μA 典型值。

  • 在同一芯片中集成了负温度系数的温度传感器、基准电压发生电路和比较器,且将它们收容在SNT-6A 及SOT-23-6 小型封装中。


特点:

  • 检测温度范围:-10℃ ~ +110℃、进阶单位为+1℃

  • 检测温度精度:±2.5℃ (仅为单方的检测温度)

  • 低电压工作

    VDD (最小值) = 2.5 V (检测温度 = +20℃ ~ +110℃)

    VDD (最小值) = 2.7 V (检测温度 = 0℃ ~ +110℃)

    VDD (最小值) = 2.8 V (检测温度 = -10℃ ~ +110℃)

  • 低消耗电流:10 μA 典型值 (+25℃)

  • 工作温度范围:-40℃ ~ +125℃

  • 可选择输出类型、输出逻辑和输出方式

  • 无铅产品


用途:

  • 风机控制

  • 空调系统

  • 各种电子设备

 S5712A_.pdf

S-5712AxD

两极 / 单极检测型 霍尔IC S-5712 系列

描述:

  • S-5712系列是采用CMOS技术开发的可对应低电压工作、可低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开 / 关进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3或超小型的SNT-4A封装,因此可高密度安装。

  • S-5712系列因为是低电压工作、消耗电流低,所以最适用于电池驱动的便携设备。同时,因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态 “L”、动态 “H”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出、CMOS输出

  • 磁气灵敏度

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 4.5 mT (典型值)

  • 驱动周期 (消耗电流)

    检测两极产品 tcycle = 5.70 ms (12.0μA)  (典型值)

    tcycle = 50.50 ms (2.0μA)  (典型值)

    检测S极、N极产品

    tcycle = 6.05 ms (6.0μA)  (典型值)

    tcycle = 50.85 ms (1.4μA)  (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 1.6 V to 3.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C to +85°C

  • 无铅 (Sn 100% ),无卤素


用途:

  • 手机、智能手机

  • 笔记本电脑、平板电脑

  • 数码摄像机

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

 S5712B_.pdf

S-5712BxD

两极/单极检测型 霍尔IC S-5712 系列

描述:

  • S-5712系列是采用CMOS技术开发的可对应低电压工作、可低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开 / 关进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3或超小型的SNT-4A封装,因此可高密度安装。

  • S-5712系列因为是低电压工作、消耗电流低,所以最适用于电池驱动的便携设备。同时,因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态 “L”、动态 “H”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出、CMOS输出

  • 磁气灵敏度

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 4.5 mT (典型值)

  • 驱动周期 (消耗电流)

    检测两极产品 tcycle = 5.70 ms (12.0μA)  (典型值)

    tcycle = 50.50 ms (2.0μA)  (典型值)

    检测S极、N极产品

    tcycle = 6.05 ms (6.0μA)  (典型值)

    tcycle = 50.85 ms (1.4μA)  (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 1.6 V to 3.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C to +85°C

  • 无铅 (Sn 100% ),无卤素


用途:

  • 手机、智能手机

  • 笔记本电脑、平板电脑

  • 数码摄像机

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

 S5712C_.pdf

S-5712CxD

两极/单极检测型 霍尔IC S-5712 系列

描述:

  • S-5712系列是采用CMOS技术开发的可对应低电压工作、可低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开 / 关进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3或超小型的SNT-4A封装,因此可高密度安装。

  • S-5712系列因为是低电压工作、消耗电流低,所以最适用于电池驱动的便携设备。同时,因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态 “L”、动态 “H”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出、CMOS输出

  • 磁气灵敏度

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 4.5 mT (典型值)

  • 驱动周期 (消耗电流)

    检测两极产品 tcycle = 5.70 ms (12.0μA)  (典型值)

    tcycle = 50.50 ms (2.0μA)  (典型值)

    检测S极、N极产品

    tcycle = 6.05 ms (6.0μA)  (典型值)

    tcycle = 50.85 ms (1.4μA)  (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 1.6 V to 3.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C to +85°C

  • 无铅 (Sn 100% ),无卤素


用途:

  • 手机、智能手机

  • 笔记本电脑、平板电脑

  • 数码摄像机

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

 S5712Ax_.pdf

S-5712AxS/N

两极/单极检测型 霍尔IC S-5712 系列

描述:

  • S-5712系列是采用CMOS技术开发的可对应低电压工作、可低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开 / 关进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3或超小型的SNT-4A封装,因此可高密度安装。

  • S-5712系列因为是低电压工作、消耗电流低,所以最适用于电池驱动的便携设备。同时,因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态 “L”、动态 “H”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出、CMOS输出

  • 磁气灵敏度

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 4.5 mT (典型值)

  • 驱动周期 (消耗电流)

    检测两极产品 tcycle = 5.70 ms (12.0μA)  (典型值)

    tcycle = 50.50 ms (2.0μA)  (典型值)

    检测S极、N极产品

    tcycle = 6.05 ms (6.0μA)  (典型值)

    tcycle = 50.85 ms (1.4μA)  (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 1.6 V to 3.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C to +85°C

  • 无铅 (Sn 100% ),无卤素


用途:

  • 手机、智能手机

  • 笔记本电脑、平板电脑

  • 数码摄像机

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

 S5712_Cx.pdf

S-5712CxS/N

两极/单极检测型 霍尔IC S-5712 系列

描述:

  • S-5712系列是采用CMOS技术开发的可对应低电压工作、可低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开 / 关进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3或超小型的SNT-4A封装,因此可高密度安装。

  • S-5712系列因为是低电压工作、消耗电流低,所以最适用于电池驱动的便携设备。同时,因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态 “L”、动态 “H”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出、CMOS输出

  • 磁气灵敏度

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 4.5 mT (典型值)

  • 驱动周期 (消耗电流)

    检测两极产品 tcycle = 5.70 ms (12.0μA)  (典型值)

    tcycle = 50.50 ms (2.0μA)  (典型值)

    检测S极、N极产品

    tcycle = 6.05 ms (6.0μA)  (典型值)

    tcycle = 50.85 ms (1.4μA)  (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 1.6 V to 3.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C to +85°C

  • 无铅 (Sn 100% ),无卤素


用途:

  • 手机、智能手机

  • 笔记本电脑、平板电脑

  • 数码摄像机

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

 S5717_.pdf

S-5717AxD

低电压工作 两极/单极检测型 霍尔IC S-5717系列

描述:

  • S-5717系列是采用CMOS技术开发的可对应低电压工作、可低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开 / 关进行检测。

  • 由于采用超小型的SNT-4A封装,因此可高密度安装。

  • S-5717系列因为是低电压工作、消耗电流低,所以最适用于电池驱动的便携设备。同时,因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态 “L”、动态 “H”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出、CMOS输出

  • 磁气灵敏度:Bop = 3.3 mT (典型值)

  • 驱动周期 (消耗电流)

    检测两极产品

    tcycle = 50.50 ms (Idd = 2.0 μA) (典型值)

    检测S极、N极产品 

    tcycle = 50.85 ms (Idd = 1.4 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 1.6 V ~ 3.6 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 手机、智能手机

  • 笔记本电脑、平板电脑

  • 数码摄像机

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

 S5717_.pdf

S-5717AxS/N

低电压工作 两极/单极检测型 霍尔IC S-5717系列

描述:

  • S-5717系列是采用CMOS技术开发的可对应低电压工作、可低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开 / 关进行检测。

  • 由于采用超小型的SNT-4A封装,因此可高密度安装。

  • S-5717系列因为是低电压工作、消耗电流低,所以最适用于电池驱动的便携设备。同时,因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态 “L”、动态 “H”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出、CMOS输出

  • 磁气灵敏度:Bop = 3.3 mT (典型值)

  • 驱动周期 (消耗电流)

    检测两极产品

    tcycle = 50.50 ms (Idd = 2.0 μA) (典型值)

    检测S极、N极产品

    tcycle = 50.85 ms (Idd = 1.4 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 1.6 V ~ 3.6 V

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 手机、智能手机

  • 笔记本电脑、平板电脑

  • 数码摄像机

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

 S5715_.pdf

S-5715CxD

霍尔IC S-5715系列

描述:

  • S-5715 系列是采用CMOS 技术开发的可对应高速/中速检测,低消耗电流工作的高精度霍尔.

  • 它可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开关以及翻转进行检测.

  • 由于采用了超小型SNT-4A 封装和小型SOT-23-3 封装,因此可高密度安装.

  • S-5715系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少.


特点:

  • 极性检测:检测两极检测S极,检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态”L”动态”H”

  • 输出方式:Nch开路漏极输出、CMOS输出

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT 典型值

  • 驱动周期(消耗电流)

    检测两极:

    tcycle = 0.10 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 0.90 ms (155 μA) (典型值)

    tcycle = 5.70 ms (26 μA) (典型值)

    检测S极,N极:

    tcycle = 0.05 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 1.25 ms (60 μA) (典型值)

    tcycle = 6.05 ms (13 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5715_.pdf

S-5715DxD

霍尔IC S-5715系列

描述:

  • S-5715 系列是采用CMOS 技术开发的可对应高速/中速检测,低消耗电流工作的高精度霍尔IC.

  • 它可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开关以及翻转进行检测.

  • 由于采用了超小型SNT-4A 封装和小型SOT-23-3 封装,因此可高密度安装.

  • S-5715系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少.


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态”L”动态”H”

  • 输出方式:Nch开路漏极输出,CMOS输出

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT 典型值

  • 驱动周期(消耗电流)

    检测两极:

    tcycle = 0.10 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 0.90 ms (155 μA) (典型值)

    tcycle = 5.70 ms (26 μA) (典型值)

    检测S极,N极:

    tcycle = 0.05 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 1.25 ms (60 μA) (典型值)

    tcycle = 6.05 ms (13 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具,游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5715_.pdf

S-5715ExD

霍尔IC S-5715系列

描述:

  • S-5715 系列是采用CMOS 技术开发的可对应高速/中速检测,低消耗电流工作的高精度霍尔IC

  • 它可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开关以及翻转进行检测

  • 由于采用了超小型SNT-4A 封装和小型SOT-23-3 封装,因此可高密度安装

  • S-5715系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态”L”,动态”H”

  • 输出方式:Nch开路漏极输出,CMOS输出

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT 典型值

  • 驱动周期(消耗电流)

    检测两极:

    tcycle = 0.10 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 0.90 ms (155 μA) (典型值)

    tcycle = 5.70 ms (26 μA) (典型值)

    检测S极,N极:

    tcycle = 0.05 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 1.25 ms (60 μA) (典型值)

    tcycle = 6.05 ms (13 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5715_.pdf

S-5715CxS/N

霍尔IC S-5715系列

描述:

  • S-5715 系列是采用CMOS 技术开发的可对应高速/中速检测,低消耗电流工作的高精度霍尔IC

  • 它可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开关以及翻转进行检测

  • 由于采用了超小型SNT-4A 封装和小型SOT-23-3 封装,因此可高密度安装

  • S-5715系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极,检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态”L”,动态”H”

  • 输出方式:Nch开路漏极输出,CMOS输出

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT 典型值

  • 驱动周期(消耗电流)

    检测两极:

    tcycle = 0.10 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 0.90 ms (155 μA) (典型值)

    tcycle = 5.70 ms (26 μA) (典型值)

    检测S极,N极:

    tcycle = 0.05 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 1.25 ms (60 μA) (典型值)

    tcycle = 6.05 ms (13 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5715_.pdf

S-5715DxS/N

霍尔IC S-5715系列

描述:

  • S-5715 系列是采用CMOS 技术开发的可对应高速/中速检测,低消耗电流工作的高精度霍尔IC

  • 它可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化,通过与磁石的组合,可对各种设备的开关以及翻转进行检测

  • 由于采用了超小型SNT-4A 封装和小型SOT-23-3 封装,因此可高密度安装

  • S-5715系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态”L”,动态”H”

  • 输出方式:Nch开路漏极输出,CMOS输出

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT 典型值

  • 驱动周期(消耗电流)

    检测两极:

    tcycle = 0.10 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 0.90 ms (155 μA) (典型值)

    tcycle = 5.70 ms (26 μA) (典型值)

    检测S极,N极:

    tcycle = 0.05 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 1.25 ms (60 μA) (典型值)

    tcycle = 6.05 ms (13 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5715_.pdf

S-5715ExS/N

霍尔IC S-5715系列

描述:

  • S-5715 系列是采用CMOS 技术开发的可对应高速/中速检测,低消耗电流工作的高精度霍尔IC

  • 它可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开关以及翻转进行检测

  • 由于采用了超小型SNT-4A 封装和小型SOT-23-3 封装,因此可高密度安装

  • S-5715系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少


特点:

  • 极性检测:检测两极、检测S极,检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态”L”,动态”H”

  • 输出方式:Nch开路漏极输出,CMOS输出

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT 典型值

  • 驱动周期(消耗电流)

    检测两极:

    tcycle = 0.10 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 0.90 ms (155 μA) (典型值)

    tcycle = 5.70 ms (26 μA) (典型值)

    检测S极,N极:

    tcycle = 0.05 ms (1400 μA) (典型值)

    tcycle = 1.25 ms (60 μA) (典型值)

    tcycle = 6.05 ms (13 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具,游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5716_.pdf

S-5716AxD

霍尔IC S-5716系列

描述:

  • S-5716 系列是采用CMOS 技术开发的可低消耗电流工作的高精度霍尔IC

  • 它可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化,通过与磁石的组合,可对各种设备的开关进行检测

  • 由于采用了超小型SNT-4A 封装和小型SOT-23-3 封装,因此可高密度安装

  • S-5716系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少


特点:

  • 极性检测:检测两极,检测S极,检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态”L”,动态”H”

  • 输出方式:Nch开路漏极输出、CMOS输出

  • 磁性灵敏度

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 3.4 mT (典型值)

    Bop = 4.5 mT (典型值)

    Bop = 7.0 mT (典型值)

  • 驱动周期(消耗电流)

    检测两极:tcycle = 50.50 ms (4 μA) (典型值)

    检测S极、N极:tcycle = 50.85 ms (2.6 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta= -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具,游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5716_.pdf

S-5716AxS/N

霍尔IC S-5716系列

描述:

  • S-5716 系列是采用CMOS 技术开发的可低消耗电流工作的高精度霍尔IC

  • 它可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开关进行检测

  • 由于采用了超小型SNT-4A 封装和小型SOT-23-3 封装,因此可高密度安装

  • S-5716系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少


特点:

  • 极性检测:检测两极,检测S极,检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态”L”,动态”H”

  • 输出方式:Nch开路漏极输出,CMOS输出

  • 磁性灵敏度

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 3.4 mT (典型值)

    Bop = 4.5 mT (典型值)

    Bop = 7.0 mT (典型值)

  • 驱动周期(消耗电流)

    检测两极:tcycle = 50.50 ms (4 μA) (典型值)

    检测S极,N极:tcycle = 50.85 ms (2.6 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta= -40°C ~ +85°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具,游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S57B1_.pdf

S-57B1

霍尔IC S-57B1系列

描述:

  • S-57B1 系列是采用CMOS 技术开发的具有高灵敏度磁性,可进行高速检测、低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 它可检测出磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开关以及翻转进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3 封装,因此可高密度安装。

  • S-57B1系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测S极

  • 磁性检测逻辑:动态”L”,动态”H”

  • 输出方式:Nch开路漏极输出,CMOS输出

  • 磁性灵敏度

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 4.5 mT (典型值)

    Bop = 7.0 mT (典型值)

  • 驱动周期:tcycle = 50 μs(典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V 〜 5.5 V

  • 工作温度范围:-40°C ~ +125°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 电动机

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5731_.pdf

S-5731

高耐压 高速 单极检测型 霍尔IC S-5731系列

描述:

  • S-5731系列是采用CMOS技术开发的高耐压、高速检测、高精度磁特性单极检测型的霍尔IC。

  • 它可通过检测磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开关以及翻转进行检测。

  • S-5731系列内置输出电流限制电路。

  • 由于采用了小型的SOT-23-3封装,因此可高密度安装。

  • S-5731系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态 “L”、动态 “H”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出、N沟道驱动器 + 内置上拉电阻

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT (典型值)、Bop = 6.0 mT (典型值)

  • 驱动周期:tcycle = 16.0 μs (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 3.5 V ~ 26.0 V

  • 内置稳压器

  • 内置输出电流限制电路

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 家用电器产品

  • DC无刷电动机

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5732_I_.pdf

S-5732 I

高耐压 高速 单极检测型 霍尔IC S-5732 I系列

描述:

  • 本IC是采用CMOS技术开发的高耐压、高速检测、高精度磁特性单极检测型的霍尔IC。可通过检测磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开关以及翻转进行检测。

  • 本IC还内置输出电流限制电路。本IC由于采用了插入型的TO-92S封装,因此可用于各种机械构造。还具备高精度磁特性,故与磁石组合的机械构造的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态 “L”、动态 “H”

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出

    N沟道驱动器 + 内置上拉电阻

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT (典型值)

  • 驱动周期:tcycle = 16.0 μs (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 3.5 V ~ 26.0 V

  • 内置稳压器

  • 内置输出电流限制电路

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 家用电器产品

  • DC无刷电动机

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5732_B_.pdf

S-5732 B

工作温度125°C 高耐压 高速 单极检测型 霍尔IC S-5732 B系列

描述:

  • 本IC是采用CMOS技术开发的高耐压、高速检测、高精度磁特性单极检测型的霍尔IC。可通过检测磁束密度的强弱,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的开关以及翻转进行检测。

  • 本IC还内置输出电流限制电路。本IC由于采用了插入型的TO-92S封装,因此可用于各种机械构造。还具备高精度磁特性,故与磁石组合的机械构造的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:检测S极、检测N极

  • 磁性检测逻辑:动态 “L”、动态 “H”

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出

    N沟道驱动器 + 内置上拉电阻

  • 磁性灵敏度

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 6.0 mT (典型值)

  • 斩波频率:fc = 250 kHz (典型值)

  • 输出延迟时间:td = 16.0 μs (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 3.5 V ~ 26.0 V

  • 内置稳压器

  • 内置输出电流限制电路

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +125°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 家用电器产品

  • DC无刷电动机

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5724_.pdf

S-5724C/H

霍尔IC S-5724系列

描述:

  • S-5724 系列是采用CMOS 技术开发的可对应低电压工作,具有高灵敏度磁性,可进行高速检测、低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 它可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3 或超小型的SNT-4A 封装,因此可高密度安装。S-5724系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:交变检测

  • 磁性检测逻辑

    检测S极时Vout = “L”

    检测S极时Vout = “H”

  • 输出方式

    Nch开路漏极输出

    CMOS输出

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT (典型值)

  • 驱动周期 (消耗电流)

    50 μs (640 μA) (典型值)

    1.25 ms (26 μA) (典型值)

    6.05 ms (6 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:1.6 V ~ 3.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 内置电源开 / 关控制电路:可延长电池的使用寿命 (仅限SNT-4A)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 数码相机

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

 S5724_.pdf

S-5724D/I

霍尔IC S-5724系列

描述:

  • S-5724 系列是采用CMOS 技术开发的可对应低电压工作,具有高灵敏度磁性,可进行高速检测、低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 它可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3 或超小型的SNT-4A 封装,因此可高密度安装。S-5724系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:交变检测

  • 磁性检测逻辑

    检测S极时Vout = “L”

    检测S极时Vout = “H”

  • 输出方式

    Nch开路漏极输出

    CMOS输出

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT (典型值)

  • 驱动周期 (消耗电流)

    50 μs (640 μA) (典型值)

    1.25 ms (26 μA) (典型值)

    6.05 ms (6 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:1.6 V ~ 3.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 内置电源开 / 关控制电路:可延长电池的使用寿命 (仅限SNT-4A)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 数码相机

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

 S5724_.pdf

S-5724E/J

霍尔IC S-5724系列

描述:

  • S-5724 系列是采用CMOS 技术开发的可对应低电压工作,具有高灵敏度磁性,可进行高速检测、低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 它可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3 或超小型的SNT-4A 封装,因此可高密度安装。S-5724系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:交变检测

  • 磁性检测逻辑

    检测S极时Vout = “L”

    检测S极时Vout = “H”

  • 输出方式

    Nch开路漏极输出

    CMOS输出

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT (典型值)

  • 驱动周期 (消耗电流)

    50 μs (640 μA) (典型值)

    1.25 ms (26 μA) (典型值)

    6.05 ms (6 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:1.6 V ~ 3.5 V

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 内置电源开 / 关控制电路:可延长电池的使用寿命 (仅限SNT-4A)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 数码相机

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

 S5725_.pdf

S-5725C/H

霍尔IC S-5725系列

描述:

  • S-5725 系列是采用CMOS 技术开发的具有高灵敏度磁性,可进行高速检测、低消耗电流工作的高精度霍尔IC

  • 它可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3 或超小型的SNT-4A 封装,因此可高密度安装。

  • S-5725系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少


特点:

  • 极性检测:交变检测

  • 磁性检测逻辑

    检测S极时Vout = “L”

    检测S极时Vout = “H”

  • 输出方式

    Nch开路漏极输出

    CMOS输出

  • 磁性灵敏度

    Bop = 0.8 mT (典型值)

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 7.0 mT (典型值)

  • 驱动周期(消耗电流)

    tcycle = 50 μs(1400 μA) (典型值)

    tcycle = 1.25 ms(60 μA) (典型值)

    tcycle = 6.05 ms(13 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta= -40°C ~ +85°C

  • 内置电源开 / 关控制电路:可延长电池的使用寿命 (仅限SNT-4A)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具,游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5725_.pdf

S-5725D/I

霍尔IC S-5725系列

描述:

  • S-5725 系列是采用CMOS 技术开发的具有高灵敏度磁性,可进行高速检测、低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 它可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化,通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3 或超小型的SNT-4A 封装,因此可高密度安装。

  • S-5725系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:交变检测

  • 磁性检测逻辑

    检测S极时Vout = “L”

    检测S极时Vout = “H”

  • 输出方式

    Nch开路漏极输出

    CMOS输出

  • 磁性灵敏度

    Bop = 0.8 mT (典型值)

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 7.0 mT (典型值)

  • 驱动周期(消耗电流)

    tcycle = 50 μs(1400 μA) (典型值)

    tcycle = 1.25 ms(60 μA) (典型值)

    tcycle = 6.05 ms(13 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta= -40°C ~ +85°C

  • 内置电源开 / 关控制电路:可延长电池的使用寿命 (仅限SNT-4A)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5725_.pdf

S-5725E/J

霍尔IC S-5725系列

描述:

  • S-5725 系列是采用CMOS 技术开发的具有高灵敏度磁性,可进行高速检测、低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 它可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化,通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。

  • 由于采用小型的SOT-23-3 或超小型的SNT-4A 封装,因此可高密度安装。

  • S-5725系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:交变检测

  • 磁性检测逻辑

    检测S极时Vout = “L”

    检测S极时Vout = “H”

  • 输出方式

    Nch开路漏极输出

    CMOS输出

  • 磁性灵敏度

    Bop = 0.8 mT (典型值)

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 7.0 mT (典型值)

  • 驱动周期(消耗电流)

    tcycle = 50 μs(1400 μA) (典型值)

    tcycle = 1.25 ms(60 μA) (典型值)

    tcycle = 6.05 ms(13 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:Ta= -40°C ~ +85°C

  • 内置电源开 / 关控制电路:可延长电池的使用寿命 (仅限SNT-4A)

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 玩具、游戏机

  • 家用电器产品

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S57M1_.pdf

S-57M1

霍尔IC S-57M1系列

描述:

  • S-57M1 系列是采用CMOS 技术开发的具有高灵敏度磁性,可进行高速检测、低消耗电流工作的高精度霍尔IC。

  • 它可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。

  • 由于采用了小型的SOT-23-3 封装,因此可高密度安装。

  • S-57M1系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:交变检测

  • 磁性检测逻辑

    检测S极时Vout = “L”

    检测S极时Vout = “H”

  • 输出方式:Nch开路漏极输出、CMOS输出

  • 磁性灵敏度:Bop = 3.0 mT (典型值)

  • 驱动周期(消耗电流):50 μs (1400 μA) (典型值)

  • 电源电压范围:2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度范围:-40°C ~ +125°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素


用途:

  • 电动机

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5741_.pdf

S-5741

高耐压 高速 交变检测型 霍尔IC S-5741系列

描述:

  • S-5741系列是采用CMOS技术开发的高耐压、高速检测、高精度磁特性交变检测型的霍尔IC。

  • 它可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。

  • S-5741系列内置输出电流限制电路。

  • 由于采用了小型的SOT-23-3封装,因此可高密度安装。

  • S-5741系列因具备高精度磁特性,故与磁石组合的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:交变检测

  • 磁性检测逻辑

    检测S极时Vout = “L”

    检测S极时Vout = “H”

  • 输出方式:N沟道开路漏极输出、N沟道驱动器 + 内置上拉电阻

  • 磁性灵敏度

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 6.0 mT (典型值)

  • 驱动周期:tcycle = 8.0 μs (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 3.5 V ~ 26.0 V

  • 内置稳压器:内置输出电流限制电路

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 家用电器产品

  • DC无刷电动机

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5742_I_.pdf

S-5742 I

高耐压 高速 交变检测型 霍尔IC S-5742 I系列

描述:

  • 本IC是采用CMOS技术开发的高耐压、高速检测、高精度磁特性交变检测型的霍尔IC。可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。本IC还内置了输出电流限制电路。

  • 本IC由于采用了插入型的TO-92S封装,因此可用于各种机械构造。还具备高精度磁特性,故与磁石组合的机械构造的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:交变检测

  • 磁性检测逻辑

    检测S极时Vout = “L”

    检测S极时Vout = “H”

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出

    N沟道驱动器 + 内置上拉电阻

  • 磁性灵敏度

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 6.0 mT (典型值)

  • 斩波频率:fc = 500 kHz (典型值)

  • 输出延迟时间:td = 8.0 μs (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 3.5 V ~ 26.0 V

  • 内置稳压器

  • 内置输出电流限制电路

  • 工作温度范围:Ta = -40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 家用电器产品

  • DC无刷电动机

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S5742_B_.pdf

S-5742 B

工作温度125°C 高耐压 高速 交变检测型 霍尔IC S-5742 B系列

描述:

  • 本IC是采用CMOS技术开发的高耐压、高速检测、高精度磁特性交变检测型的霍尔IC。可通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,使输出电压发生变化。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。本IC还内置了输出电流限制电路。

  • 本IC由于采用了插入型的TO-92S封装,因此可用于各种机械构造。还具备高精度磁特性,故与磁石组合的机械构造的工作偏差可变少。


特点:

  • 极性检测:交变检测

  • 磁性检测逻辑

    检测S极时Vout = “L”

    检测S极时Vout = “H”

  • 输出方式

    N沟道开路漏极输出

    N沟道驱动器 + 内置上拉电阻

  • 磁性灵敏度

    Bop = 1.8 mT (典型值)

    Bop = 3.0 mT (典型值)

    Bop = 6.0 mT (典型值)

  • 斩波频率:fc = 500 kHz (典型值)

  • 输出延迟时间:td = 8.0 μs (典型值)

  • 电源电压范围:Vdd = 3.5 V ~ 26.0 V

  • 内置稳压器

  • 内置输出电流限制电路

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +125°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 家用电器产品

  • DC无刷电动机

  • 住宅设备

  • 各种产业设备

 S576Z_B_C.pdf

S-576Z B

工作温度125°C、 高耐压、高速、Zero Crossing Latch 霍尔效应IC S-576Z B系列

描述:

采用CMOS技术开发的可在高温环境下工作、高耐压的高精度霍尔效应IC。

本IC在检测到磁束密度 (磁场) 的极性变化时,切换输出电压的电位。与以往的交变检测方式相比,Zero Crossing Latch 技术实现了高精度的极性变化检测。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。


特点:

• 备有薄型的 (t0.80 mm (最大值)) TSOT-23-3S和超薄型的 (t0.50 mm (最大值)) HSNT-6(2025) 封装,可实现设备的小型化

• 通过检测磁束密度 (磁场) 的极性变化,可减少机械设备的工作差异

• 内置有输出电流限制电路,可提高设备的安全设计


规格:

• 极性检测 : Zero Crossing Latch检测

• 输出逻辑*1

检测S极时VOUT = "L"

检测S极时VOUT = "H"

• 输出方式*1

N沟道开路漏极输出

N沟道驱动器 + 内置上拉电阻 (1.2 kΩ (典型值))

• 零交叉锁存点 : BZ = 0.0 mT (典型值)

• 解除点 (S极)*1

BRS = 3.0 mT (典型值)

BRS = 6.0 mT (典型值)

• 斩波频率 : fC = 500 kHz (典型值)

• 输出延迟时间 : tD = 8.0 μs (典型值)

• 电源电压范围*2 : VDD = 2.7 V ~ 26.0 V

• 内置稳压器

• 内置输出电流限制电路

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 可以选项。

*2. 输出方式为N沟道驱动器 + 内置上拉电阻 (1.2 kΩ (典型值)) 时,VDD = 2.7 V ~ 5.5 V。


用途:

• DC无刷电动机

• 家用电器产品

• 住宅设备

• 产业设备


 S576B_B_C.pdf

S-576B B

工作温度125°C、高耐压、高速、交变检测型霍尔效应IC S-576B B系列

描述:

采用CMOS技术开发的可在高温环境下工作、高耐压的高精度霍尔效应IC。通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,可切换输出电压的电位。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。


特点:

• 备有薄型的 (t0.80 mm (最大值)) TSOT-23-3S和超薄型的 (t0.50 mm (最大值)) HSNT-6(2025) 封装,可实现设备的小型化

• 具备高精度磁特性 (典型值 ±1.0 mT),可减少机械设备的工作差异 (详情请参阅数据表 “磁特性”)

• 内置有输出电流限制电路,可提高设备的安全设计


规格:

• 极性检测 : 交变检测

• 输出逻辑*1

检测S极时VOUT = "L"

检测S极时VOUT = "H"

• 输出方式*1

N沟道开路漏极输出

N沟道驱动器 + 内置上拉电阻 (1.2 kΩ (典型值))

• 磁性灵敏度*1

BOP = 0.5 mT (典型值)

BOP = 2.2 mT (典型值)

BOP = 3.0 mT (典型值)

BOP = 6.0 mT (典型值)

BOP = 10.0 mT (典型值)

• 斩波频率 : fC = 500 kHz (典型值)

• 输出延迟时间 : tD = 8.0 μs (典型值)

• 电源电压范围*2 : VDD = 2.7 V ~ 26.0 V

• 内置稳压器

• 内置输出电流限制电路

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

*1. 可以选项。

*2. 输出方式为N沟道驱动器 + 内置上拉电阻 (1.2 kΩ (典型值)) 时,VDD = 2.7 V ~ 5.5 V。


用途:

• DC无刷电动机

 • 电动工具

• 家用电器产品

• 住宅设备

• 产业设备


 S5470_.pdf

S-5470

Normally-off 微弱信号检测IC S-5470系列

描述:

  • S-5470系列是使用CMOS技术开发的消耗电流极低、Normally-off的微弱信号检测IC。

  • 本IC通过使用可检测 0.7 nA (典型值) 微弱电流的电流检测功能,可以检测出各种发电元件或感应器元件的微弱信号。并且,通过使用电流差检测功能,还可检测出被同时输入的两个信号的强弱差异。

  • 由于具有消耗电流极低、工作电压低的特点,因此最适用于电池驱动的小型便携设备。


特点:

  • 消耗电流极低:Idd ≤0.1 nA (典型值)

  • 检测微弱电流:Idet = 0.7 nA (典型值)

  • 工作电压范围广:Vdd = 0.9 V ~ 5.5 V

  • 检测微弱信号:可检测约0.7 nW (1.0 V, 0.7 nA (典型值))的微弱信号

  • 检测信号的强弱差异:可检测出被同时输入的两个信号的强弱差异

  • 无铅 (Sn 100%), 无卤素


用途:

  • 内部阻抗高的发电元件或者感应器元件输出信号的检测

  • 使用两个发电元件或者感应器元件的高敏感度感应

  • 便携设备、无线设备的各种感应器的小型化、低耗电化

定时器IC / ASSP

 S35390A_.pdf

S-35390A

2线 实时时钟 S-35390A

描述:

  • S-35390A是可以在超低消耗电流、宽工作电压范围内工作的2线CMOS实时时钟IC。工作电压为1.3 V ~ 5.5 V,可适用于从主电源电压开始到备用电源电压驱动为止的宽幅度的电源电压。通过0.25 μA的计时消耗电流和1.1 V计时工作电压,可大幅度地改善电池的持续时间。

  • 使用备用电池工作的系统,可将内置于实时时钟的自由寄存器作为用户备用存储器功能来使用。因为此用户寄存器的电源电压可保持在1.2 V(最小值),存储在寄存器的主电源切断前的情报,在电压恢复后的任何时候均可读出。

  • 产品因为内置了时钟调整功能,所以可以在很宽的范围内校正石英的频率偏差,能以最小分解能力 = 1 ppm来进行校正。接着,通过此功能和温度传感器的结合,可设定适应温度变化的时钟调整值,针对温度偏差亦可实现高精度的计时功能。


特点:

  • 低消耗电流:0.25 μA 典型值 (VDD = 3.0 V,Ta = 25°C)

  • 宽工作电压范围:1.3 V ~ 5.5 V

  • 计时工作电压:1.1 V

  • 内置时钟调整功能

  • 内置用户自由寄存器

  • 2线(I2C-BUS)方式的CPU界面

  • 内置报警中断器

  • 内置电源切断以及电源接通时的标记生成电路

  • 内置到2099年为止的自动日历,润年自动运算功能

  • 内置稳压电路

  • 内置32kHz石英振荡电路(Cd内置,Cg外接)

  • 无铅产品


用途:

  • 数码相机、数码摄像机

  • 电子式电力测量仪(数字式电力表)

  • DVD录像机、电视机,录像机

  • PHS、手机、汽车导航

 S35391A_.pdf

S-35391A

2线 实时时钟 S-35391A

描述:

  • S-35391A是可以在超低消耗电流、宽工作电压范围内工作的2线CMOS实时时钟IC。工作电压为1.3 V ~ 5.5 V,可适用于从主电源电压开始到备用电源电压驱动为止的宽幅度的电源电压。 S-35391A采用了总线仲裁机制 (区分设备ID,使得系统处理时不产生冲突),是设备码与S-35390A不同的产品。 通过0.25 μA的计时消耗电流和1.1 V计时工作电压,可大幅度地改善电池的持续时间。

  • 使用备用电池工作的系统,可将内置于实时时钟的自由寄存器作为用户备用存储器功能来使用。因为此用户寄存器的电源电压可保持在1.2 V(最小值),存储在寄存器的主电源切断前的情报,在电压恢复后的任何时候均可读出。

  • 产品因为内置了时钟调整功能,所以可以在很宽的范围内校正石英的频率偏差,能以最小分解能力 = 1 ppm来进行校正。接著,通过此功能和温度传感器的结合,可设定适应温度变化的时钟调整值,针对温度偏差亦可实现高精度的计时功能。


特点:

  • 低消耗电流:0.25 μA 典型值 (VDD = 3.0 V,Ta = 25°C)

  • 宽工作电压范围:1.3 V ~ 5.5 V

  • 计时工作电压:1.1 V

  • 内置时钟调整功能

  • 内置用户自由寄存器

  • 2线(I2C-BUS)方式的CPU界面

  • 内置报警中断器

  • 内置电源切断以及电源接通时的标记生成电路

  • 内置到2099年为止的自动日历,润年自动运算功能

  • 内置稳压电路

  • 内置32kHz石英振荡电路(Cd内置,Cg外接)

  • 无铅产品


用途:

  • 数码相机、数码摄像机

  • 电子式电力测量仪(数字式电力表)

  • DVD录像机、电视机,录像机

  • PHS、手机、汽车导航

 S35392A_.pdf

S-35392A

2线 实时时钟 S-35392A

描述:

  • S-35392A是可以在超低消耗电流、宽工作电压范围内工作的2线CMOS实时时钟IC。工作电压为1.3 V ~ 5.5 V,可适用于从主电源电压到备用电池电压的宽幅电源电压。通过0.45 μA的计时消耗电流和宽范围的计时电源电压,可大幅度地改善电池的持续时间。在使用备用电池工作的系统中,内置的自由寄存器可作为用户备用存储器来使用。在主电源切断前存储在寄存器中的信息,可在电压恢复后的任何时候读出。

  • S-35392A因为内置了时钟校正功能,所以可以在很宽的范围内校正因石英振荡电路的频率偏差所导致的时钟数据的提前或滞 后。通过此功能和温度传感器的结合,可根据温度变化来对时钟进行校正,从而实现不受环境温度影响的高精度的计时功能。


特点:

  • 低消耗电流:0.45 μA (典型值) (Vdd =3.0 V, Ta =25°C)

  • 常时稳定输出32.768 kHz时钟脉冲 (N沟道开路漏极输出)

  • 宽工作电压范围:1.3 ~ 5.5 V

  • 计时工作电压:1.1 V

  • 内置时钟校正功能

  • 内置用户自由寄存器

  • 2线 (I2C-BUS) 方式的CPU接口

  • 内置报警中断器

  • 内置低电源电压检测及电源接通时的标记生成电路

  • 内置到2099年为止的自动日历,闰年自动运算功能

  • 内置稳压电路

  • 内置32.768 kHz石英振荡电路 (Cd built in, Cg external)

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 便携式游戏机设备

  • 便携式AV设备

  • 数码相机

  • 数码摄像机

  • 电子式电子测量仪

  • DVD录像机

  • 电视机,录像机

  • 携带电话,PHS

 S35399A03_.pdf

S-35399A03

2线 实时时钟 S-35399A03

描述:

  • S-35399A03是可以在超低消耗电流、宽工作电压范围内工作的2线CMOS实时时钟IC。工作电压为1.3 ~ 5.5 V、可适用于从主电源电压到备用电池电压的宽幅电源电压。通过0.34 μA的计时消耗电流和宽范围的计时电源电压,可大幅度地改善电池的持续时间。在使用备用电池工作的系统中,内置的自由寄存器可作为用户备用存储器来使用。在主电源切断前存储在寄存器中的信息,可在电压恢复后的任何时候读出。

  • 本产品因为内置了时钟校正功能,所以可以在很宽的范围内校正因振荡电路的频率偏差所导致的时钟数据的提前或滞后。通过此功能和温度传感器的结合,可根据温度变化来对时钟进行校正,从而实现不受环境温度影响的高精度的计时功能。

  • 而且,还备有24位的二进制上升计数器。从电源投入时开始计时(每60秒),可以把握从电源投入开始约30年的时间。


特点:

  • 低消耗电流:0.34 μA 典型值(VDD = 3.0 V, Ta = 25°C)

  • 宽工作电压范围:1.3 ~ 5.5 V

  • 内置时钟校正功能

  • 内置24位二进制上升计数器

  • 内置用户自由寄存器

  • 2线(I2C-bus)方式的CPU接口

  • 内置报警中断器

  • 内置低电源电压检测及电源接通时的标记生成电路

  • 内置到2099年为止的自动日历,闰年自动运算功能

  • 内置稳压电路

  • 内置32.768 kHz石英振荡电路(Cd内置,Cg外接)

  • 无铅产品


用途:

  • 便携式游戏机设备

  • 便携式AV设备

  • 数码相机

  • 数码摄像机

  • 电子式电子测量仪

  • DVD录像机

  • 电视机,录像机

  • 手机,PHS

  • 汽车导航

S-78390A

2线 实时时钟 S-78390A系列

描述:

  • S-78390A系列是可以在低消耗电流、宽工作电压范围内工作的CMOS实时时钟IC。

  • 以年、月、日、星期、时、分、秒来计时。内置到2099年为止的自动日历,闰年自动运算功能和以年、月、日、星期、时、分为单位的报警中断器。

  • 已实现低电压、低消耗电流范围内工作,适用于电池工作设备的搭载。如果只进行计时工作,不通信,可以在电源电压1.1V范围内工作。

  • 而且,备有8通道的开关输入检测电路。通过选择,其中的1通道可以变更为遥控器信号标题检测电路。一旦检测出开关输入信号或者遥控器信号标题,就会向CPU等输出通告信号。

  • S-78390A系列可以检测到触发输入,因此可以抑制设备处于休眠状态时的电力消耗。


特点:

  • 低消耗电流:0.35μA 典型值(VDD=3.0V、Ta=25℃、BKUP=“L”)

  • 宽工作电压范围:1.3~5.5V

  • 计时工作电压:1.1V

  • 2线(微型线路)方式的CPU界面

  • 内置输入检测电路

  • 内置遥控器预译码电路(可选)

  • 通过触发输入检测的通告信号输出功能

  • 内置用户自由寄存器

  • 内置时钟调整功能

  • 内置报警中断器

  • 内置稳压电路

  • 内置电源切断以及接通时的标记生成电路

  • 内置到2099年为止的自动日历,闰年自动运算功能

  • 内置32kHz石英振荡电路(Cd内置、Cg外接)


用途:

  • 数码摄像机

  • 数码相机

  • DVD录像机

  • 薄型电视机

  • 汽车导航系统

  • IC记录机

 S35190A_.pdf

S-35190A

3线 实时时钟 S-35190A

描述:

  • S-35190A是可以在超低消耗电流、宽工作电压范围内工作的3线CMOS实时时钟IC。工作电压为1.3 V ~ 5.5 V,可适用于从主电源电压开始到备用电源电压驱动为止的宽幅度的电源电压。通过0.25 μA的计时消耗电流和1.1 V计时工作电压,可大幅度地改善电池的持续时间。

  • 使用备用电池工作的系统,可将内置于实时时钟的自由寄存器作为用户备用存储器功能来使用。因为此用户寄存器的电源电压可保持在1.2 V(最小值),存储在寄存器的主电源切断前的情报,在电压恢复后的任何时候均可读出。

  • 产品因为内置了时钟调整功能,所以可以在很宽的范围内校正石英的频率偏差,能以最小分解能力 = 1 ppm来进行校正。接着,通过此功能和温度传感器的结合,可设定适应温度变化的时钟调整值,针对温度偏差亦可实现高精度的计时功能。


特点:

  • 低消耗电流:0.25 μA 典型值(VDD = 3.0 V,Ta = 25°C)

  • 宽工作电压范围:1.3 V ~ 5.5 V

  • 计时工作电压:1.1 V

  • 内置时钟调整功能

  • 内置用户自由寄存器

  • 3线(微型线路)方式的CPU界面

  • 内置报警中断器

  • 内置电源切断以及电源接通时的标记生成电路

  • 内置到2099年为止的自动日历,润年自动运算功能

  • 内置稳压电路

  • 内置32kHz石英振荡电路(Cd内置,Cg外接)

  • 无铅产品


用途:

  • 数码相机、数码摄像机

  • 电子式电力测量仪(数字式电力表)

  • DVD录像机、电视机,录像机

  • PHS、手机、汽车导航

 S35192A_.pdf

S-35192A

3线 实时时钟 S-35192A

描述:

  • S-35192A是可以在超低消耗电流、宽工作电压范围内工作的3线CMOS实时时钟IC。工作电压为1.3 V ~ 5.5 V,可适用于从主电源电压开始到备用电源电压驱动为止的宽幅度的电源电压。通过0.45 μA的计时消耗电流和1.1 V计时工作电压,可大幅度地改善电池的持续时间。

  • 使用备用电池工作的系统,可将内置于实时时钟的自由寄存器作为用户备用存储器功能来使用。因为此用户寄存器的电源电压可保持在1.2 V(最小值),存储在寄存器的主电源切断前的情报,在电压恢复后的任何时候均可读出。

  • 产品因为内置了时钟调整功能,所以可以在很宽的范围内校正石英的频率偏差,能以最小分解能力 = 1 ppm来进行校正。而且,通过此功能和温度传感器的结合,可设定适应温度变化的时钟调整值,针对温度偏差亦可实现高精度的计时功能。


特点:

  • 低消耗电流:0.45 μA 典型值 (VDD = 3.0 V,Ta = 25°C)

  • 32 kHz时钟脉冲稳定常时输出(N沟道开路漏极输出)

  • 宽工作电压范围:1.3 V ~ 5.5 V

  • 计时工作电压:1.1 V

  • 内置时钟调整功能

  • 内置用户自由寄存器

  • 3线(微型线路)方式的CPU界面

  • 内置报警中断器

  • 内置电源切断以及电源接通时的标记生成电路

  • 内置到2099年为止的自动日历,润年自动运算功能

  • 内置稳压电路

  • 内置32kHz石英振荡电路(Cd内置,Cg外接)

  • 无铅产品


用途:

  • 数码相机、数码摄像机

  • 电子式电力测量仪(数字式电力表)

  • DVD录像机、电视机,录像机

  • PHS、手机、汽车导航

S-78190A

3线 实时时钟 S-78190A系列

描述:

  • S-78190A系列是可以在低消耗电流、宽工作电压范围内工作的CMOS实时时钟IC。

  • 以年、月、日、星期、时、分、秒来计时。内置到2099年为止的自动日历,闰年自动运算功能和以年、月、日、星期、时、分为单位的报警中断器。

  • 已实现低电压、低消耗电流范围内工作,适用于电池工作设备的搭载。如果只进行计时工作,不通信,可以在电源电压1.1V范围内工作。

  • 而且,备有7通道的开关输入检测电路。通过选择,其中的1通道可以变更为遥控器信号标题检测电路。一旦检测出开关输入信号或者遥控器信号标题,就会向CPU等输出通告信号。

  • S-78190A系列可以检测到触发输入,因此可以抑制设备处于休眠状态时的电力消耗。


特点:

  • 低消耗电流:0.35μA 典型值(VDD=3.0V、Ta=25℃、BKUP=“L”)

  • 宽工作电压范围:1.3~5.5V

  • 计时工作电压:1.1V

  • 3线(微型线路)方式的CPU界面

  • 内置输入检测电路

  • 内置遥控器预译码电路(可选)

  • 通过触发输入检测的通告信号输出功能

  • 内置用户自由寄存器

  • 内置时钟调整功能

  • 内置报警中断器

  • 内置稳压电路

  • 内置电源切断以及接通时的标记生成电路

  • 内置到2099年为止的自动日历,闰年自动运算功能

  • 内置32kHz石英振荡电路(Cd内置、Cg外接)


用途:

  • 数码摄像机

  • 数码相机

  • DVD录像机

  • 薄型电视机

 S7760A_英文.pdf

S-7760A

微型端口控制器 S-7760A

描述:

  • S-7760A是由E2PROM、数据输出控制电路、低电源电压误工作防止电路等构成的程控端口控制器IC。

  • 采用I2C-bus式的界面与外部连接,可在400kHz的条件下工作。可通过串行信号来控制8通道数码输出的“H”或“L”以 及各通道的延迟时间。

  • 8通道数码输出端子中的下位4通道设有定时功能,可以按照每个端口来设定初始值和翻转延迟时间。上位4通道可以按照 每个端口来设定固定输出。另外,由于内置了E2PROM,因此在电源切断的状态下也能保持控制时的初始值。

  • 可以用于MPU周边晶片的ON/OFF控制和设备特有的初始值的输出。


特点:

  • 工作电压范围:2.3~4.5V

  • 8通道数码输出

  • 工作频率电压:400kHz

  • 低电源电压误工作防止功能防止功能

  • 低消耗电流 待机时

    3.0μA 最大值(VCCH=4.5V CMOS输入型)

    10.0μA 最大值(VCCH=4.5V 低电压输入型)

  • 内置E2PROM电路

  • E2PROM重写次数:105次(─40~+85℃时)

  • E2PROM数据保存期:10年(10万次重写后)

  • E2PROM写入保护功能


用途:

  • 手机

  • 携带信息终端

  • 数码相机

  • 数码摄像机

 S8471_C.pdf

S-8471

无线供电 受电控制IC S-8471系列

描述:

  • S-8471系列是由过电压检测电路、高温检测电路、ON / OFF控制电路等构成的无线供电的受电控制IC。


特点:

  • 消耗电流

    工作时 : ISS1 = 30 μA (典型值)

    休眠时 : ISS2 = 1.0 μA (最大值)

  • 过电压检测电压范围:在4.00 V ~ 5.50 V的范围内,可以50 mV为进阶单位来选择

  • 过电压检测精度:±2.0%

  • 可选择ON / OFF端子控制逻辑:动态 “H”、动态 “L”

  • 可选择ON / OFF端子内部电阻连接:无、上拉、下拉

  • 内置ON / OFF控制电路

  • 高温保护功能:通过在TH端子上连接热敏电阻可以使用

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 无线供电装置

  • 小型无线充电系统

 S8473_C.pdf

S-8473

无线供电 带充电功能 受电控制IC 8473系列

描述:

  • S-8473系列是由过电压检测电路、充电电流控制电路、VBAT电压检测电路、UVLO电路、高温 / 低温检测电路等构成的无线供电的受电控制IC。备有对小型锂离子可充电电池的充电功能。


特点:

  • 电源电压:Vdd = 2.2 V ~ 5.0 V

  • 充电工作进行时消耗电流:ISS1 = 250 μA (典型值)

  • 休眠时VBAT端子消耗电流:Ipd= 1.0 μA (最大值)

  • UVLO检测电压:Vuvlo- = 2.0 V (典型值)

  • 对小型锂离子可充电电池的充电功能

    充电电流 : Ilim = 33 mA (典型值)

    预充电电流 : Ipre = 3.3 mA (典型值)

    预充电结束电压: 2.4 V ~ 3.4 V (50 mV进阶)

    充电结束电压: 4.0 V ~ 4.5 V (50 mV进阶)

    再充电开始电压: 3.6 V ~ 4.45 V

    短路检测电压: 1.5 V ~ 2.0 V (50 mV进阶)

    充电定时器功能: 经过4.0小时后停止充电工作 (Cct = 4.7 nF)

    通过在CT端子上连接外接电容器可以设定时间

  • 高温 / 低温保护功能:通过在TH端子上连接热敏电阻可以使用

  • 状态显示功能

    通过在STATUS端子上连接外接LED可以使用

    充电工作进行时 : 亮灯

    充电工作停止时 : 灭灯

    检测到异常时 : 闪烁

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +85°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

  • 无线装置

  • 小型无线充电系统

 S8474_C.pdf

S-8474

S-8474系列是由ON时间控制电路、OFF时间控制电路、受电检测电路、UVLO电路、高温检测电路等构成的无线供电的送电控制IC。

  • 电源电压 

    VDD = 4.5 V ~ 6.5 V

  • 消耗电流

    工作时 : ISS1 = 200 μA (典型值)

    待机时 : ISTB = 3.0 μA (最大值)

  • UVLO检测电压

    VUVLO− = 4.1 V (典型值)

  • 通过在RTON端子上连接外接电阻可以设定TON时间受电组件待机时,通过间歇工作可以节省电力

  • 激活时间 : tACT = 5.0 ms (典型值)

  • 休眠时间 : tSLEEP = 25.0 ms (典型值)

  • 可选择TH端子检测电压

    0.667 V、0.577 V、0.500 V、0.429 V、0.370 V

  • 内置受电检测电路状态显示功能

    通过在STATUS端子上连接外接LED可以使用

    连续工作模式 : 亮灯

    间歇工作模式 : 灭灯

    高温保护模式 : 闪烁

    高温保护功能

  • 通过在TH端子上连接热敏电阻可以使用

  • 工作温度范围

    Ta = −40°C ~ +85°C

    无铅 (Sn 100%)、无卤素


放大器(模拟IC)

 S-89430A.pdf

S-89430 / S-89431A

0.5μA Rail-to-Rail CMOS运算放大器 S-89430/89431系列 

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。

  • S-89430/89431系列是具有Rail-to-Rail的输入及输出的CMOS运算放大器。

    内置相位补偿电路,具有可在低电压驱动、低消耗电流下工作的特点,所以最适合用在电池驱动的小型移动设备上。

  • 从0.9V开始工作,消耗电流仅为0.5μA。

  • S-89430A/89431A系列是单运算放大器(带有1个电路)。

  • S-89430B/89431B系列是双运算放大器(带有2个电路)

 

特点:

  • 与传统的通用运算放大器相比,可以低电压工作:Vdd=0.9V~5.5V

  • 低消耗电流 (每个电路):Idd=0.5μA 典型值

  • 宽输入及输出电压范围 (Rail-to-Rail):Vcmr=Vss~Vdd

  • 低输入失调电压:

    Vio=10.0mV 最大值 (S-89430系列)

    Vio=5.0mV 最大值 (S-89431系列)

  • 利用内部相位补偿,故不需外接

  • 无铅产品

     

用途:

  • 手机

  • 笔记本PC

  • 数码相机

  • 数码摄像机

 S-89431A.pdf

S-89431A

0.5μA Rail-to-Rail CMOS运算放大器 S-89430/89431系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。

  • S-89430/89431系列是具有Rail-to-Rail的输入及输出的CMOS运算放大器。内置相位补偿电路,具有可在低电压驱动、低消耗电流下工作的特点,所以最适合用在电池驱动的小型移动设备上。

  • 从0.9 V开始工作,消耗电流仅为0.5μA

  • S-89430A/89431A系列是单运算放大器 (带有1个电路)。

  • S-89430B/89431B系列是双运算放大器 (带有2个电路)。

 

特点:

  • 与传统的通用运算放大器相比,可以低电压工作:Vdd = 0.9 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路):Idd =0.5μA典型值

  • 宽输入及输出电压范围 (Rail-to-Rail):Vcmr = Vss ~ Vdd

  • 低输入失调电压

    Vio = 10.0 mV 最大值 (S-89430系列)

    Vio = 5.0 mV 最大值 (S-89431系列)

  • 利用内部相位补偿,故不需外接元件

  • 无铅产品

 

用途:

  • 手机

  • 笔记本PC

  • 数码相机

  • 数码摄像机

 S-89430B.pdf

S-89430B

0.5μA Rail-to-Rail CMOS运算放大器 S-89430/89431系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。

  • S-89430/89431系列是具有Rail-to-Rail的输入及输出的CMOS运算放大器。内置相位补偿电路,具有可在低电压驱动、低消耗电流下工作的特点,所以最适合用在电池驱动的小型移动设备上。

  • 从0.9 V开始工作,消耗电流仅为0.5μA

  • S-89430A/89431A系列是单运算放大器 (带有1个电路)。

  • S-89430B/89431B系列是双运算放大器 (带有2个电路)。

 

特点:

  • 与传统的通用运算放大器相比,可以低电压工作:Vdd = 0.9 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路):Idd =0.5μA典型值

  • 宽输入及输出电压范围 (Rail-to-Rail):Vcmr = Vss ~ Vdd

  • 低输入失调电压

    Vio = 10.0 mV 最大值 (S-89430系列)

    Vio = 5.0 mV 最大值 (S-89431系列)

  • 利用内部相位补偿,故不需外接元件

  • 无铅产品 

 

用途:

  • 手机

  • 笔记本PC

  • 数码相机

  • 数码摄像机

 S-89431B.pdf

S-89431B

0.5μA Rail-to-Rail CMOS运算放大器 S-89430/89431系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。

  • S-89430/89431系列是具有Rail-to-Rail的输入及输出的CMOS运算放大器。内置相位补偿电路,具有可在低电压驱动、低消耗电流下工作的特点,所以最适合用在电池驱动的小型移动设备上。

  • 从0.9 V开始工作,消耗电流仅为0.5μA

  • S-89430A/89431A系列是单运算放大器 (带有1个电路)。

  • S-89430B/89431B系列是双运算放大器 (带有2个电路)。

 

特点:

  • 与传统的通用运算放大器相比,可以低电压工作:Vdd = 0.9 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路):Idd = 0.5μA 典型值

  • 宽输入及输出电压范围 (Rail-to-Rail):Vcmr = Vss ~ Vdd

  • 低输入失调电压

    Vio = 10.0 mV 最大值 (S-89430系列)

    Vio = 5.0 mV 最大值 (S-89431系列)

  • 利用内部相位补偿,故不需外接元件

  • 无铅产品

 

用途:

  • 手机

  • 笔记本PC

  • 数码相机

  • 数码摄像机

 S-89110A.pdf

S-89110A

CMOS运算放大器 S-89110/89120系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。S-89110A/89120A系列是CMOS型运算放大器。

  • 内置相位补偿电路,具有可在低电压驱动、低消耗电流下工作的特点,所以最适合用在电池工作的小型移动设备上

  • S-89110A/89120A系列是单运算放大器 (带有1个电路)。

  • S-89110B/89120B系列是双运算放大器 (带有2个电路)。

 

特点:

  • 与传统的通用运算放大器相比,可以低电压工作:Vdd = 1.8 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路)

    Idd = 50 µA (S-89110系列)

    Idd = 10 µA (S-89120系列)

  • 低输入失调电压:4.0 mV (最大值)

  • 利用内部相位补偿,故不需外接元件

  • 全振幅输出

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 

用途:

  • 手机

  • 笔记本PC

  • 数码相机

  • 数码摄像机

 S-89120A.pdf

S-89120A

CMOS运算放大器 S-89110/89120系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。S-89110A/89120A系列是CMOS型运算放大器。

  • 内置相位补偿电路,具有可在低电压驱动、低消耗电流下工作的特点,所以最适合用在电池工作的小型移动设备上。

  • S-89110A/89120A系列是单运算放大器 (带有1个电路)。

  • S-89110B/89120B系列是双运算放大器 (带有2个电路)。

 

特点:

  • 与传统的通用运算放大器相比,可以低电压工作:Vdd = 1.8 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路)

    Idd = 50 µA (S-89110系列)

    Idd = 10 µA (S-89120系列)

  • 低输入失调电压:4.0 mV (最大值)

  • 利用内部相位补偿,故不需外接元件

  • 全振幅输出

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 

用途:

  • 手机

  • 笔记本PC

  • 数码相机

  • 数码摄像机

 S-89110B.pdf

S-89110B

CMOS运算放大器 S-89110/89120系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。S-89110A/89120A系列是CMOS型运算放大器。

  • 内置相位补偿电路,具有可在低电压驱动、低消耗电流下工作的特点,所以最适合用在电池工作的小型移动设备上。

  • S-89110A/89120A系列是单运算放大器 (带有1个电路)。

  • S-89110B/89120B系列是双运算放大器 (带有2个电路)。

 

特点:

  • 与传统的通用运算放大器相比,可以低电压工作:Vdd = 1.8 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路)

    Idd = 50 μA (S-89110系列)

    Idd = 10 μA (S-89120系列)

  • 低输入失调电压:4.0 mV (最大值)

  • 利用内部相位补偿,故不需外接元件

  • 全振幅输出

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 

用途:

  • 手机

  • 笔记本PC

  • 数码相机

  • 数码摄像机

 S-89120B.pdf

S-89120B

CMOS运算放大器 S-89110/89120系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。S-89110A/89120A系列是CMOS型运算放大器。

  • 内置相位补偿电路,具有可在低电压驱动、低消耗电流下工作的特点,所以最适合用在电池工作的小型移动设备上。

  • S-89110A/89120A系列是单运算放大器 (带有1个电路)。

  • S-89110B/89120B系列是双运算放大器 (带有2个电路)。

 

特点:

  • 与传统的通用运算放大器相比,可以低电压工作:Vdd = 1.8 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路)

    Idd = 50μA (S-89110系列)

    Idd = 10μA (S-89120系列)

  • 低输入失调电压:4.0 mV (最大值)

  • 利用内部相位补偿,故不需外接元件

  • 全振幅输出

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 

用途:

  • 手机

  • 笔记本PC

  • 数码相机

  • 数码摄像机

 S-89130B.pdf

S-89130B

微型模拟系列 CMOS运算放大器 S-89130/89140系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。,S-89130/89140 系列是CMOS 型运算放大器,内置相位补偿电路,具有低电压工作,低消耗电流的特点,并可在 -40°C ~ +125°C 的宽温度范围内使用

  • 本产品是双运算放大器 (带有2 个电路)

 

特点:

  • 低电压工作:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路)

    Idd = 1.00 mA (典型值) (S-89130 系列,Vdd = 5.0 V)

    Idd = 0.27 mA (典型值) (S-89140 系列,Vdd = 5.0 V)

  • 低输入失调电压

    Vio = 6.0 mV (最大值) (S-89130 系列)

    Vio = 7.0 mV (最大值) (S-89140 系列)

  • 工作温度范围:-40°C ~ +125°C

  • 利用内部相位补偿,故不需外接元件

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 

用途:

  • 电流检测

  • 信号放大

  • 缓冲器

  • 有源滤波器

  • 各种电子电气设备

 S-89140B.pdf

S-89140B

微型模拟系列 CMOS运算放大器 S-89130/89140系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。S-89130/89140 系列是CMOS 型运算放大器。内置相位补偿电路,具有低电压工作、低消耗电流的特点。并可在 -40°C ~ +125°C 的宽温度范围内使用。

  • 本产品是双运算放大器 (带有2 个电路)。

 

特点:

  • 低电压工作:Vdd = 2.7 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路)

    Idd = 1.00 mA (典型值) (S-89130 系列、Vdd = 5.0 V)

    Idd = 0.27 mA (典型值) (S-89140 系列、Vdd = 5.0 V)

  • 低输入失调电压

    Vio = 6.0 mV (最大值) (S-89130 系列)

    Vio = 7.0 mV (最大值) (S-89140 系列)

  • 工作温度范围:-40°C ~ +125°C

  • 利用内部相位补偿,故不需外接元件

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

 

用途:

  • 电流检测

  • 信号放大

  • 缓冲器

  • 有源滤波器

  • 各种电子电气设备

 S-89713B.pdf

S-89713B

低输入失调电压CMOS运算放大器 2电路 S-89713系列

描述:

  • 微型模拟器是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。这个产品是具备低输入失调电压以及Rail-to-Rail的输入与输出的、自稳零工作型的零点漂移放大器。

  • 最适合于尽量避免失调电压的应用电路。

  • 这个产品是双运算放大器(有2个电路)。

 

特点:

  • 低输入失调电压:10 µV(最大值)

  • 低电压工作:VDD = 2.65 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流

    IDD = 165 µA Typ.(每个电路)

    IDD = 330 µA Typ.(每2个电路)

  • 内置相位补偿电路,不需要外接元器件

  • 输入与输出的Rail-to-Rail

  • 无铅产品

 

用途:

  • 各种传感器接口

  • 高精度电流检测

  • 应变仪放大器

  • 游戏机

  • 各种电子设备

 S89713_C.pdf

S-89713

低输入失调电压CMOS运算放大器 2电路 S-89713系列

描述:

S-89713系列是具备低输入失调电压以及Rail-to-Rail的输入与输出的、自稳零工作型的零点漂移放大器。最适合于尽量避免失调电压的应用电路。

S-89713系列是双运算放大器 (有2个电路)。


特点:

• 输入失调电压低 : VIO = 10 μV (最大值) (Ta = +25°C)

• 工作电源电压范围 : VDD = 2.65 V ~ 5.50 V

• 消耗电流低 : 

IDD = 165 μA (典型值) (1个电路、Ta = +25°C)

IDD = 330 μA (典型值) (2个电路、Ta = +25°C)

• 有内部相位补偿: 不需外接器元件

• Rail-to-Rail的输入与输出

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +85°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素


途:

• 各种传感器接口

• 高精度电流检测

• 应变仪放大器

• 游戏机

• 各种电子设备


 S89630A_C.pdf

S-89630A

工作温度125°C、低输入失调电压的CMOS运算放大器 S-89630A

描述:

本IC是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。它具备低输入失调电压以及Rail-to-Rail的输入与输出,是斩波稳定型的零点漂移放大器。最适宜于想极力抑制失调电压的应用电路。

S-89630AB是双运算放大器 (2个电路)。


特点:

• 输入失调电压低 : VIO = +50 μV (最大值) (Ta = −40°C ~ +125°C)

• 输入失调电压温漂低 :

ΔVIO/ΔTa = ±25 nV/°C (典型值) (VDD = 30.0 V, Ta = −40°C ~ +125°C)

• 工作电源电压范围 : 

 VDD = 4.0 V ~ 36.0 V (单电源)

 VDD = ±2.0 V ~ ±18.0 V (双电源)

• 消耗电流低 (1个电路) : IDD = 250 μA (典型值)

• 输入噪声电压低 : VNOISE_pp = 0.8 μVpp (典型值) (f = 0.1 Hz ~ 10 Hz)

• 输入噪声电压密度低 : VNOISE = 25 nV/√Hz (典型值) (f = 1 kHz)

• 内置输出电流限制电路 : 限制输出端子短路时的过电流

• 有内部相位补偿 : 不需外接元器件

• Rail-to-Rail的输入与输出

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素


用途:

• 高精度电流检测

• 各种传感器接口

• 应变仪放大器


 S-89530A.pdf

S-89530A

0.7 μA Rail-to-Rail CMOS比较器 S-89530A/89531A系列

描述:

  • 微型模拟系列是在超小型封装中搭载通用模拟电路的IC。

  • S-89530/89531系列 是具有Rail-to-Rail的输入及输出的CMOS比较器。与传统的比较器相比,具有低电压驱动,低消耗电流的特点,所以最适合应用在电池驱动的小型移动设备上。

 

特点:

  • 与传统的通用比较器相比,能以低电压工作 VDD=0.9~5.5V

  • 低消耗电流:IDD=0.7μA 典型值

  • 宽输入及输出电压范围:VCMR=VSS~VDD

  • 低输入失调电压:5.0mV 最大值

  • 无铅、Sn 100%、无卤素

 

用途:

  • 手机

  • 数码相机

  • PDA

  • 笔记本电脑

  • 数码摄像机

 S-89531A.pdf

S-89531A

0.7 μA Rail-to-Rail CMOS比较器 S-89530A/89531A系列

描述:

  • 微型模拟系列是在超小型封装中搭载通用模拟电路的IC。

  • S-89530/89531系列 是具有Rail-to-Rail的输入及输出的CMOS比较器。与传统的比较器相比,具有低电压驱动,低消耗电流的特点,所以最适合应用在电池驱动的小型移动设备上。

 

特点:

  • 与传统的通用比较器相比,能以低电压工作:VDD=0.9~5.5V

  • 低消耗电流:IDD=0.7μA 典型值

  • 宽输入及输出电压范围:VCMR=VSS~VDD

  • 低输入失调电压:5.0mV 最大值

  • 无铅、Sn 100%、无卤素

 

用途:

  • 手机

  • 数码相机

  • PDA

  • 笔记本电脑

  • 数码摄像机

 S-89210A.pdf

S-89210A

CMOS比较器 1电路 S-89210/89220系列

描述:

  • 微型模拟系列是在超小型封装中搭载通用模拟电路的IC。

  • S-89210/89220系列 是CMOS型比较器,具有宽工作电源电压、超低消耗电流的特点,所以最适合应用在电池驱动的小型移动设备上。

 

特点:

  • 低电压工作:VDD=1.8~5.5V

  • 低消耗电流

    IDD=50μA (S-89210ACNC)

    IDD=10μA (S-89220ACNC)

  • 低输入失调电压:4.0mV 最大值

  • 无铅产品

 

用途:

  • 手机

  • PDA

  • 照相机

  • 数码相机

  • 摄录一体机

  • 笔记本电脑

 S-89220A.pdf

S-89220A

CMOS比较器 1电路 S-89210/89220系列

描述:

  • 微型模拟系列是在超小型封装中搭载通用模拟电路的IC。

  • S-89210/89220系列 是CMOS型比较器,具有宽工作电源电压、超低消耗电流的特点,所以最适合应用在电池驱动的小型移动设备上。

 

特点:

  • 低电压工作:VDD=1.8~5.5V

  • 低消耗电流

    IDD=50μA (S-89210ACNC)

    IDD=10μA (S-89220ACNC)

  • 低输入失调电压:4.0mV 最大值

  • 无铅产品

 

用途:

  • 手机

  • PDA

  • 照相

  • 机数码相机

  • 摄录一体机

  • 笔记本电脑

 S-89230B.pdf

S-89230B

微型模拟系列 CMOS比较器 S-89230/89240系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。

  • S-89230/89240系列是CMOS型比较器,具有低电压驱动、低消耗电流的特点,所以最适合应用在电池驱动的小型携带设备上。

  • 本产品是双比较器 (带有2个电路)。

 

特点:

  • 与传统的通用比较器相比,能以低电压工作:Vdd = 1.8 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路)

    Idd = 23μA 典型值 (S-89230系列)

    Idd = 5 μA 典型值 (S-89240系列)

  • 低输入失调电压:4.0 mV (最大值)

  • 全振幅输出

  • 双比较器 (带有2个电路)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 手机

  • 笔记本PC

  • 数码相机

  • 数码摄像机

 S-89240B.pdf

S-89240B

微型模拟系列 CMOS比较器 S-89230/89240系列

描述:

  • 微型模拟系列是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。

  • S-89230/89240系列是CMOS型比较器,具有低电压驱动、低消耗电流的特点,所以最适合应用在电池驱动的小型携带设备上。

  • 本产品是双比较器 (带有2个电路)。

 

特点:

  • 与传统的通用比较器相比,能以低电压工作:Vdd = 1.8 V ~ 5.5 V

  • 低消耗电流 (每个电路)

    Idd = 23 µA 典型值 (S-89230系列)

    Idd = 5 µA 典型值 (S-89240系列)

  • 低输入失调电压:4.0 mV (最大值)

  • 全振幅输出

  • 双比较器 (带有2个电路)

  • 无铅产品

 

用途:

  • 手机

  • 笔记本PC

  • 数码相机

  • 数码摄像机

IC
二级管

SDB10A40

SDB310D

SDP410D

SDS2836F

SDS2838F

SDS914

SDV703WK
漏电保护IC,定时IC

IL072D

IL1117

该IL1117是一系列的低压差稳压lators可提供高达1A的输出电流。该IL1117是在8固定电压可用, 1.2 ,1.25 ,1.5,1.8 , 2.5 ,2.85 ,3.3和5.0V 。此外,它也可用能够在可调版本。片上精密微调调整基准/输出电压范围内±2%。电流限制也修剪,以确保指定输出电流和控制短路电流。该IL1117系列有SOT- 223 , TO -252 ,TO- 220封装。最低10uF的钽电容是必需的在输出端,以改善瞬态响应和台站相容性

 

特点

  • 漏失电压 - 1.2V (典型值)

  • 参考/输出电压调整至± 1 %

  • 最大输入电压 - 15V

  • 可调输出电压,或固定1.2V, 1.25V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 2.85V, 3.3V, 5V

  • 线路调整率通常在0.2 %以下

  • 负载调整率通常在0.4 %以下

  • 电流限制和热保护

  • 标准的3针电源封装

  • 工作结温范围-40至+ 125°C(对于IL1117-1.2V - 0至+ 150℃)


IL2902/04

IL324D

IL34118/19

IL3480

IL358DT

IL386N

IL494N

IL7042

IL7102

IL78L05/08/09

IL78L12

ILC555

IN24LC02BD

IN74HC

IW4052

TL431

IL34063
工具

 MU1D_evalmanual_A1en.pdf

MU1D

 MSA1D_evalmanual_A1en.pdf

iC-MSA EVAL MSA1D

Features

• IC configuration made easy by parameter tables and tool tips 

• Editing of application-specific default setups (*.hex) with CRC calculation 

• Access to DUT and transfer of setup data to RAM and/or EPPROM 

• Storage of IC setups as Intel Hex file for programming devices


磁环

 MU18S_30-32N_codedata_B1en.pdf

MU18S 30-32N

Description/Options:

2-Track nonius encoder disc 

Bipolar magnetized 

Number of pole pairs: master 32, nonius 31 

Outer diameter 30 mm, for 11.0 mm shafts 

Injection molded permanent magnet material

 MU28S_34-32N_codedata_A2en.pdf

MU28S 34-32N

Description/Options:

2-Track nonius encoder disc, bipolar magnetized 

Number of pole pairs: master 32, nonius 31 

Outer diameter 34 mm, for 18 mm shaft 

Injection molded permanent magnet material

 MU35S_56-64N_codedata_A2en.pdf

MU35S 56-64N
车载用IC

 S19914A_C.pdf

S-19914/15 A/B

描述:

S-19914/19915系列是使用高耐压CMOS工艺技术开发的降压型DC-DC控制器。

最大工作电压高达36 V,FB端子电压维持±1.5%的高精度。内置扩频时钟发生电路,可减少PWM工作时的传导噪声和放射噪声。采用小型的HSNT-8(2030)等适于高密度安装的封装,为设备的小型化做出贡献。

可以通过选项选择PWM控制 (S-19914系列) 和PWM / PFM切换控制 (S-19915系列)。

内置有同步整流电路,与以往的降压型DC-DC控制器相比,更易实现高效率化。还内置有保护IC或线圈

免受过大负载电流损坏的过载电流保护电路、防止因发热导致IC受损的热敏关闭电路。


特点:

  • 输入电压 : 4.0 V ~ 36.0 V 

  • 输出电压 (外部设定) : 2.5 V ~ 12.0 V 

  • 输出电流 : 1 A

  • FB端子电压精度 : ±1.5%

  • 效率 : 91% 

  • 振荡频率 : 2.2 MHz (典型值)

  • 扩频时钟发生功能 : FSSS = +6% (典型值) (扩展率)

  • 过载电流保护功能 : 1.85 A (典型值) (逐脉冲方式)

  • 热敏关闭功能 : 170°C (典型值) (检测温度)

  • 短路保护功能 : Hiccup控制、Latch控制

  • 100%占空系数工作

  • 软启动功能 : 5.8 ms (典型值)

  • 欠压锁定功能 (UVLO) : 3.35 V (典型值) (检测电压)

  • 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

  • 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

  • 可耐受45 V抛负载

  • 符合AEC-Q100标准*1


用途:

  • 相机模组

  • 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

  • 汽车车载设备的稳压电源

  • 产业器械的稳压电源

  • 家电产品的稳压电源


 S19212B_DxxA_C.pdf

S-19212B/DxxA系列

车载用、工作温度125°C、36 V输入、250 mA的电压稳压器 S-19212B/DxxA系列

描述:

S-19212B/DxxA系列是采用高耐压CMOS工艺技术开发的高耐压、低消耗电流、高精度输出电压的正电压电压稳压器,内置了ON /OFF控制电路。ABLIC提供热模拟分析服务、FIT值计算服务。


特点:

• 输出电压 : 在2.5 V ~ 16.0 V的范围内,以0.1 V为进阶单位来选择

• 输入电压 : 3.0 V ~ 36 V

• 输出电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 消耗电流 : 

工作时 : 6.5 μA (典型值)、8.5 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C)

休眠时 : 0.1 μA (典型值)、3.5 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 输出电流 : 可输出250 mA (VIN≥VOUT(S) + 2.0 V时)*1

• 输入电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (大于或等于1.0 μF)

• 输出电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (1.0 μF ~ 100 μF)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度165°C (典型值)

• 内置ON / OFF控制电路 : 能够延长电池的使用寿命

 有放电分路功能

• 工作温度范围 Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*2 


用途:

• 汽车车载设备的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

 S19514_19515_C.pdf

S-19514/S-19515

车载、工作温度125°C、36V输入、250mA、内置窗口看门狗定时器、带复位功能的稳压器 S-19514/19515系列

描述:

S-19514/19515系列是采用高耐压CMOS技术开发的具有窗口看门狗定时器和复位功能的低压差正电压稳压器,具有高耐压。看门狗定时器的监控时间可以通过外接电容进行调整。此外,还准备了监视输出电压的电压检测电路。


特点:

稳压器部分

• 输出电压 : 3.3 V、5.0 V

• 输入电压 : 3.0 V ~ 36.0 V

• 输出电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)

• 输入输出电压差 : 100 mV (典型值) (5.0 V输出产品、IOUT = 100 mA)

• 输出电流 : 可输出250 mA (VIN = VOUT(S) + 1.0 V)*1

• 输入、输出电容器 : 能够使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度170°C (典型值)

检测器部分

• 检测电压 : 在2.6 V ~ 4.7 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

• 检测电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)

• 滞后幅度 : 0.12 V (最小值)

• 可调整解除延迟时间*2 : 20 ms (典型值) (CDLY = 10 nF)

看门狗定时器部分

• 可调整看门狗工作电流 : 1.5 mA (典型值) (WADJ端子为开路状态)

• 可调整看门狗触发时间*2 : 46 ms (典型值) (CDLY = 10 nF)

• 可选择产品类型 : S-19514系列 (有WEN端子产品 (输出 : WO / RO端子))

 S-19515系列 (无WEN端子产品 (输出 : WO端子、RO端子))

• 自律看门狗工作功能 : 通过负载电流的检测,看门狗定时器工作

• 看门狗模式 : 窗口模式

整体

• 消耗电流 : 3.0 μA (典型值) (看门狗定时器停止时)

 5.0 μA (典型值) (看门狗定时器工作时)

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*3



用途:

• 车载用电子装载设备的稳压电源、微机监视


 S19516_19517_C.pdf

S-19516/S-19517

车载用、工作温度125°C、带复位功能、内置窗口看门狗定时器、36 V输入、500 mA的电压稳压器 S-19516/S-19517系列

描述:

S-19516/19517系列是采用高耐压CMOS技术开发的高耐压、带复位功能、内置窗口看门狗定时器的低压差型正电压电压稳压器。看门狗定时器的监视时间可通过外接电容器来调整。此外,还备有可监视输出电压的电压检测电路。


特点:

稳压器部分

• 输出电压 : 3.3 V、5.0 V

• 输入电压 : 3.0 V ~ 36.0 V

• 输出电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)

• 输入输出电压差 : 100 mV (典型值) (5.0 V输出产品、IOUT = 100 mA)

• 输出电流 : 可输出500 mA (VIN = VOUT(S) + 1.0 V)*1

• 输入、输出电容器 : 能够使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度170°C (典型值)

检测器部分

• 检测电压 : 在2.6 V ~ 4.7 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

• 检测电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)

• 滞后幅度 : 0.12 V (最小值)

• 可调整解除延迟时间*2 : 20 ms (典型值) (CDLY = 10 nF)

看门狗定时器部分

• 可调整看门狗工作电流 : 1.5 mA (典型值) (WADJ端子为开路状态)

• 可调整看门狗触发时间*2 : 46 ms (典型值) (CDLY = 10 nF)

• 可选择产品类型 : 

S-19516系列 (有WEN端子产品 (输出 : WO / RO端子))

S-19517系列 (无WEN端子产品 (输出 : WO端子、RO端子))

• 自律看门狗工作功能 : 通过负载电流的检测,看门狗定时器工作

• 看门狗模式 : 窗口模式

整体

• 消耗电流 :

 3.0 μA (典型值) (看门狗定时器停止时)

 5.0 μA (典型值) (看门狗定时器工作时)

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*3


用途:

• 车载用电子装载设备的稳压电源、微机监视 


 S19518_C.pdf

S-19518

车载用、工作温度125°C、带复位功能、内置窗口看门狗定时器、36 V输入、250 mA的电压稳压器 S-19518系列

描述:

S-19518系列是采用高耐压CMOS技术开发的高耐压、带复位功能、内置窗口看门狗定时器的低压差型正电压电压稳压器。看门狗定时器的监视时间可通过外接电容器来调整。此外,还备有可监视输出电压的电压检测电路。


特点:

稳压器部分

• 输出电压 : 3.3 V、5.0 V

• 输入电压 : 3.0 V ~ 36.0 V

• 输出电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)

• 输入输出电压差 : 100 mV (典型值) (5.0 V输出产品、IOUT = 100 mA)

• 输出电流 : 可输出250 mA (VIN = VOUT(S) + 1.0 V)*1

• 输入、输出电容器 : 能够使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度170°C (典型值)

• 内置ON / OFF控制电路 : 能够延长电池的使用寿命

检测器部分

• 检测电压 : 在2.6 V ~ 4.7 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

• 检测电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)

• 滞后幅度 : 0.12 V (最小值)

• 可调整解除延迟时间*2 : 20 ms (典型值) (CDLY = 10 nF)

看门狗定时器部分

• 看门狗工作电流 : 1.5 mA (典型值)

• 可调整看门狗触发时间*2 : 46 ms (典型值) (CDLY = 10 nF)

• 自律看门狗工作功能 : 通过负载电流的检测,看门狗定时器工作

• 看门狗模式 : 窗口模式

整体

• 消耗电流 :

 3.2 μA (典型值) (稳压器工作时、看门狗定时器停止时)

0.1 μA (典型值) (稳压器停止时)

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*3


用途:

• 车载用电子装载设备的稳压电源、微机监视


 S19519_C.pdf

S-19519

车载用、工作温度125°C、带复位功能、内置窗口看门狗定时器、36 V输入、500 mA的电压稳压器 S-19519系列

描述:

S-19519系列是采用高耐压CMOS技术开发的高耐压、带复位功能、内置窗口看门狗定时器的低压差型正电压电压稳压器。看门狗定时器的监视时间可通过外接电容器来调整。此外,还备有可监视输出电压的电压检测电路。


特点:

稳压器部分

• 输出电压 : 3.3 V、5.0 V

• 输入电压 : 3.0 V ~ 36.0 V

• 输出电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)

• 输入输出电压差 : 100 mV (典型值) (5.0 V输出产品、IOUT = 100 mA)

• 输出电流 : 可输出500 mA (VIN = VOUT(S) + 1.0 V)*1

• 输入、输出电容器 : 能够使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度170°C (典型值)

• 内置ON / OFF控制电路 : 能够延长电池的使用寿命

检测器部分

• 检测电压 : 在2.6 V ~ 4.7 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

• 检测电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)

• 滞后幅度 : 0.12 V (最小值)

• 可调整解除延迟时间*2 : 20 ms (典型值) (CDLY = 10 nF)

看门狗定时器部分

• 看门狗工作电流 : 1.5 mA (典型值) (WADJ端子为开路状态)

• 可调整看门狗触发时间*2 : 46 ms (典型值) (CDLY = 10 nF)

• 可选择产品类型 : S-19519A系列 (TO-252-9S封装产品、HSOP-8A封装产品)

 S-19519B系列 (HTSSOP-16封装产品)

• 自律看门狗工作功能 : 通过负载电流的检测,看门狗定时器工作

• 看门狗模式 : 窗口模式

整体

• 消耗电流 : 3.2 μA (典型值) (稳压器工作时、看门狗定时器停止时)

 0.1 μA (典型值) (稳压器停止时)

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*3


用途:

• 车载用电子装载设备的稳压电源、微机监视


 S19113xxxA_C.pdf

S-19113xxxA

车载用、工作温度125°C、带SENSE端子反向连接保护、延迟功能 (外部设定延迟时间)、36 V的电压检测器 S-19113xxxA系列。

描述:

本IC是使用CMOS技术开发的,高精度电压检测IC。检测电压和解除电压在内部被固定,精度为±1.5%。

除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子),即使SENSE端子电压 (VSENSE) 下降到0 V,也会保持输出稳定。

同时,还内置了SENSE端子反向连接保护电路,可以抑制反向连接时流入SENSE端子的电流。

另外,通过外接电容器还可以延迟解除信号输出,解除延迟时间的精度为±15% (CD = 3.3 nF)。输出形态为N沟道开路漏极输出。


特点:

• 检测电压 : 4.0 V ~ 10.0 V (以0.05 V为进阶单位)

• 检测电压精度 : ±1.5%

• 可选择滞后幅度有、无 : 

 有 : 5.0%, 10.0%

 无 : 0%

• 解除延迟时间精度 : ±15% (CD = 3.3 nF)

• 消耗电流 : 0.6 μA (典型值)

• 输出方式 : N沟道开路漏极输出

• 内置反向连接保护电路 : 抑制反向连接时流入SENSE端子的电流

• 工作电压范围 : 3.0 V ~ 36.0 V

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准


用途:

• 车载电池的电压检测

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)


 S19720_C.pdf

S-19720

车载用、工作温度125°C、防止反向电流、36 V输入、50 mA的电压跟踪器 S-19720系列

描述:

本IC是采用高耐压CMOS工艺技术开发的高耐压、低消耗电流、备有防止反向电流功能的电压跟踪器。

最大工作电压可高达36 V,并可在低消耗电流30 μA (典型值) 下工作,以削减暗电流。

因内部的相位补偿可稳定工作,因此作为输出电容器可使用ESR低的陶瓷电容器。

为了限制负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路;为了防止因发热引起对产品的破坏,内置了热敏关闭电路。

此外,通过内置的防止反向电流功能来抑制从VOUT端子流入VIN端子的反向电流,电流值仅控制在−5 μA (最小值)。因此,IC不需要连接保护二极管。


特点:

• 输入电压 : 4.0 V ~ 36.0 V

• 失调电压: ±5 mV (0.1 mA≤IOUT≤50 mA)

• 输入输出电压差 : 160 mV (典型值) (VADJ / EN = 4.0 V,IOUT = 10 mA)

• 消耗电流 : 

工作时 : 30 μA (典型值)

休眠时 : 4.0 μA (典型值)

• 输出电流 : 可输出50 mA (VIN = VADJ / EN + 2.0 V)*1

• 输入电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (大于或等于1.0 μF)

• 输出电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (1.0 μF ~ 1000 μF)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度175°C (典型值)

• 防止反向电流功能: IREV = −5 μA (最小值) (VIN = 0 V, VADJ / EN = 5.0 V, VOUT = 16.0 V)

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*2


用途:

• 车载用车外传感器的电源

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)


 S57TZ_S_C.pdf

S-57TZ S

车载用、工作温度150°C、高耐压、高速、Zero Crossing Latch霍尔效应IC S-57TZ S系列

描述:

本IC是采用CMOS技术开发的可在高温环境下工作、高耐压的高精度霍尔效应IC。

本IC在检测到磁束密度 (磁场) 的极性变化时,切换输出电压的电位。与以往的交变检测方式相比,Zero Crossing Latch技术实现了高精度的极性变化检测。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。


特点:

• 备有薄型的 (t0.80 mm (最大值)) TSOT-23-3S和超薄型的 (t0.50 mm (最大值)) HSNT-6(2025) 封装,可实现设备的小型化

• 通过检测磁束密度 (磁场) 的极性变化,可减少机械设备的工作差异

• 具备适宜车载品质的生产体系,可用于追求高品质的设备

• 内置有反向连接保护电路和输出电流限制电路,可提高设备的安全设计


用途:

• 车载用DC无刷电动机

• 汽车装载器械

• 住宅设备

• 产业设备


 S57RB_S_C.pdf

S-57RB S

车载用、工作温度150°C、高耐压、高速、交变检测型霍尔效应IC S-57RB S系列

描述:

本IC是采用CMOS技术开发的可在高温环境下工作、高耐压的高精度霍尔效应IC。

通过检测磁束密度的强弱以及极性变化,可切换输出电压的电位。通过与磁石的组合,可对各种设备的翻转进行检测。


特点:

• 备有薄型的 (t0.80 mm (最大值)) TSOT-23-3S和超薄型的 (t0.50 mm (最大值)) HSNT-6(2025) 封装,可实现设备的小型

• 具备高精度磁特性 (典型值 ±1.0 mT),可减少机械设备的工作差异 (详情请参阅 " 磁特性")

• 具备适宜车载品质的生产体系,可用于追求高品质的设备

• 内置有反向连接保护电路和输出电流限制电路,可提高设备的安全设计


用途:

• 车载用DC无刷电动机

• 汽车装载器械

• 住宅设备

• 产业设备


 S25A010_020_040_C.pdf

S-25A010A/S-25A020A/S-25A040A

车载用125℃工作SPI串行EEPROMS-25A010A/020A/040A  (1K/2K/4K位)

描述:

用于车载的、可在高温环境下工作的、高速、宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。容量为 1K,2K,4K 位,构成是128 字×8 位,256 ×8 位,512 字×8 位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围:

读出时: 2.5 V ~ 5.5 V

写入时: 2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:6.5 MHz (最大值)

  • 写入时间:4.0 ms (最大值)

  • 支持SPI模式 (0, 0) & (1, 1)

  • 页写入功能:16 字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能:软件、硬件

  • 保护空间:25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS施密特输入 (CS , SCK, SI, WP , HOLD)

  • 重写次数:

106次 / 字*1 (Ta = +25°C)

5 × 105次 / 字*1 (Ta = +125°C)

  • 数据保存期:

100年 (Ta = +25°C)

50年 (Ta = +125°C)

  • 存储器容量:

S-25A010A: 1K位

S-25A020A: 2K位

S-25A040A: 4K位

  • 首次出厂时数据:FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 老化测试规格:晶元级老化测试

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +125°C

  • 无铅

  • Sn 100%

  • 无卤素

  • 应对 AEC-Q100 标准*2 

*1. 每个地址 (字 :8 位)

*2. 详情请与代理商联系


 S25A080_160_320_C.pdf

S-25A080/S-25A160/S-25A320

车载用125℃工作SPI 串行EEPROMS-25A080A/160A/320A, S-25A080B/160B/320B (8K/16K/32K位)

描述:

用于车载的、可在高温环境下工作的、高速、宽工作电压范围的 SPI 串行 E2PROM。容量为 8 K,16 K,32 K 位,构成是 1024 字×8 位,2048×8 位,4096 字×8 位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围:

读出时 : 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 : 2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作频率 : 6.5 MHz (最大值)

  • 写入时间:

S-25A080A/160A/320A : 4.0 ms (最大值)

S-25A080B/160B/320B : 5.0 ms (最大值)

  • 支持 SPI 模式 (0, 0) & (1, 1)

  • 页写入功能 : 32 节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能 : 软件、硬件

  • 保护领域 : 25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS 施密特输入 ( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数*1

S-25A080A/160A/320A: 106次/字*2 (Ta=+25℃),5×105 次/字*2 (Ta =+125℃)

S-25A080B/160B/320B: 106次/字*2 (Ta=+25℃),3×105 次/字*2 (Ta =+125℃)

  • 数据保存期 : 

100 年 (Ta=+25℃)

50 年 (Ta=+125℃)

  • 存储器容量:

S-25A080A, S-25A080B : 8 K 位

S-25A160A, S-25A160B : 16 K 位

S-25A320A, S-25A320B : 32 K 位

  • 首次出厂时数据 : FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 老化测试规格 : 晶元级老化测试

  • 工作温度范围 : Ta =-40℃ ~ +125℃

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素*3

  • 应对 AEC-Q100 标准*4

*1. 详情请参阅 "■重写次数"。

*2. 每个地址 (字 : 8 位)

*3. 详情请参阅 "产品型号的构成"。

*4. 详情请与本公司营业部门联系。

 S25A640_C.pdf

S-25A640A/S-25A640B

车载用 125℃ 工作 SPI 串行EEPROM S-25A640A/S-25A640B (64K位)

描述:

用于车载的、可在高温环境下工作的、高速、宽工作电压范围的 SPI 串行EEPROM。容量为 64 K位,构成是 8192 字 × 8 位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围:

 读出时 : 2.5 V ~ 5.5 V

 写入时 : 2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作频率:

 S-25A640A : 5.0 MHz (最大值)

 S-25A640B : 6.5 MHz (最大值)

  • 写入时间:

 S-25A640A : 4.0 ms (最大值)

 S-25A640B : 5.0 ms (最大值)

  • 支持 SPI 模式 (0, 0) & (1, 1)

  • 页写入功能 : 32 节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能 : 软件、硬件

  • 保护领域 : 25%, 50%, 100%

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS 施密特输入 ( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

  • 重写次数*1

 S-25A640A : 106 次 / 字*2 (Ta = +25℃),5 × 105 次 / 字*2 (Ta = +125℃)

 S-25A640B : 106 次 / 字*2 (Ta = +25℃),3 × 105 次 / 字*2 (Ta = +125℃)

  • 数据保存期 : 

 100 年 (Ta = +25℃)

 50 年 (Ta = +125℃)

  • 存储器容量 : 64 K位

  • 首次出厂时数据 : FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

  • 老化测试规格 : 晶元级老化测试

  • 工作温度范围 : Ta = -40℃ ~ +125℃

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素*3

  • 应对 AEC-Q100 标准*4

*1. 详情请参阅 "■重写次数"。

*2. 每个地址 (字 : 8 位)

*3. 详情请参阅 "■产品型号的构成"。

*4. 详情请与本公司营业部门联系。


S-19700

车载用、工作温度125°C、带电流监视、可变电流限制功能、36 V输入、400 mA的电压稳压器 S-19700系列

描述:

采用CMOS技术开发的工作温度为125°C、具备电流监视功能的车载用正电压稳压器。

电压稳压器可输出400 mA (最小值) 的电流,并可使用大于或等于4.7 μF的陶瓷电容器作为输出电容器。因内置了逆电流保护功能,可把从VOUT端子流入VIN端子的反向电流控制到仅为15 μA (典型值)。

电流监视器监视流入电压稳压器的电流,输出与外接电阻值相应的电压,并限制流入电压稳压器的电流,使其不超过设定值。

S-19700系列备有两种类型的产品, 一种为由外接分压电阻来决定稳压器输出电压的外部设定产品,另一种为内置INT端子的稳压器输出电压固定的内部设定产品。


特点:

  • 输出电压 (外部设定产品):在3.3 V ~ 20.0 V的范围内,可通过外部电阻设定

  • 输出电压 (内部设定产品):在3.3 V ~ 15.0 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

  • 输入电压:4.5 V ~ 36.0 V

  • 输出电压精度:±2.3% (1.0 mA≦Iout≦30 mA, Tj = −40°C ~ +150°C)

  • 输入输出电压差:240 mV (典型值) (3.3 V输出产品, Iout = 300 mA)

  • 消耗电流

工作时 : 80 μA (典型值)、170 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +150°C)

休眠时 : 1.0 μA (典型值)、5.0 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +90°C)

  • 输出电流:可输出400 mA (Vin≧Vout + 2.0 V)*1

  • 输出电容器:能够使用大于或等于4.7 μF的陶瓷电容器

  • 内置热敏关闭电路:检测温度170°C (典型值)

  • 内置过电压检测电路:检测高电压侧的输出短路

  • 内置ON / OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择定电流下拉

  • 电流监视功能:可通过监视CSO端子电压来监视负载电流

  • 电流限制功能:可通过外部电阻来改变电流限制值

  • 反向电流防止功能:Irev = 45 μA (最大值)

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +125°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

  • 可耐受45 V抛负载

  • 符合AEC-Q100标准*2

*1. 请注意在输出大电流时的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

  • 远程LNA幻象电源

  • 汽车音响系统

  • 汽车导航系统


 S19680_C.pdf

S-19680

车载用、工作温度105°C、带电流监视功能的高侧开关 S-19680系列

描述:

采用CMOS工艺技术开发的备有电流监视功能的高侧开关。

P沟道输出晶体管为开时,可向连接在OUT端子上的负载供应电压。通过2个外接电阻监视从VIN端子流入OUT端子的电流, 可限制电流不超过设定值。根据所监视到的电流值,可检测出连接于OUT端子上的负载的短路状态和开路状态,输出报警信号。

另外,S-19680系列为了控制P沟道输出晶体管的开、关,内置了ON / OFF控制电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。热敏关闭电路可选择滞后类型或门锁类型。


 特点:

• 电源电压 : VDD = 2.7 V ~ 10.0 V

• 工作时消耗电流 : ISS1 = 12 μA (典型值), ISS1 = 24 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +105°C)

• 通态电阻 : RON = 1.1 Ω (典型值), RON = 3.7 Ω (最大值) (Tj = −40°C ~ +105°C)

• 限制电流 : 可在40 mA ~ 100 mA的范围内,以10 mA为进阶单位来选择

• 负载短路检测电流 : 可在ILIM × 0.3 ~ ILIM × 1.0的范围内 (ISHORT≥30 mA),以0.1为进阶单位来选择

• 负载开路检测电流 : 可在2.5 mA ~ 30 mA的范围内,以2.5 mA为进阶单位来选择

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度165°C (典型值)

可选择滞后类型或闩锁类型

• 内置ON / OFF控制电路 : 能够延长电池的使用寿命

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• GPS天线等的远程LNA幻象电源

• ADAS定位器

• e-call

• 汽车导航器系列

• 汽车音响系列


S-19701

车载用、工作温度125°C、带电流监视、可变电流限制功能、36 V输入、600 mA的电压稳压器 S-19701系列

描述:

采用CMOS技术开发的工作温度为125°C、具备电流监视功能的车载用正电压稳压器。

电压稳压器可输出600 mA (最小值) 的电流,并可使用大于或等于4.7 μF的陶瓷电容器作为输出电容器。因内置了逆电流保护功能,可把从VOUT端子流入VIN端子的反向电流控制到仅为15 μA (典型值)。

电流监视器监视流入电压稳压器的电流,输出与外接电阻值相应的电压,并限制流入电压稳压器的电流,使其不超过设定值。

S-19701系列备有两种类型的产品, 一种为由外接分压电阻来决定稳压器输出电压的外部设定产品,另一种为内置INT端子的稳压器输出电压固定的内部设定产品。通过将VADJ端子与GND连接,外部设定产品可作为带有电流监视器的高侧开关使用。


特点:

  • 输出电压 (外部设定产品):在3.3 V ~ 20.0 V的范围内,可通过外部电阻设定

  • 输出电压 (内部设定产品):在3.3 V ~ 15.0 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

  • 输入电压:4.5 V ~ 36.0 V

  • 输出电压精度:±2.3% (1.0 mA≦Iout≦30 mA, Tj = −40°C ~ +150°C)

  • 输入输出电压差:240 mV (典型值) (3.3 V输出产品, Iout = 300 mA)

  • 消耗电流

工作时 : 80 μA (典型值)、170 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +150°C)

休眠时 : 1.0 μA (典型值)、5.0 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +90°C)

  • 输出电流:可输出600 mA (Vin≧Vout + 2.0 V)*1

  • 输出电容器:能够使用大于或等于4.7 μF的陶瓷电容器

  • 内置热敏关闭电路:检测温度170°C (典型值)

  • 内置过电压检测电路:检测高电压侧的输出短路

  • 内置ON / OFF控制电路:能够延长电池的使用寿命

  • 可选择定电流下拉

  • 电流监视功能:可通过监视CSO端子电压来监视负载电流

  • 电流限制功能:可通过外部电阻来改变电流限制值

  • 反向电流防止功能:Irev = 45 μA (最大值)

  • 工作温度范围:Ta = −40°C ~ +125°C

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

  • 可耐受45 V抛负载

  • 符合AEC-Q100标准*2

*1. 请注意在输出大电流时的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

  • 汽车摄像头电源

  • 远程LNA幻象电源

  • 用于小电流应用的高侧电源开关


 S19246xxxH_C.pdf

19246xxxH

车载用、工作温度105°C、带软启动功能、10 V输入、2000 mA的电压稳压器 S-19246xxxH系列

描述:

采用高耐压CMOS工艺技术开发的高精度输出电压、高输出电流的正电压电压稳压器。

为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。并且,为了调整在接通电源时或将ON / OFF端子设定为ON时的输出电压的上升时间,内置了软启动电路。


特点:

• 输出电压 : 在1.0 V ~ 6.0 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

• 输入电压 : 2.5 V ~ 10.0 V

• 输出电压精度 : ±2.3% (Tj = −40°C ~ +105°C)

• 输入输出电压差 : 0.62 V (典型值) (3.0 V输出产品、IOUT = 2000 mA时)

• 消耗电流 : 

工作时 : 120 μA (典型值)、150 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +150°C)

休眠时 : 0.1 μA (典型值)、4.5 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +105°C)

• 输出电流 : 可输出2000 mA (VIN≥VOUT(S) + 1.0 V时)*1

• 纹波抑制率 : 60 dB (典型值) (f = 1.0 kHz时)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度170°C (典型值)

• 内置软启动电路 : 

可以调整在接通电源时或将ON / OFF端子设定为ON时的输出电压的上升时间。

tSS = 6.0 ms (典型值) (CSS = 10 nF)

可以通过电容器 (CSS) 改变软启动时间

• 内置ON / OFF控制电路 : 

能够延长电池的使用寿命

可选择放电分路功能的 "有" / "无"

可选择下拉功能的 "有" / "无"

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 通信模块的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

• 车载用 (车身、汽车前照灯、ITS、汽车装饰品、汽车导航器、汽车音响等)


 S19255_C.pdf

S-19255

车载用、工作温度125°C、5.5 V输入、300 mA的电压稳压器 S-19255系列

描述:

使用CMOS技术开发的高精度输出电压的正电压电压稳压器。纹波抑制率高达80 dB (典型值)。

为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。本IC不仅备有传统的小 型封装SOT-23-5,还增加了超小型封装HSNT-4(1010)B,更适宜高密度的安装。


 特点:

• 输出电压 : 在0.9 V ~ 3.6 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

• 输入电压 : 1.5 V ~ 5.5 V

• 输出电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 消耗电流 : 

工作时 : 55 μA (典型值)、89 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C)

休眠时 : 0.1 μA (典型值)、6.4 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 输入输出电压差 : 120 mV (典型值) (HSNT-4(1010)B封装产品、2.5 V输出产品、IOUT = 200 mA时)

• 输出电流 : 可输出300 mA (VIN≥VOUT(S) + 1.0 V时)*1

• 纹波抑制率 : 

50 dB (典型值) (VOUT(S) = 3.3 V, f = 100 kHz时)

80 dB (典型值) (VOUT(S) = 3.3 V, f = 1.0 kHz时)

• 输入电容器 : 可以使用大于或等于0.1 μF的陶瓷电容器

• 输出电容器 : 可以使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度175°C (典型值)

• 内置ON / OFF控制电路 : 

能够延长电池的使用寿命

可选择下拉功能的 "有" / "无"

可选择放电分路功能的 "有" / "无"

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

• 车载用 (前置传感摄像机、DMS、FCW): SOT-23-5封装产品

• 车载用 (汽车装饰品、汽车导航器、汽车音响等)

• 车载用全景可视摄像机:HSNT-4(1010)B封装产品

• 汽车车载设备的稳压电源


 S19310_C.pdf

S-19310

车载用、工作温度125°C、带复位功能、36 V输入、40 mA的电压稳压器 S-19310系列

描述:

采用高耐压CMOS工艺技术开发的高耐压、低消耗电流、带复位功能的低压差型正电压电压稳压器。

通过外接电容器,使用复位功能的解除信号可以调整延迟时间。复位功能的输出方式可以选择N沟道开路漏极输出或CMOS输出。


特点:

稳压器部分

• 输出电压 : 在2.9 V ~ 5.3 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

• 输入电压 : 3.0 V ~ 36.0 V

• 输出电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 输入输出电压差 : 240 mV (典型值) (VOUT(S) = 5.0 V、IOUT = 30 mA)

• 输出电流 : 可输出40 mA (VIN = VOUT(S) + 2.0 V)*1

• 输入、输出电容器 : 可以使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度160°C (典型值)

检测器部分

• 检测电压 : 在2.6 V ~ VOUT(S) − 0.3 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

• 工作电压 : 

A型: 1.8 V ~ 36.0 V

B型: 2.5 V ~ 36.0 V

• 检测电压精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 可选择滞后幅度 "有" / "无" : 

"有" : 5.0%≤VHYS≤30.0% (Tj = −40°C ~ +125°C)

"无" : VHYS = 0%

• 解除延迟时间精度 : ±20% (CD = 3.3 nF, Tj = −40°C ~ +125°C)

• 输出方式 : 

N沟道开路漏极输出

CMOS输出

整体

• 消耗电流 : 2.2 μA (典型值) (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 请注意在输出大电流时,使IC的功耗不要超过容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载用电子装载设备的稳压电源和复位电路

• 低电流的电池驱动设备的电源和复位电路


 S35390A_H_C.pdf

S-35390A H

车载用 工作温度105°C 2线 实时时钟 S-35390A H系列

描述:

S-35390A H系列是超低消耗电流、宽工作电压范围、可在105°C环境下工作的2线CMOS实时时钟IC。工作电压为1.3 V ~ 5.5 V, 可适用于从主电源电压到备用电池电压的宽幅电源电压。通过0.25 μA的计时消耗电流和宽范围的计时电源电压,可大幅度地改善电池的持续时间。在使用备用电池工作的系统中,内置的自由寄存器可作为用户备用存储器来使用。在主电源切断前存储在寄存器中的信息,可在电压恢复后的任何时候读出。

本产品因为内置了时钟校正功能,所以可以在很宽的范围内校正因振荡电路的频率偏差所导致的时钟数据的提前或滞后。通过此功能和温度传感器的结合,可根据温度变化来对时钟进行校正,从而实现不受环境温度影响的高精度的计时功能。


特点:

  • 低消耗电流 : 0.25 μA (典型值) (VDD = 3.0 V, Ta = +25℃)

  • 宽工作电压范围 : 1.3 V ~ 5.5 V

  • 内置时钟校正功能

  • 内置用户自由寄存器

  • 2线 (I2C-bus) 方式的CPU接口

  • 内置报警中断器

  • 内置低电源电压检测及电源接通时的标记生成电路

  • 内置到2099年为止的自动日历,闰年自动运算功能

  • 内置稳压电路

  • 内置32.768 kHz晶振电路 (内置Cd、外接Cg)

  • 无铅、(Sn 100%)、无卤素

  • 工作温度范围 : Ta = -40°C ~ +105°C

  • 应对AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与本公司营业部门联系。


 S93C46C_56C_66C_76C_86C_H_C.pdf

S-93C46C/S-93C56C/S-93C66C/S-93C76C/S-93C86C H

车载用工作温度105℃ 3线串行 EEPROM S-93C46C/56C/66C/76C/86C H系列

描述:

高速、低消耗电流和宽工作电压范围的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别 为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自 动地增量。通讯方式为Microwire方式。


特点:

• 存储器容量

 S-93C46C : 1 K位 (64字 × 16位)

 S-93C56C : 2 K位 (128字 × 16位)

 S-93C66C : 4 K位 (256字 × 16位)

 S-93C76C : 8 K位 (512字 × 16位)

 S-93C86C : 16 K位 (1024字 × 16位)

• 工作电压范围

 读出时 : 1.6 V ~ 5.5 V

 写入时 : 1.8 V ~ 5.5 V

• 工作频率 : 2.0 MHz (最大值)

• 写入时间 : 4.0 ms (最大值)

• 顺序读出功能

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• 重写次数 : 106次 / 字*1 (Ta = +85°C)

 8 × 105次 / 字*1 (Ta = +105°C)

• 数据保存期 : 100年 (Ta = +25°C)

 50年 (Ta = +105°C)

• 首次出厂时数据 : FFFFh

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址 (字 : 16位)

*2. 详情请与代理商联系。


 S93A46B_56B_66B_76B_86B_C.pdf

S-93A46B/S-93A56B/S-93A66B/S-93A76B/S-93A86B

车载用工作温度125℃ 3线串行EEPROM S-93A46B/56B/66B/76B/86B

描述:用于车载的、可高温工作的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位、8K位、16 K位,构成分别为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位、512字 × 16位、1024字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。 通讯方式为Microwire方式。


特点:

• 存储器容量

 S-93A46B : 1 K位 (64字 × 16位)

 S-93A56B : 2 K位 (128字 × 16位)

 S-93A66B : 4 K位 (256字 × 16位)

 S-93A76B : 8 K位 (512字 × 16位)

 S-93A86B : 16 K位 (1024字 × 16位)

• 工作电压范围

 读出时 : 2.5 V ~ 5.5 V

 写入时 : 2.5 V ~ 5.5 V

• 工作频率 : 2.0 MHz (最大值)

• 写入时间 : 4.0 ms (最大值)

• 顺序读出功能

• CMOS施密特输入 (CS, SK, DI)

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• 重写次数 : 106次 / 字*1 (Ta = +85°C)

 8 × 105次 / 字*1 (Ta = +105°C)

 5 × 105次 / 字*1 (Ta = +125°C)

• 数据保存期 : 100年 (Ta = +25°C)

 50年 (Ta = +125°C)

• 首次出厂时数据 : FFFFh

• 晶圆级老化测试 (标准规格)

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址 (字 : 16位)

*2. 详情请与代理商联系。


 S93S46A_56A_66A_C.pdf

S-93S46A/S-93S56A/S-93S66A

车载用工作温度150℃ 3 线串行EEPROM S-93S46A/56A/66A

描述:

用于车载的、可高温工作的3线串行EEPROM。容量分别为1 K位、2 K位、4 K位,构成分别为64字 × 16位、128字 × 16位、256字 × 16位。可以连续读出,这时的地址会按每16位自动地增量。通讯方式为Microwire方式。


 特点:

• 工作电压范围

 读出时 : 4.0 V ~ 5.5 V (Ta = −40°C ~ +150°C)

 写入时 : 4.0 V ~ 5.5 V (Ta = −40°C ~ +150°C)

• 工作频率 : 1 MHz

 4.5 V ~ 5.5 V (Ta = −40°C ~ +150°C)

• 写入时间 : 10.0 ms (最大值)

• 可以连续读出

• 电源电压低时禁止写入功能

• 指令误识别的防止写入功能

• CMOS施密特输入 (CS, SK)

• 重写次数*1 : 2 × 105次 / 字*2 (Ta = +150°C)

• 数据保存期 : 100年 (Ta = +25°C)

 50年 (Ta = +125°C)

 20年 (Ta = +150°C)

• 存储器容量

 S-93S46A : 1 K位

 S-93S56A : 2 K位

 S-93S66A : 4 K位

• 首次出厂时数据 : FFFFh

• 老化测试规格 : 晶圆级老化测试

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +150°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*3

*1. 详情请参阅 "■重写次数"。

*2. 每个地址 (字 : 16位)

*3. 详情请与代理商联系。


 S24C08C_H_C.pdf

S-24C08C H

车载用 工作温度105℃ 2线串行EEPROM S-24C08C H系列

描述:

S-24C08C H系列是用于车载的、可高温工作的2线串行E2PROM。容量为8 K位,构成为1024字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围 : 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能 : 16字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率 : 400 kHz (VCC = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间 : 5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去 : 备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数 : 

106次 / 字*1 (Ta = +25℃)

3×105次 / 字*1 (Ta = +85℃)

2×105次 / 字*1 (Ta = +105℃)

  • 数据保存期 :

100年 (Ta = +25℃)

30年 (Ta = +85℃)

25年 (Ta = +105℃)

  • 存储器容量 : 8 K位

  • 备有写入保护功能 : 100%

  • 首次出厂时数据 : FFh

  • 工作温度范围 : Ta = -40℃ ~ +105℃

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

  • 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址 (字 : 8位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。


 S24C16C_H_C.pdf

S-24C16C H

车载用 工作温度105℃ 2线串行EEPROM S-24C16C H系列

描述:

S-24C16C H系列是用于车载的、可高温工作的2线串行E2PROM。

容量为16 K位,构成为2048字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围 : 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能 : 16字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率 : 400 kHz (VCC = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间 : 5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去 : 备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数 : 

106次 / 字*1 (Ta = +25℃)

3×105次 / 字*1 (Ta = +85℃)

2×105次 / 字*1 (Ta = +105℃)

  • 数据保存期 :

100年 (Ta = +25℃)

30年 (Ta = +85℃)

25年 (Ta = +105℃)

  • 存储器容量 : 8 K位

  • 备有写入保护功能 : 100%

  • 首次出厂时数据 : FFh

  • 工作温度范围 : Ta = -40℃ ~ +105℃

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

  • 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址 (字 : 8位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。


 S24C32C_64C_H_C.pdf

S-24C32C/S-24C64C H

车载用 工作温度105℃ 2线串行EEPROM S-24C32C/64C H系列(32K/64K位)

描述:

S-24C32C/64C H系列是用于车载的、可高温工作的2线串行E2PROM。容量为32 K位、64 K位,构成为4096字×8位、8192字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围 : 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

  • 页写入功能 : 32字节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 工作频率 : 400 kHz (VCC = 2.5 V ~ 5.5 V)

  • 写入时间 : 5.0 ms (最大值)

  • 噪声除去 : 备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

  • 低电源电压时禁止写入功能

  • 重写次数 : 

106次 / 字*1 (Ta = +25℃)

3×105次 / 字*1 (Ta = +85℃)

2×105次 / 字*1 (Ta = +105℃)

  • 数据保存期 :

100年 (Ta = +25℃)

30年 (Ta = +85℃)

25年 (Ta = +105℃)

  • 存储器容量 :

S-24C32C    32 K位

S-24C64C    64 K位

  • 备有写入保护功能 : 100%

  • 首次出厂时数据 : FFh

  • 工作温度范围 : Ta = -40℃ ~ +105℃

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素

  • 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址 (字 : 8位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。


 S24C128C_H_C.pdf

S-24C128C H

车载用 工作温度105℃ 2线串行EEPROM S-24C128C H系列(128K位)

描述:

S-24C128C H系列是用于车载的、可高温工作的2线串行E2PROM。

容量为128 K位,构成为16384字×8位。可进行页写入和顺序读出。


特点:

• 工作电压范围 : 读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

• 页写入功能 : 64字节 / 页

• 顺序读出功能

• 工作频率 : 400 kHz (VCC = 2.5 V ~ 5.5 V)

• 写入时间 : 5.0 ms (最大值)

• 噪声除去 : 备有施密特触发器、噪声滤波器输入端子 (SCL, SDA)

• 低电源电压时禁止写入功能

• 重写次数 : 

106次 / 字*1 (Ta = +25°C)

3 × 105次 / 字*1 (Ta = +85°C)

2 × 105次 / 字*1 (Ta = +105°C)

• 数据保存期 : 

100年 (Ta = +25°C)

30年 (Ta = +85°C)

25年 (Ta = +105°C)

• 存储器容量 : 128 K位

• 备有写入保护功能 : 100%

• 首次出厂时数据 : FFh

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址 (字: 8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。


 S25C010A_020A_040A_H_C.pdf

S-25C010A/S-25C020A/S-25C040A H

车载用 工作温度105℃ SPI 串行EEPROM S-25C010A/020A/040A H系列(1K/2K/4K位)

描述:

用于车载的、可高温工作的SPI串行E2PROM。容量为1K、2K、4K位,构成是128×8位、256×8位、512×8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

· 工作电压范围: 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

· 工作频率: 6.5 MHz(4.5 V ~ 5.5 V)

· 写入时间: 4.0 ms (最大值)

· 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

· 页写入功能: 16字节/页

· 顺序读出功能

· 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

· 写入保护功能: 软件、硬件

 保护领域: 25%, 50%, 100%

· 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

· 电源电压低时禁止写入功能

· CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

· 重写次数: 

106次/字*1(Ta = +85℃)

8 × 105次/字*1(Ta = +105℃)

· 数据保存期: 

100年(Ta = +25℃)

50年(Ta = +105℃)

· 存储器容量: 

S-25C010A     1K位

S-25C020A     2K位

S-25C040A     4K位

· 首次出厂时数据: FFh, BP1 = 0, BP0 = 0

· 工作温度范围: Ta = -40℃~ +105℃

· 无铅 (Sn 100%)、无卤素

· 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址 (字:8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。


 S25C080A_H_C.pdf

S-25C080A H

车载用 工作温度105℃ SPI 串行EEPROM S-25C080A H系列(8K位)

描述:

S-25C080A H系列是用于车载的、可高温工作的SPI串行E2PROM。容量为8 K位,构成是1024字×8位。 可进行页写入、顺序读出。


特点:

· 工作电压范围: 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

· 工作频率: 6.5 MHz(4.5 V ~ 5.5 V)

· 写入时间: 4.0 ms (最大值)

· 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

· 页写入功能: 32字节/页

· 顺序读出功能

· 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

· 写入保护功能: 软件、硬件

 保护领域: 25%, 50%, 100%

· 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

· 电源电压低时的禁止写入功能

· CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

· 重写次数: 

106次/字*1(Ta = +85°C)

8 × 105次/字*1(Ta = +105°C)

· 数据保存期: 

100年(Ta = +25°C)

 50年(Ta = +105°C)

· 存储器容量: 8 K位

· 首次出厂时数据: FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

· 工作温度范围: Ta = −40°C ~ +105°C

· 无铅 (Sn 100%)、无卤素

· 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址 (字:8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。

 S25C160A_H_C.pdf

S-25C160A H

车载用工作温度105℃ SPI 串行EEPROM S-25C160A H系列(16K位)

描述:

S-25C160A H系列是用于车载的、可高温工作的SPI串行E2PROM。容量为16 K位,构成是2048字×8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

· 工作电压范围: 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

· 工作频率: 5.0 MHz(2.5 V ~ 5.5 V)

· 写入时间: 5.0 ms (最大值)

· 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

· 页写入功能: 32字节/页

· 顺序读出功能

· 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

· 写入保护功能: 软件、硬件

 保护领域: 25%, 50%, 100%

· 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

· 电源电压低时的禁止写入功能

· CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

· 重写次数: 

106次/字*1(Ta = +25℃)

3 × 105次/字*1(Ta = +85℃)

2 × 105次/字*1(Ta = +105℃)

· 数据保存期: 

100年(Ta = +25℃)

30年(Ta = +85℃)

25年(Ta = +105℃)

· 存储器容量: 16 K位

· 首次出厂时数据: FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

· 工作温度范围: Ta = -40℃ ~ +105℃

· 无铅 (Sn 100%)、无卤素

· 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址 (字:8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。


 S25C128A_H_C.pdf

S-25C128A H

车载用 工作温度105℃ SPI 串行EEPROM S-25C128A H系列(128K位)

描述:

S-25C128A H系列是用于车载的、可高温工作的SPI串行E2PROM。容量为128 K位,构成是16384字×8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

· 工作电压范围: 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

· 工作频率: 5.0 MHz(2.5 V ~ 5.5 V)

· 写入时间: 5.0 ms (最大值)

· 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

· 页写入功能: 64字节/页

· 顺序读出功能

· 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

· 写入保护功能: 软件、硬件

 保护领域: 25%, 50%, 100%

· 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

· 电源电压低时的禁止写入功能

· CMOS施密特输入( CS , SCK, SI, WP , HOLD )

· 重写次数: 

106次/字*1(Ta = +25°C)

3×105次/字*1(Ta = +85°C)

2×105次/字*1(Ta = +105°C)

· 数据保存期: 

100年(Ta = +25°C)

30年(Ta = +85°C)

25年(Ta = +105°C)

· 存储器容量: 128 K位

· 首次出厂时数据: FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

· 工作温度范围: Ta = −40°C ~ +105°C

· 无铅 (Sn 100%)、无卤素

· 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址(字:8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。


 S19213_C.pdf

S-19213

车载用、工作温度125°C、36 V输入、500 mA的 电压稳压器 S-19213系列

描述:

S-19214系列是采用高耐压CMOS工艺技术开发的高耐压、低消耗电流、高精度输出电压的正电压电压稳压器。最大工作电压可高达36 V,消耗电流却仅为5.0 μA (典型值),因此可在低消耗电流下工作。并且,由于内置了低通态电阻输出晶体管,所以输入输出电压差非常小,能够获得较大的输出电流。不仅备有可在IC内部设定输出电压型产品,还备有可通过外部电阻设定输出电压型的产品。为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。


特点:

• 输出电压 (内部设定) : 1.8 V, 3.0 V, 3.3 V, 5.0 V, 8.0 V, 12.0 V

• 输出电压 (外部设定) : 在1.8 V ~ 30.0 V的范围内,可通过外部电阻设定

• 输入电压 : 2.8 V ~ 36.0 V

• 输出电压精度 : ±1.5% (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 消耗电流 : 

工作时 : 5.0 μA (典型值)、9.8 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C)

休眠时 : 0.1 μA (典型值)、2.0 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 输出电流 : 可输出500 mA (VIN≥VOUT(S) + 1.0 V时)*1

• 输入、输出电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (大于或等于1.0 μF)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流 (带输入输出电压差检测功能)

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度170°C (典型值)

• 内置ON / OFF控制电路 : 能够延长电池的使用寿命

有放电分路功能

有下拉功能

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


 S19630A_C.pdf

S-19630A

车载用、工作温度125°C、低输入失调电压的CMOS运算放大器 S-19630A

描述:

本IC是在小型封装中装配通用模拟电路的IC,它具备低输入失调电压以及Rail-to-Rail的输入与输出,是斩波稳定型的零漂移放大器。最适宜于想极力抑制失调电压的应用电路。S-19630AB是双运算放大器 (2个电路)。


特点:

• 输入失调电压低 : VIO = +50 μV (最大值) (Ta = −40°C ~ +125°C) 

• 输入失调电压温漂低 : 

ΔVIO/ΔTa = ±25 nV/°C (典型值) (VDD = 30.0 V, Ta = −40°C ~ +125°C) 

• 工作电源电压范围 : VDD = 4.0 V ~ 36.0 V 

• 消耗电流低 (1个电路) : IDD = 250 μA (典型值) 

• 输入噪声电压低 : VNOISE_pp = 0.8 μVpp (典型值) (f = 0.1 Hz ~ 10 Hz) 

• 输入噪声电压密度低 : VNOISE = 25 nV/√Hz (典型值) (f = 1 kHz) 

• 内置输出电流限制电路 : 限制输出端子短路时的过电流

• 有内部相位补偿 : 不需外接器元件

• Rail-to-Rail的输入与输出

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 高精度电流检测

• 各种传感器接口

• 应变仪放大器


 S19611A_C.pdf

S-19611A

车载用、工作温度105°C、低输入失调电压的CMOS运算放大器 S-19611A

描述:

本IC是在小型封装中装配通用模拟电路的IC。它具备低输入失调电压以及Rail-to-Rail的输入与输出,是自稳零工作型的零点漂移放大器。最适宜于想极力抑制失调电压的应用电路。S-19611AB是双运算放大器 (2个电路)。


特点:

• 输入失调电压低 : 

VIO = +17 μV (最大值) (Ta = +25°C) 

VIO = +100 μV (最大值) (Ta = −40°C ~ +105°C) 

• 工作电源电压范围 : VDD = 2.65 V ~ 5.50 V 

• 消耗电流低 (1个电路) : IDD = 200 μA (典型值) 

• 有内部相位补偿: 不需外接器元件

• Rail-to-Rail的输入与输出

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 高精度电流检测

• 各种传感器接口

• 应变仪放大器


 S19214_C.pdf

S-19214

车载用、工作温度125°C、36 V输入、1000 mA的 电压稳压器 S-19214系列

描述:

S-19214系列是采用高耐压CMOS工艺技术开发的高耐压、低消耗电流、高精度输出电压的正电压电压稳压器。

最大工作电压可高达36 V,消耗电流却仅为5.0 μA (典型值),因此可在低消耗电流下工作。并且,由于内置了低通态电阻输出晶体管,所以输入输出电压差非常小,能够获得较大的输出电流。不仅备有可在IC内部设定输出电压型产品,还备有可通过外部电阻设定输出电压型的产品。为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。


特点: 

• 输出电压 (内部设定) : 1.8 V, 3.0 V, 3.3 V, 5.0 V, 8.0 V, 12.0 V 

• 输出电压 (外部设定) : 在1.8 V ~ 30.0 V的范围内,可通过外部电阻设定 

• 输入电压 : 2.8 V ~ 36.0 V 

• 输出电压精度 : ±1.5% (Tj = −40°C ~ +125°C) 

• 消耗电流 : 工作时 : 5.0 μA (典型值)、9.8 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C) 

休眠时 : 0.1 μA (典型值)、2.0 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C) 

• 输出电流 : 可输出1000 mA (VIN≥VOUT(S) + 2.0 V时)*1

• 输入、输出电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (大于或等于1.0 μF) 

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流 (带输入输出电压差检测功能)

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度170°C (典型值) 

• 内置ON / OFF控制电路 : 

能够延长电池的使用寿命

有放电分路功能

有下拉功能

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素 

• 可耐受45 V抛负载 

• 符合AEC-Q100标准*2 

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途: 

• 汽车车载设备的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

 S19115xxxA_C.pdf

S-19115xxxA

车载用、工作温度125°C、带延迟功能 (外部设定延迟时间)、用于过压检测、36 V的电压检测器 S-19115xxxA系列

描述:

本IC是使用CMOS技术开发的,高精度电压检测IC。检测电压和解除电压在内部被固定,精度为±1.5%。

除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子),即使SENSE端子电压 (VSENSE) 下降到0 V,也会保持输出稳定。

同时,还内置了SENSE端子反向连接保护电路,可以抑制反向连接时流入SENSE端子的电流。

另外,通过外接电容器还可以延迟解除信号输出,解除延迟时间的精度为±15% (CD = 3.3 nF)。输出形态为N沟道开路漏极输出。


特点:

• 检测电压 : 16.0 V ~ 18.0 V (以0.1 V为进阶单位) 

• 检测电压精度 : ±1.5% 

• 可选择滞后幅度有、无 : 

有 : 5.0%, 10.0% 

无 : 0% 

• 解除延迟时间精度 : ±15% (CD = 3.3 nF) 

• 消耗电流 : 0.6 μA (典型值) 

• 输出方式 : N沟道开路漏极输出

• 内置反向连接保护电路 : 抑制反向连接时流入SENSE端子的电流

• 工作电压范围 : 3.0 V ~ 36.0 V 

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载电池的电压检测

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等) 


 S19902A_19902B_19903A_19903B_C.pdf

S-19902A/S-19902B/S-19903A/S-19903B

车载用、工作温度125°C、36V输入、600mA的降压、同步整流DC-DC控制器S-19902A/19902B/19903A/19903B系列

描述:

S-19902/19903系列是使用高耐压CMOS工艺技术开发的降压型DC-DC控制器。

最大工作电压高达36 V,FB端子电压维持±1.5%的高精度。可以通过选项选择PWM控制 (S-19902系列) 和PWM / PFM切换控制 (S-19903系列)。

S-19902/19903系列内置有同步整流电路,与以往的降压型DC-DC控制器相比,更易实现高效率化。还内置有保护IC或线圈免受过大负载电流损坏的电流限制电路、防止因发热导致IC受损的热敏关闭电路。


特点:

• 输入电压 : 4.0 V ~ 36.0 V 

• 输出电压 (外部设定) : 2.5 V ~ 12.0 V

• 输出电流 : 600 mA 

• FB端子电压精度 : ±1.5% 

• 效率 : 91% 

• 振荡频率 : 2.2 MHz (典型值)

• 过载电流保护功能 : 1.2 A (典型值) (逐脉冲方式) 

• 热敏关闭功能 : 170°C (典型值) (检测温度) 

• 短路保护功能 : Hiccup控制、Latch控制

• 100%占空系数工作

• 软启动功能 : 5.8 ms (典型值) 

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 3.35 V (典型值) (检测电压) 

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系


用途:

• 相机模组

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

• 汽车车载设备的稳压电源

• 产业器械的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

 S19932A_19932B_19933A_19933B_C.pdf

S-19932A/S-19932B/S-19933A/S-19933B

车载用、工作温度125°C、18V输入、600mA的降压、同步整流DC-DC控制器S-19932A/19932B/19933A/19933B系列

描述:

S-19932/19933系列是使用高耐压CMOS工艺技术开发的降压型DC-DC控制器。

最大工作电压高达18 V,FB端子电压维持±1.5%的高精度。可以通过选项选择PWM控制 (S-19932系列) 和PWM / PFM切换控制 (S-19933系列)。

S-19932/19933系列内置有同步整流电路,与以往的降压型DC-DC控制器相比,更易实现高效率化。还内置有保护IC或线圈免受过大负载电流损坏的电流限制电路、防止因发热导致IC受损的热敏关闭电路。


特点:

• 输入电压 : 4.0 V ~ 18.0 V 

• 输出电压 (外部设定) : 1.0 V ~ 12.0 V 

• 输出电流 : 600 mA 

• FB端子电压精度 : ±1.5% 

• 效率 : 91% 

• 振荡频率 : 2.2 MHz (典型值) 

• 过载电流保护功能 : 1.2 A (典型值) (逐脉冲方式) 

• 热敏关闭功能 : 170°C (典型值) (检测温度) 

• 短路保护功能 : Hiccup控制、Latch控制

• 100%占空系数工作

• 软启动功能 : 5.8 ms (典型值) 

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 3.35 V (典型值) (检测电压) 

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 相机模组

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

• 汽车车载设备的稳压电源

• 产业器械的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

 S19944A_19944B_19945A_19945B_C.pdf

S-19944A/S-19944B/S-19945A/S-19945B

车载用、工作温度125°C、18V输入、1A的低EMI、降压、同步整流DC-DC控制器 S-19944A/19944B/19945A/19945B系列

描述:

S-19944/19945系列是使用高耐压CMOS工艺技术开发的降压型DC-DC控制器。

最大工作电压高达18 V,FB端子电压维持±1.5%的高精度。可以通过选项选择PWM控制 (S-19944系列) 和PWM / PFM切换控制 (S-19945系列)。

S-19944/19945系列内置有同步整流电路,与以往的降压型DC-DC控制器相比,更易实现高效率化。还内置有保护IC或线圈免受过大负载电流损坏的过载电流保护电路、防止因发热导致IC受损的热敏关闭电路。


特点:

• 输入电压 : 4.0 V ~ 18.0 V 

• 输出电压 (外部设定) : 1.0 V ~ 12.0 V

• 输出电流 : 1 A

• FB端子电压精度 : ±1.5% 

• 效率 : 91% 

• 振荡频率 : 2.2 MHz (典型值) 

• 扩频时钟发生功能 : FSSS = +6% (典型值) (扩展率) 

• 过载电流保护功能 : 1.85 A (典型值) (逐脉冲方式) 

• 热敏关闭功能 : 170°C (典型值) (检测温度) 

• 短路保护功能 : Hiccup控制、Latch控制

• 100%占空系数工作

• 软启动功能 : 5.8 ms (典型值) 

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 3.35 V (典型值) (检测电压) 

• 输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系


用途:

• 相机模组

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

• 汽车车载设备的稳压电源

• 产业器械的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

 S19251_C.pdf

S-19251

车载用、工作温度105°C、 5.5 V输入、150 mA的电压稳压器 S-19251系列

描述:

S-19251系列是使用CMOS技术开发的低消耗电流、高纹波抑制率、高精度输出电压的正电压电压稳压器。

纹波抑制率高达75 dB (典型值),并可在20 μA (典型值) 低消耗电流下工作。 为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。 S-19251系列不仅备有传统的小型封装SOT-23-5, 还增加了超小型封装HSNT-4(1010)B和HSNT-4(0808)B,更适宜高密度的 安装。


特点: 

• 输出电压 : 在1.0 V ~ 3.5 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

• 输入电压 : 1.5 V ~ 5.5 V 

• 输出电压精度 : ±2.5% (Tj = −40°C ~ +105°C) 

• 消耗电流 : 

工作时 : 20 μA (典型值)、50 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +105°C) 

休眠时 : 0.1 μA (典型值)、4.5 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +105°C) 

• 输入输出电压差 : 0.16 V (典型值) (2.8 V输出产品、IOUT = 100 mA) 

• 输出电流 : 可输出150 mA (VIN≥VOUT(S) + 1.0 V)*1

• 纹波抑制率 : 75 dB (典型值) (1.2 V输出产品、f = 1.0 kHz) 

70 dB (典型值) (2.8 V输出产品、f = 1.0 kHz) 

• 输入电容器 : 可以使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

• 输出电容器 : 可以使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度150°C (典型值) 

• 内置ON / OFF控制电路 : 

能够延长电池的使用寿命

可选择放电分路功能的 "有" / "无" 

可选择下拉功能的 "有" / "无" 

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载用 (计量器、车身、汽车前照灯、ITS、汽车装饰品、汽车导航器、汽车音响等)  : SOT-23-5封装产品

• 车载用 (汽车装饰品、汽车导航器、汽车音响等) : HSNT-4(1010)B封装产品、HSNT-4(0808)B封装产品


 S19252_C.pdf

S-19252

车载用、工作温度105°C、带软启动功能、5.5 V输入、150 mA的电压稳压器 S-19252系列

描述:

S-19252系列是使用CMOS技术开发的低消耗电流、高精度输出电压、带软启动功能的正电压电压稳压器。

S-19252系列的纹波抑制率高达80 dB (典型值),并可在36 μA (典型值) 低消耗电流下工作。

为了调整在接通电源后或将ON / OFF端子设定为ON后的输出电压的上升时间,内置了软启动功能;为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路。

S-19252系列不仅备有传统的小型封装SOT-23-5和SC-82AB,还增加了超小型封装HSNT-4(1010)B,更适宜高密度的安装。


特点:

• 输出电压 : 在1.0 V ~ 3.6 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

• 输入电压 : 1.5 V ~ 5.5 V 

• 输出电压精度 : 

±15 mV (1.0 V≤VOUT(S)<1.5 V、Ta = +25°C) 

±1.0% (1.5 V≤VOUT(S)≤3.6 V、Ta = +25°C)

±3.0% (1.0 V≤VOUT(S)≤3.6 V、Tj = −40°C ~ +105°C)

• 消耗电流 : 

工作时 : 36 μA (典型值)、57 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +105°C) 

休眠时 : 0.1 μA (典型值)、4.2 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +105°C) 

• 输入输出电压差 : 70 mV (典型值) (2.8 V输出产品、IOUT = 100 mA时) 

• 输出电流 : 可输出150 mA (VIN≥VOUT(S) + 1.0 V时)*1

• 纹波抑制率 : 70 dB (典型值) (VOUT(S)≤2.5 V、f = 10 kHz时) 

 80 dB (典型值) (f = 1.0 kHz时) 

• 输入电容器 : 可以使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

• 输出电容器 : 可以使用大于或等于1.0 μF的陶瓷电容器

• 内置软启动电路 : 

可以调整在接通电源后或将ON / OFF端子设定为ON后的输出电压的上升时间

SOT-23-5的软启动时间可通过SST端子切换tSS0 = 0.1 ms (典型值) / tSS1 = 1.0 ms (典型值) 

SC-82AB的软启动时间固定为tSS0 = 0.1 ms (典型值) 

HSNT-4(1010)B的软启动时间固定为tSS0 = 0.1 ms (典型值) 或tSS1 = 1.0 ms (典型值) 

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置ON / OFF控制电路 : 

能够延长电池的使用寿命

可选择放电分路功能的 "有" / "无" 

可选择下拉功能的 "有" / "无" 

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素 

• 符合AEC-Q100标准*2 

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途: 

• 车载用 (计量器、车身、汽车前照灯、ITS、汽车装饰品、汽车导航器、汽车音响等) 

 : SOT-23-5封装产品、SC-82AB封装产品

• 车载用 (汽车装饰品、汽车导航器、汽车音响等) 

 : HSNT-4(1010)B封装产品


 S19100xxxA_C.pdf

S-19100xxxA

车载用、工作温度125°C、带延迟功能 (外部设定延迟时间)、10 V的电压检测器 S-19100xxxA系列

描述:

S-19100xxxA系列是使用CMOS技术开发的工作温度为125°C的車载用电压检测IC。检测电压在内部被固定,精度为±3.0%(-VDET = 2.4 V)。消耗电流仅为270 nA (典型值) 就能工作。

S-19100xxxA系列可以通过外接电容器来延迟解除信号,在Ta = +25°C时延迟时间精度为±15%。S-19100xxxA系列的工作温度范围为Ta = -40°C ~ +125°C。输出方式备有N沟道开路漏极输出和CMOS输出。

与以往的CMOS电压检测器相比,实现了超低消耗电流和超小型封装,所以最适用于便携设备。


特点:

• 检测电压 : 1.2 V ~ 4.6 V (以0.1 V为进阶单位) 

• 检测电压精度 : 

±3.0% (2.4 V≤−VDET≤4.6 V, Ta = −40°C ~ +125°C) 

±(2.5% + 12 mV) (1.2 V≤−VDET<2.4 V, Ta = −40°C ~ +125°C) 

• 消耗电流 : 270 nA (典型值) (1.2 V≤−VDET<2.3 V) 

• 工作电压范围 : 0.6 V ~ 10.0 V (CMOS输出产品) 

• 滞后幅度*1  : 5% ±2% (Ta = −40°C ~ +125°C) 

• 延迟时间精度 : ±15% (CD = 4.7 nF, Ta = +25°C) 

• 输出方式 : 

N沟道开路漏极输出 (动态 "L") 

 CMOS输出 (动态 "L") 

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2 

*1. 也备有无滞后幅度的产品。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)


 S19100xxxH_C.pdf

S-19100xxxH

车载用、工作温度105°C、带延迟功能 (外部设定延迟时间)、10 V的电压检测器 S-19100xxxH系列

描述:

S-19100xxxH系列是使用CMOS技术开发的工作温度为105°C的車载用电压检测IC。检测电压在内部被固定,精度为±2.5% (-VDET = 2.4 V)。消耗电流仅为270 nA (典型值) 就能工作。

S-19100xxxH系列可以通过外接电容器来延迟解除信号,在Ta = +25°C时延迟时间精度为±15%。S-19100xxxH系列的工作温度范围为Ta = -40°C ~ +105°C。输出方式备有N沟道开路漏极输出和CMOS输出。

与以往的CMOS电压检测器相比,实现了超低消耗电流和超小型封装,所以最适用于便携设备。


 特点:

• 检测电压 : 1.2 V ~ 4.6 V (以0.1 V为进阶单位) 

• 检测电压精度 : 

±2.5% (2.4 V≤−VDET≤4.6 V, Ta = −40°C ~ +105°C) 

±(2.0% + 12 mV) (1.2 V≤−VDET<2.4 V, Ta = −40°C ~ +105°C) 

• 消耗电流 : 270 nA (典型值) (1.2 V≤−VDET<2.3 V) 

• 工作电压范围 : 0.6 V ~ 10.0 V (CMOS输出产品) 

• 滞后幅度*1 : 5% ±2% (Ta = −40°C ~ +105°C) 

• 延迟时间精度 : ±15% (CD = 4.7 nF, Ta = +25°C) 

• 输出方式 : 

N沟道开路漏极输出 (动态 "L") 

CMOS输出 (动态 "L") 

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2 

*1. 也备有无滞后幅度的产品。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载用 (计量器、车身、汽车前照灯、ITS、汽车装饰品、汽车导航器、汽车音响等) : SOT-23-5封装产品、SC-82AB封装产品

• 车载用 (汽车装饰品、汽车导航器、汽车音响等) : SNT-4A封装产品


 S19400_19401_C.pdf

S-19400/S-19401

车载用、工作温度125°C、带复位功能、3.8 μA消耗电流的看门狗定时器 S-19400/19401系列

描述:

S-19400/19401系列是采用CMOS技术开发的可以3.8 μA (典型值) 的低消耗电流工作的看门狗定时器。具备复位功能和低电压检测功能。


特点:

• 检测电压 : 在2.0 V ~ 5.0 V的范围内,可以0.1 V为进阶单位来选择

• 检测电压精度 : ±2.0% 

• 输入电压 : VDD = 0.9 V ~ 6.0 V 

• 滞后幅度 : 5% (典型值) 

• 看门狗定时器工作时消耗电流 : 3.8 μA (典型值) 

• 复位超时时间 : 14.5 ms (典型值) (CPOR = 2200 pF) 

• 看门狗超时时间 : 24.6 ms (典型值) (CWDT = 470 pF) 

• 可切换看门狗工作: "启用"、"禁用" 

• 看门狗工作电压范围 : VDD = 2.5 V ~ 6.0 V 

• 看门狗模式切换功能*1 : 超时模式、窗口模式

• 可选择看门狗输入边缘 : 上升边缘、下降边缘、上升下降双边缘

• 可选择产品类型 : 

S-19400系列 (有W / T端子产品 (输出 : WDO端子)) 

S-19401系列 (无W / T端子产品 (输出 : RST端子、WDO端子)) 

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2 

*1. S-19401系列固定为窗口模式。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等) 


S-19682B

车载用、工作温度125°C、带电流监视功能、36 V输入、300 mA的高侧开关 S-19682B系列

描述:

本IC是采用CMOS工艺技术开发的备有电流监视功能的高侧开关。

P沟道输出晶体管为开时,可向连接在VOUT端子上的负载供应电压。电流监视器通过检测流经高侧端开关的电流,输出应对负载电流的电压。并限制流入高侧开关的电流,使其不超过设定值。另外,本IC为了控制P沟道输出晶体管的开、关,内置了ON / OFF控制电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。


特点:

• 输入电压 : 4.5 V ~ 36.0 V 

• 消耗电流 : 

工作时 : 55 μA (典型值), 95 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +150°C) 

休眠时 : 0.6 μA (典型值), 2.0 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C) 

• 通态电阻 : RON = 0.6 Ω (典型值), 1.0 Ω (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C) 

• 限制电流 : 可在100 mA ~ 300 mA的范围内,以10 mA为进阶单位来选择

• 限制电流精度 : ±10% (ILIM(S) = 200 mA ~ 300 mA) 

• 电流监视功能 : 可通过监视CSO端子电压来监视负载电流

• 内置热敏关闭电路 :门锁类型*1、检测温度170°C (典型值) 

• 内置过电压检测电路 : 检测高电压侧的输出短路

• 内置ON / OFF控制电路 : 能够延长电池的使用寿命

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 2.6 V (典型值) (检测电压) 

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 需要滞后类型的产品时,请向代理商咨询。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• GPS天线等的远程LNA幻象电源

• ADAS定位器

• e-call 

• 汽车导航器系列

• 汽车音响系列


 S19683B_C.pdf

S-19683B

车载用、工作温度125°C、带电流监视功能、36 V输入、600 mA的高侧开关 S-19683B系列

描述:

本IC是采用CMOS工艺技术开发的备有电流监视功能的高侧开关。

P沟道输出晶体管为开时,可向连接在VOUT端子上的负载供应电压。电流监视器通过检测流经高侧端开关的电流,输出应对负载电流的电压。并限制流入高侧开关的电流,使其不超过设定值。

另外,本IC为了控制P沟道输出晶体管的开、关,内置了ON / OFF控制电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。


特点:

• 输入电压 : 4.5 V ~ 36.0 V 

• 消耗电流 : 

工作时 : 55 μA (典型值), 95 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +150°C) 

休眠时 : 0.6 μA (典型值), 2.0 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C) 

• 通态电阻 : RON = 0.6 Ω (典型值), 1.0 Ω (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C) 

• 限制电流 : 可在300 mA ~ 600 mA的范围内,以10 mA为进阶单位来选择

• 限制电流精度 : ±10% 

• 电流监视功能 : 可通过监视CSO端子电压来监视负载电流

• 内置热敏关闭电路 : 门锁类型*1、检测温度170°C (典型值) 

• 内置过电压检测电路 : 检测高电压侧的输出短路

• 内置ON / OFF控制电路 : 能够延长电池的使用寿命

• 欠压锁定功能 (UVLO) : 2.6 V (典型值) (检测电压) 

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 需要滞后类型的产品时,请向代理商咨询。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 汽车环绕摄像头ECU 

• 摄像头模块连接诊断


 S191L_191NxxxxA_C.pdf

S-191L/S-191NxxxxA

车载用、工作温度125°C、带电源分压输出功能、SENSE端子反向连接保护、36 V的窗口型电压检测器 S-191L/191NxxxxA系列

描述:

本IC是使用CMOS技术开发的,带电源分压输出功能的,可高精度检测欠压、过压的窗口型电压检测IC。检测电压和解除电压在内部被固定,精度为±1.5%。

除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子),即使SENSE端子电压 (VSENSE) 下降到0 V,也会保持输出稳定。

同时,还内置了SENSE端子反向连接保护电路,可以抑制反向连接时流入SENSE端子的电流。

另外,通过外接电容器还可以延迟解除信号输出,解除延迟时间的精度为±15% (CD = 3.3 nF)。输出形态为N沟道开路漏极输出。

本IC还备有电源分压输出功能。电源分压输出功能是指把VSENSE分压为VSENSE/6, VSENSE/8, VSENSE/12, VSENSE/14,然后输出此电压的功能。例如,利用此功能可直接连接低压微机的A/D转换器,微机可监视电池电压。


特点:

检测器部分

• 检测电压 : 

欠压检测电压 4.0 V ~ 10.0 V (以0.05 V为进阶单位) 

过压检测电压 16.0 V ~ 18.0 V (以0.1 V为进阶单位) 

• 检测电压精度 : 

欠压检测电压 ±1.5% 

过压检测电压 ±1.5% 

• 可选择滞后幅度有、无 : 

有 : 5.0%, 10.0% 

无 : 0% 

• 解除延迟时间精度 : ±15% (CD = 3.3 nF) 

• 输出方式 : N沟道开路漏极输出

电源分压部分

• 输出电压 : 

VPMOUT = VSENSE/6 (S-191L系列L / M / N型) 

VPMOUT = VSENSE/8 (S-191L系列P / Q / R型) 

VPMOUT = VSENSE/12 (S-191N系列L / M / N型) 

VPMOUT = VSENSE/14 (S-191N系列P / Q / R型) 

• 输出电容器 (CPM) : 可以使用陶瓷电容器 (0.1 μF ~ 0.22 μF) 

• 内置使能电路 : 可以延长电池的使用寿命

整体部分

• 消耗电流 : 

电源分压输出功能工作时 1.3 μA (典型值) 

电源分压输出功能停止时 0.9 μA (典型值) 

• 内置反向连接保护电路 : 抑制反向连接时流入SENSE端子的电流

• 工作电压范围 : 3.0 V ~ 36.0 V 

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载电子装载设备用电源的过压检测

• 车载电池的电压检测

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等) 

S-19192

车载用、工作温度105°C、3节~ 6节电池串联用电池监视IC S-19192系列

描述:

S-19192系列内置高精度电压检测电路和延迟电路,是车载用可充电电池监视IC。通过SEL1端子和SEL2端子,可以切换3节 ~ 6节串联用电池。

S-19192系列,可以通过自测试来确认过充电检测工作和过放电检测工作。


特点:

• 针对各节电池的高精度电压检测电路

过充电检测电压n (n = 1 ~ 6) : 2.500 V ~ 4.500 V (25 mV进阶) 精度±20 mV (Ta = +25°C) 

精度±30 mV (Ta = −5°C ~ +55°C) 

过充电解除电压n (n = 1 ~ 6) : 2.300 V ~ 4.500 V*1 精度±50 mV 

过放电检测电压n (n = 1 ~ 6) : 1.500 V ~ 3.000 V (100 mV进阶)*2, *3 精度±80 mV 

过放电解除电压n (n = 1 ~ 6) : 1.500 V ~ 3.300 V*4 精度±100 mV 

• 确认过充电检测工作和过放电检测工作的自测试结果可从OUT2端子输出

加快自测试时延迟时间 : 有、无

锁存自测试结果输出信号 : 有、无

• 各种延迟时间仅通过内置电路即可实现 (不需要外接电容) 

检测延迟时间 : 32 ms、64 ms、128 ms、256 ms 

解除延迟时间 : 2.0 ms、4.0 ms、8.0 ms、16.0 ms 

• 通过SEL1端子和SEL2端子,可以切换3节 ~ 6节串联用电池

• 2种类型检测信号 

共同 : OUT1端子 : 过充电检测信号和过放电检测信号

分离 : OUT1端子 : 过充电检测信号

 OUT2端子 : 过放电检测信号

• 输出方式 : CMOS输出、N沟道开路漏极输出

• 输出逻辑 : 动态 "H"、动态 "L" 

• 高耐压 : 绝对最大额定值28.0 V 

• 工作电压范围广 : 6.0 V ~ 28.0 V 

• 工作温度范围广 : Ta = −40°C ~ +105°C 

• 消耗电流低

工作时 : 18 μA (最大值) (Ta = +25°C) 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*5

• 本IC是为符合ISO 26262标准的电池管理系统而开发的产品。本公司可以提供本IC的Safety Manual。*5, *6

*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压 − 过充电滞后电压

(过充电滞后电压n (n = 1 ~ 6) 为0 V ~ 400 mV的范围内以50 mV为进阶单位来选择) 

*2. 请将过充电检测电压与过放电检测电压之间的电压差设定为2.5 V以下。

请设置可以满足 "过充电检测电压 × 0.7>过放电检测电压" 的电压比率。

*3. 在用于监视3节串联的电池时,请将过放电检测电压n (n = 1 ~ 6) 设定为2.0 V以上。

*4. 过放电解除电压 = 过放电检测电压 + 过放电滞后电压

(过放电滞后电压n (n = 1 ~ 6) 在0 V ~ 0.7 V的范围内以100 mV为进阶单位来选择) 

*5. 详情请与代理商联系。

*6. 在提供资料的同时,需要签订保密协议。


用途:

• 车载用可充电电池组 (EV, HEV, PHEV等)


 S191ExxxxA_C.pdf

S-191ExxxxA

车载用、工作温度125°C、带SENSE端子反向连接保护、36 V的窗口型电压检测器 S-191ExxxxA系列

描述:

本IC是使用CMOS技术开发的,可高精度检测欠压、过压的窗口型电压检测IC。检测电压和解除电压在内部被固定,精度为±1.5%。

除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子),即使SENSE端子电压 (VSENSE) 下降到0 V,也会保持输出稳定。

同时,还内置了SENSE端子反向连接保护电路,可以抑制反向连接时流入SENSE端子的电流。

另外,通过外接电容器还可以延迟解除信号输出,解除延迟时间的精度为±15% (CD = 3.3 nF)。输出形态为N沟道开路漏极输出。


特点:

• 检测电压 : 

欠压检测电压 4.0 V ~ 10.0 V (以0.05 V为进阶单位) 

过压检测电压 16.0 V ~ 18.0 V (以0.1 V为进阶单位) 

• 检测电压精度 : 

欠压检测电压 ±1.5% 

过压检测电压 ±1.5% 

• 可选择滞后幅度有、无 : 

有 : 5.0%, 10.0% 

无 : 0% 

• 解除延迟时间精度 : ±15% (CD = 3.3 nF) 

• 消耗电流 : 0.9 μA (典型值) 

• 输出方式 : N沟道开路漏极输出

• 内置反向连接保护电路 : 抑制反向连接时流入SENSE端子的电流

• 工作电压范围 : 3.0 V ~ 36.0 V 

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载电子装载设备用电源的过压检测

• 车载电池的电压检测

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)


 S35720_A_C.pdf

S-35720 A

便利型定时器 车载用、工作温度125°C、 带中断时间设定端子的定时器 S-35720 A系列

描述:

便利型定时器是适用于相对时间的时间管理、低消耗电流的CMOS定时器IC。

S-35720 A系列对定时器值和在SET0端子和SET1端子设定的时间值进行比较,当数值一致时则输出中断信号。

S-35720 A系列的定时器为24位的二进制递增计数器。

用户可根据SET0端子和SET1端子的设定来选择4种中断时间。


特点:

• 报警中断功能 : 

可设置中断时间 

1秒 ~ 194日 (约半年) 为止可按1秒为单位选择选项

• 低消耗电流 : 0.2 μA (典型值) (水晶振子 : CL = 6.0 pF、VDD = 3.0 V、Ta = +25°C) 

• 宽工作电压范围 : 1.8 V ~ 5.5 V 

• 内置32.768 kHz晶振电路

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C 

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 各种系统休眠期间中的时间管理


 S25A128B_C.pdf

S-25A128B

车载用 工作温度125°C SPI 串行EEPROM S-25A128B

描述:

本IC 是用于车载的、可在高温环境下工作的、高速、宽工作电压范围的 SPI 串行EEPROM。

容量为128 K 位,构成是16384 字 × 8 位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

读出时 : 2.5 V ~ 5.5 V 

写入时 : 2.5 V ~ 5.5 V 

  • 工作频率 : 6.5 MHz (最大值) 

  • 写入时间 : 5.0 ms (最大值) 

  • 支持 SPI 模式 (0, 0) & (1, 1) 

  • 页写入功能 : 64 节 / 页

  • 顺序读出功能

  • 写入保护功能 : 

软件、硬件

保护领域 : 25%, 50%, 100% 

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS 施密特输入 ( CS , SCK, SI, WP , HOLD ) 

  • 重写次数*1

106 次 / 字*2 (Ta = +25℃) 

3 × 105 次 / 字*2 (Ta = +125℃) 

  • 数据保存期 : 

100 年 (Ta = +25℃) 

50 年 (Ta = +125℃) 

  • 存储器容量 : 128 K 位

  • 首次出厂时数据 : FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0 

  • 老化测试规格 : 晶元级老化测试

  • 工作温度范围 : Ta = ﹣40℃ ~ +125℃ 

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素*3 

  • 应对 AEC-Q100 标准*4

*1. 详情请参阅 "■ 重写次数"。

*2. 每个地址 (字 : 8 位) 

*3. 详情请参阅 "■ 产品型号的构成"。 

*4. 详情请与本公司营业部门联系


 S25A256B_C.pdf

S-25A256B

车载用 工作温度125°C SPI 串行EEPROM S-25A256B

描述:

本IC 是用于车载的、可在高温环境下工作的、高速、宽工作电压范围的 SPI 串行EEPROM。

容量为256 K 位,构成是32768 字 × 8 位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

  • 工作电压范围

读出时 : 2.5 V ~ 5.5 V 

写入时 : 2.5 V ~ 5.5 V 

  • 工作频率 : 5.0 MHz (最大值) 

  • 写入时间 : 5.0 ms (最大值) 

  • 支持 SPI 模式 (0, 0) & (1, 1) 

  • 页写入功能 : 64 节 / 页

  • 读出功能

  • 写入保护功能 : 

软件、硬件

保护领域 : 25%, 50%, 100% 

  • 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

  • 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

  • 电源电压低时的禁止写入功能

  • CMOS 施密特输入 ( CS , SCK, SI, WP , HOLD ) 

  • 重写次数*1 :

106 次 / 字*2 (Ta = +25℃) 

3 × 105 次 / 字*2 (Ta = +125℃) 

  • 数据保存期 : 

100 年 (Ta = +25℃) 

50 年 (Ta = +125℃) 

  • 存储器容量 : 256 K 位

  • 首次出厂时数据 : FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0 

  • 老化测试规格 : 晶元级老化测试

  • 工作温度范围 : Ta = - 40℃ ~ +125℃ 

  • 无铅 (Sn 100%)、无卤素*3 

  • 应对 AEC-Q100 标准*4

*1. 详情请参阅 "■重写次数"。

*2. 每个地址 (字 : 8 位) 

*3. 详情请参阅 "■产品型号的构成"。 

*4. 详情请与本公司营业部门联系。


 S25C320A_640A_H_C.pdf

S-25C320A/640A H

S-25C320A/640A H系列是用于车载的、可高温工作的SPI串行E2PROM。容量为32 K位、64 K位,构成为4096字×8位、8192字×8位。可进行页写入、顺序读出。


特点:

· 工作电压范围: 

读出时 2.5 V ~ 5.5 V

写入时 2.5 V ~ 5.5 V

· 工作频率: 5.0 MHz(2.5 V ~ 5.5 V)

· 写入时间: 5.0 ms (最大值)

· 支持SPI模式(0, 0)&(1, 1)

· 页写入功能: 32字节/页

· 顺序读出功能

· 可通过状态寄存器监视存储器的写入状态

· 写入保护功能: 软件、硬件

 保护领域: 25%, 50%, 100%

· 通过监视时钟脉冲防止误工作的功能

· 电源电压低时的禁止写入功能

· CMOS施密特输入 (CS , SCK, SI, WP , HOLD)

· 重写次数: 

 106次/字*1(Ta = -25℃)

 3×105次/字*1(Ta = +85℃)

 2×105次/字*1(Ta = +105℃)

· 数据保存期: 

 100年(Ta = -25℃)

 30年(Ta = +85℃)

 25年(Ta = +105℃)

· 存储器容量: 

 S-25C320A     32 K位

 S-25C640A     64 K位

· 首次出厂时数据: FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0

· 工作温度范围: Ta = -40℃ ~ +105℃

· 无铅 (Sn 100%)、无卤素

· 符合AEC-Q100标准*2

*1. 每个地址 (字:8 位)

*2. 详情请与本公司营业部门联系。


 S19117_19119xxxA_C.pdf

S-19117/19119xxxA 系列

车载用、工作温度125°C、带电源分压输出功能、SENSE端子反向连接保护、36 V的电压检测器 S-19117/19119xxxA系列

描述:

使用CMOS技术开发的,带电源分压输出功能的高精度电压检测IC。检测电压和解除电压在内部被固定,精度为±1.5%。

除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子),即使SENSE端子电压 (VSENSE) 下降到0 V,也会保持输出稳定。同时,还内置了SENSE端子反向连接保护电路,可以抑制反向连接时流入SENSE端子的电流。另外,通过外接电容器还可以延迟解除信号输出,解除延迟时间的精度为±15% (CD = 3.3 nF)。输出形态为N沟道开路漏极输出。

本IC还备有电源分压输出功能。电源分压输出功能是指把VSENSE分压为VSENSE/6, VSENSE/8, VSENSE/12, VSENSE/14,然后输出此电压的功能。例如,利用此功能可直接连接低压微机的A/D转换器,微机可监视电池电压。


特点:

检测器部分

• 检测电压 : 4.0 V ~ 10.0 V (以0.05 V为进阶单位)

• 检测电压精度 : ±1.5%

• 可选择滞后幅度有、无 : 

 有 : 5.0%, 10.0%

 无 : 0%

• 解除延迟时间精度 : ±15% (CD = 3.3 nF)

• 输出方式 : N沟道开路漏极输出

电源分压部分

• 输出电压 : 

 VPMOUT = VSENSE/6 (S-19117系列L / M / N型)

 VPMOUT = VSENSE/8 (S-19117系列P / Q / R型)

 VPMOUT = VSENSE/12 (S-19119系列L / M / N型)

 VPMOUT = VSENSE/14 (S-19119系列P / Q / R型)

• 输出电容器 (CPM) : 可以使用陶瓷电容器 (0.1 μF ~ 0.22 μF)

• 内置使能电路 : 可以延长电池的使用寿命

整体部分

• 消耗电流 : 

 电源分压输出功能工作时 1.15 μA (典型值)

 电源分压输出功能停止时 0.75 μA (典型值)

• 内置反向连接保护电路:抑制反向连接时流入SENSE端子的电流

• 工作电压范围 : 3.0 V ~ 36.0 V

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• 符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载电池的电压检测

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等) 

 S19114xxxA_C.pdf

S-19114xxxA 系列

车载用、工作温度125°C、带高速检测应答、SENSE端子反向连接保护、延迟功能 (外部设定延迟时间)、36 V的电压检测器 S-19114xxxA系列

描述:

使用CMOS技术开发的,高精度电压检测IC。检测电压和解除电压在内部被固定,精度为±1.5%。

高速的检测应答时间为10 μs (最大值),可以迅速地检测并通知电压的异常。

除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子),即使SENSE端子电压 (VSENSE) 下降到0 V,也会保持输出稳定。同时,还内置了SENSE端子反向连接保护电路,可以抑制反向连接时流入SENSE端子的电流。

另外,通过外接电容器还可以延迟解除信号输出,解除延迟时间的精度为±20% (CD = 3.3 nF)。输出形态为N沟道开路漏极输出。


特点:

• 检测电压 : 4.0 V ~ 12.0 V (以0.05 V为进阶单位)

• 检测电压精度 : ±1.5%

• 可选择滞后幅度有、无 : 

 有 : 2.0%, 5.0%, 10.0%

 无 : 0%

• 检测应答时间:

 10 μs (最大值) (S-19114系列L / M / N / R型)

 25 μs (最大值) (S-19114系列P / Q / S / T型)

• 解除延迟时间 10 ms (典型值) (CD = 3.3 nF)

• 解除延迟时间精度 : ±20% (CD = 3.3 nF)

• 消耗电流 : 2.0 μA (典型值)

• 工作电压范围 : 3.0 V ~ 36.0 V

• 输出方式 : N沟道开路漏极输出

• 内置反向连接保护电路 : 抑制反向连接时流入SENSE端子的电流

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• AEC-Q100标准应对中*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载电池的电压检测

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等) 


 S19222xxxA_C.pdf

S-19222

车载用、工作温度125℃、高速过渡响应、36V输入、300mA的电压稳压器S-19222xxxA系列

描述:

是采用高耐压CMOS工艺技术开发的高耐压、低消耗电流、高精度输出电压的正电压电压稳压器。最大工作电压可高达36 V。由于内置了低通态电阻输出晶体管,所以输入输出电压差小,能够获得较大的输出电流。同时,还具备良好的过渡响应特性,即使电源电压发生过渡变化也可以获得稳定的输出电压。


特点:

• 输出电压(内部设定): 1.8V,2.5V,3.0V,3.3V,5.0V,5.5V,6.0V

• 输出电压(外部设定): 在1.8 V~30.0 V的范围内,可通过外部电阻设定

• 输入电压: 3.0 V~36.0 V

• 输出电压精度: ±1.5%(Tj=−40℃~+125℃)

• 消耗电流: 

工作时:22.0 μA(典型值)、40.0 μA(最大值)(Tj=−40℃~+125℃)

休眠时:0.1 μA(典型值)、0.5 μA(最大值)(Tj=−40℃~+125℃)

• 输出电流: 可输出300 mA(VIN≥VOUT(S)+2.0 V时)*1

• 纹波抑制率: 75 dB(典型值)(f=1.0 kHz时)

• 输入电容器: 可以使用陶瓷电容器(大于或等于0.1 μF)

• 输出电容器: 可以使用陶瓷电容器(大于或等于1.0 μF)

• 高速过渡响应

• 内置过载电流保护电路: 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路: 检测温度170℃(典型值)

• 内置ON/OFF控制电路:

能够延长电池的使用寿命

有放电分路功能

有下拉功能

• 工作温度范围: Ta=−40℃~+125℃

• 无铅(Sn100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• AEC-Q100标准应对中*2

*1.请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2.详情请与代理商联系。


用途:

• 汽车车载设备的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

• 车载用(引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV/HEV/PHEV关联器械等)

 S191AxxxxA_C.pdf

S-191AxxxxA

车载用、工作温度125°C、带高速检测响应、手动复位功能、6 V的窗口型电压检测器 S-191AxxxxA系列

描述:

使用CMOS技术开发的,可高精度检测欠压、过压的窗口型电压检测IC。检测电压和解除电压在内部被固定,精度为±1.5%。

除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子),即使SENSE端子电压 (VSENSE) 下降到0 V,也会保持输出稳定。

通过外接电容器还可以延迟解除信号输出,解除延迟时间的精度为±15% (CD = 3.3 nF)。

还备有手动复位功能。通过手动复位功能,使内部电路的比较器输入电压发生变化,强制的使检测器切换为检测状态。因此,可以诊断检测器是否有误解除等的异常情况。


特点:

• 检测电压 : 

  欠压检测电压 0.6 V ~ 4.9 V (以0.05 V为进阶单位)

  过压检测电压 0.7 V ~ 5.5 V (以0.05 V为进阶单位)

• 检测电压精度 : 

  欠压检测电压 ±1.5%

  过压检测电压 ±1.5%

• 可选择滞后幅度有、无 :  

  有 : 3.0%, 5.0%, 10.0%

  无 : 0%

• 检测响应时间 : 10.0 μs (典型值)

• 手动复位功能 : MR端子输入逻辑 : 动态 "L"

• 解除延迟时间精度 : ±15% (CD = 3.3 nF)

• 输出方式 : N沟道开路漏极输出

• 消耗电流 : 1.5 μA (典型值)

• 工作电压范围 : 2.5 V ~ 6.0 V

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• AEC-Q100标准应对中*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载电子装载设备用电源的过压检测

• 车载ECU, ADAS等要求故障检测系统的电压监视

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等) 


 S19721_C.pdf

S-19721

车载用、工作温度125°C、防止反向电流、36 V输入、250 mA的电压跟踪器 S-19721系列

描述:

是采用高耐压CMOS工艺技术开发的高耐压、低消耗电流、备有防止反向电流功能的电压跟踪器。 最大工作电压可高达36 V,并可在低消耗电流40 μA (典型值) 下工作,以削减暗电流。 因内部的相位补偿可稳定工作,因此作为输出电容器可使用ESR低的陶瓷电容器。


特点:

• 输入电压 : 4.0 V ~ 36.0 V

• 输出电压 : 可调整至2.0 V (最小值)

• 失调电压: ±4.5 mV (0.1 mA≤IOUT≤250 mA)

• 输入输出电压差 : 330 mV (典型值) (VADJ = 4.0 V, IOUT = 125 mA)

• 消耗电流 : 

  工作时 : 40 μA (典型值)

  休眠时 : 3.7 μA (典型值)

• 输出电流 : 可输出250 mA (VIN = VADJ + 2.0 V)*1

• 输入电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (大于或等于4.7 μF)

• 输出电容器 : 可以使用陶瓷电容器 (4.7 μF ~ 1000 μF)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度175°C (典型值)

• 内置过电压检测电路 : 检测高电压侧的输出短路

• 防止反向电流功能 : IREV = −5 μA (最小值) (VIN = 0 V, VADJ = 5.0 V, VOUT = 16.0 V)

• INT端子输出功能 : 可以监视IC的工作状态

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 可耐受45 V抛负载

• AEC-Q100标准应对中*2

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载用车外传感器的电源

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)


 S19122xxxA_C.pdf

S-19122xxxA

车载用、工作温度125°C、带高速检测响应、手动复位功能、6 V的电压检测器 S-19122xxxA系列

描述:

使用CMOS技术开发,高精度电压检测IC。检测电压和解除电压在内部被固定,精度为±1.5%。

除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子),即使SENSE端子电压 (VSENSE) 下降到0 V,也会保持输出稳定。

另外,通过外接电容器还可以延迟解除信号输出,解除延迟时间的精度为±15% (CD = 3.3 nF)。

还备有手动复位功能。通过手动复位功能,使内部电路的比较器输入电压发生变化,强制的使检测器切换为检测状态。因此,可以诊断检测器是否有误解除等的异常情况。


特点:

• 检测电压 : 0.6 V ~ 4.9 V (以0.05 V为进阶单位)

• 检测电压精度 : ±1.5%

• 可选择滞后幅度有、无 :

  有 : 3.0%, 5.0%, 10.0%

  无 : 0%

• 检测响应时间 : 10.0 μs typ.

• 手动复位功能 : MR端子输入逻辑 : 动态 "L"

• 解除延迟时间精度 : ±15% (CD = 3.3 nF)

• 消耗电流 : 1.2 μA (典型值)

• 输出方式 : N沟道开路漏极输出

• 工作电压范围 : 2.5 V ~ 6.0 V

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• AEC-Q100标准应对中*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载电子装载设备用电源的电压检测

• 车载ECU, ADAS等要求故障检测系统的电压监视

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

 S191BxxxxA_C.pdf

S-191BxxxxA

车载用、工作温度125°C、带高速检测响应、6 V的窗口型电压检测器 S-191BxxxxA系列

描述:

使用CMOS技术开发的,可高精度检测欠压、过压的窗口型电压检测IC。检测电压和解除电压在内部被固定,精度为 ±1.5%。

除电源端子外,另备有检测电压输入端子 (SENSE端子),即使SENSE端子电压 (VSENSE) 下降到0 V,也会保持输出稳定。

通过外接电容器还可以延迟解除信号输出,解除延迟时间的精度为±15% (CD = 3.3 nF)。


特点:

• 检测电压 : 欠压检测电压 0.6 V ~ 4.9 V (以0.05 V为进阶单位)

 过压检测电压 0.7 V ~ 5.5 V (以0.05 V为进阶单位)

• 检测电压精度 : 欠压检测电压 ±1.5%

 过压检测电压 ±1.5%

• 可选择滞后幅度有、无 : 

  有 : 3.0%, 5.0%, 10.0%

  无 : 0%

• 检测响应时间 : 10.0 μs (典型值)

• 解除延迟时间精度 : ±15% (CD = 3.3 nF)

• 输出方式 : N沟道开路漏极输出

• 消耗电流 : 1.5 μA (典型值)

• 工作电压范围 : 2.5 V ~ 6.0 V

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• AEC-Q100标准应对中*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

• 车载电子装载设备用电源的过压检测

• 车载ECU, ADAS等的电压监视

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

 S19243xxxA_C.pdf

S-19243xxxxA

车载用、工作温度125°C、带软启动功能、10 V输入、500 mA的电压稳压器 S-19243xxxA系列

描述:

采用高耐压CMOS工艺技术开发的高精度输出电压、高输出电流的正电压电压稳压器。为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。S-19243xxxA系列不仅备有可在IC内部设定输出电压型产品,还备有可通过外部电阻设定输出电压型的产品。


特点:

• 输出电压 (内部设定产品): 在0.9 V ~ 6.0 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

• 输出电压 (外部设定产品): 在1.0 V ~ 9.0 V的范围内,可通过外部电阻设定(仅限HSOP-8A, HSOP-6, HSNT-8(2030))

• 输入电压 : 2.5 V ~ 10.0 V

• 输出电压精度 : ±2.3% (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 输入输出电压差 : 0.09 V (典型值) (2.6 V输出产品、IOUT = 200 mA时)

• 消耗电流 : 

工作时 : 120 μA (典型值)、150 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +150°C)

休眠时 : 0.1 μA (典型值)、10.5 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +125°C)

• 输出电流 : 可输出500 mA (VIN≥VOUT(S) + 1.0 V时)*1

• 纹波抑制率 : 60 dB (典型值) (f = 1.0 kHz时)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度170°C (典型值)

• 内置软启动电路 : 

可以调整在接通电源后或将ON / OFF端子设定为ON后的输出电压的上升时间。

可变型 : E / F / G / H型、tSS = 6.0 ms (典型值) (CSS = 10 nF)

可以通过电容器 (CSS) 改变软启动时间 (tSS)

固定型 : A / B / C / D型、固定为tSS = 1.0 ms (典型值)

• 内置ON / OFF控制电路 : 

能够延长电池的使用寿命

可选择放电分路功能的 "有" / "无"

可选择下拉功能的 "有" / "无"

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 汽车车载设备的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

• 车载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

 S19243xxxH_C.pdf

S-19243xxxH

车载用、工作温度105°C、带软启动功能、10 V输入、500 mA的电压稳压器 S-19243xxxH系列

描述:

S-19243xxxH系列是采用高耐压CMOS工艺技术开发的高精度输出电压、高输出电流的正电压电压稳压器。为了限制输出晶体管的过载电流,内置了过载电流保护电路;为了限制发热,内置了热敏关闭电路。S-19243xxxH系列不仅备有可在IC内部设定输出电压型产品,还备有可通过外部电阻设定输出电压型的产品。

特点:

• 输出电压 (内部设定产品): 在0.9 V ~ 6.0 V的范围内,可以0.05 V为进阶单位来选择

• 输出电压 (外部设定产品): 在1.0 V ~ 9.0 V的范围内,可通过外部电阻设定(仅限HSOP-8A, HSOP-6, HSNT-8(2030))

• 输入电压 : 2.5 V ~ 10.0 V

• 输出电压精度 : ±2.3% (Tj = −40°C ~ +105°C)

• 输入输出电压差 : 0.09 V (典型值) (2.6 V输出产品、IOUT = 200 mA时)

• 消耗电流 : 

工作时 : 120 μA (典型值)、150 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +150°C)

休眠时 : 0.1 μA (典型值)、4.5 μA (最大值) (Tj = −40°C ~ +105°C)

• 输出电流 : 可输出500 mA (VIN≥VOUT(S) + 1.0 V时)*1

• 纹波抑制率 : 60 dB (典型值) (f = 1.0 kHz时)

• 内置过载电流保护电路 : 限制输出晶体管的过载电流

• 内置热敏关闭电路 : 检测温度170°C (典型值)

• 内置软启动电路 : 

可以调整在接通电源后或将ON / OFF端子设定为ON后的输出电压的上升时间。

可变型 : E / F / G / H型、tSS = 6.0 ms (典型值) (CSS = 10 nF)

可以通过电容器 (CSS) 改变软启动时间 (tSS)

固定型 : A / B / C / D型、固定为tSS = 1.0 ms (典型值)

• 内置ON / OFF控制电路 : 

能够延长电池的使用寿命

可选择放电分路功能的 "有" / "无"

可选择下拉功能的 "有" / "无"

• 工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +105°C

• 无铅 (Sn 100%)、无卤素

• 符合AEC-Q100标准*2

*1. 请注意在输出大电流时不要超过IC的容许功耗。

*2. 详情请与代理商联系。


用途:

• 汽车车载设备的稳压电源

• 家电产品的稳压电源

• 车载用 (车身、汽车前照灯、ITS、汽车装饰品、汽车导航器、汽车音响等)


 S19954_19955_C.pdf

S-19954/S-19955

车载用、工作温度125°C、5.5 V输入、1 A、备有Power Good功能、降压、同步整流DC-DC控制器 S-19954/19955系列

描述:

是二次用降压型DC-DC控制器,可以通过选项选择PWM控制 (S-19954系列) 和PWM / PFM切换控制 (S-19955系列)。

S-19954系列固定为PWM控制,可以在不干扰AM无线电频段的情况下使用。

S-19955系列在重负载时通过PWM控制工作,轻负载时自动切换为PFM控制工作。通过PWM / PFM切换控制实现了应对设备状态的高效率工作。

本IC被安装于小型封装,外围元器件最少可使用1个线圈、2个电容器来构成应用电路。振荡频率高达2.25 MHz,因外围元器件小型化,适用于节省空间的用途。


特点:

・输入电压 : 2.7 V ~ 5.5 V 

・输出电压 : 0.8 V ~ 3.3 V 

・输出电流 : 1 A 

・汽车车载设备的稳压电源

・VOUT端子检测电压精度 : ±1.5% (Tj = −40°C ~ +125°C)

・効率 : 95%

・振荡频率 : 2.25 MHz (典型值)

・过载电流保护功能 : 1.75 A (典型值) (逐脉冲方式)

・热敏关闭功能 : 170°C (典型值) (检测温度) 

・短路保护功能 : Hiccup控制、Latch控制

・100%占空系数工作

・输出放电功能 : 可选择 "有" / "无"

・Power Good功能 : N沟道开路漏极输出

・软启动功能 : 0.35 ms (典型值)

・欠压锁定功能 (UVLO) : 2.43 V (典型值) (检测电压)

・输入、输出电容器 : 可使用陶瓷电容器

・工作温度范围 : Ta = −40°C ~ +125°C

・无铅 (Sn 100%)、无卤素

・符合AEC-Q100标准*1

*1. 详情请与代理商联系。


用途:

・车载器械的二次电源

・相机模组

・载用 (引擎、变速器、汽车悬架、ABS、EV / HEV / PHEV关联器械等)

编码器iCs

 LGC.pdf

iC-LG / iC-LGC

21位光电位置编码器, 带串行/并行和正余弦输出

Features

  • Small-outline optoBGA or BLCC package for SMT

  • System-on-chip design with integrated photosensors

  • Differential scanning for EMI immunity and operation up to 125 °C

  • Enlarged assembly tolerance due to pre-positioned and post-positioned code scanning

  • 13 digital tracks + 2 sine/cosine tracks with analog signal conditioning

  • Singleturn resolution of 16 to 21 bits by 3-bit flash or 8-bit S&H ADC

  • Interface for external multiturn data processing, embedded low power counter for battery supply

  • LED power control with a 50 mA highside driver

  • 4 to 5.5 V single supply operation

  • Temperature sensor with alarm

  • CRC protected data with life counter


Applications

  • Absolute position encoders for safety-related controls

  • Analog and digital motor feedback systems

  • Robotics, tooling machines, servo drives





 LNB.pdf

iC-LNB

18位光电编码器, 带SPI和串行/并行和 FlexCount® 输出

Features

  • System-on-chip design for excellent reliability

  • Leading/trailing sampling of 10 binary tracks pitched at 400 μm

  • Analog sine/cosine scanning with enlarged photodiodes, signal conditioning and fast 8-bit vector tracking interpolation

  • Absolute singleturn resolution of up to 18 bit

  • Diff. sine/cosine outputs with 1024 CPR (amplitude: 500 mV)

  • Unique FlexCount® circuit: freely selectable resolution for absolute and incremental data

  • Incremental quadrature outputs with 1 to 65,536 CPR and programmable index signal

  • LED illumination with automatic control by 50 mA high-side current source

  • Alarm indication for configuration or illumination error (end of life)

  • 3.3 V-compatible SPI and I/O ports for configuration and data

  • Serial data readout in 1 μs cycles at 16 MHz clock frequency

  • Parallel position data output for 16 bit


Applications

  • Optical position sensors

  • Linear scales

  • Absolute, incremental and parallel encoders

  • Programmable incremental encoders

  • Motor feedback systems



 LNG.pdf

IC-LNG

16位光电编码器, 带SPI和串行/并行输出

Features

  • System-on-chip design for excellent reliability

  • Gray code scanning (11 digital tracks pitched at 400 μm)

  • Sine/cosine analog track with electronic calibration

  • Diff. sine/cosine outputs with 1024 CPR (amplitude: 500 mV)

  • Absolute position value of up to 16 bits through 6-bit interpolation

  • Quadrature signals with 1024, 2048, 4096, 8192, 16384 CPR

  • Index signal in phase with B low

  • LED illumination with automatic control by 50 mA high-side current source

  • Alarm indication for configuration or illumination error (end of life)

  • 3.3 V-compatible SPI and I/O ports for configuration and data

  • Serial data readout in 1 μs cycles at 16 MHz clock frequency

  • Parallel position data output for 14 bit


Applications      

  • Optical position sensors

  • Linear scales

  • Absolute, incremental and parallel encoders

  • Programmable incremental encoders

  • Motor feedback systems



 LSB.pdf

iC-LSB

8通道主动式光电传感器阵列

Applications     

  • Optical position encoding from analog sine/cosine signals

  • Incremental encoders with index signal

 

Features     

  • Monolithic array of independent photosensors with excellent matching

  • Compact photosensor size of 800μm x 300μm enabling high-quality encoder scanning at reduced system dimensions

  • Narrow track pitch of 0.42mm cuts down illumination efforts

  • Enhanced EMI immunity due to on-chip pre-amplification

  • Dark current compensation permits high temperature operation

  • Open-collector outputs as highside current source

  • Simple gain setting and current-to-voltage conversion by external load resistors

  • Single supply operation from 4 V to 5.5V

  • Low power consumption

  • Space saving, RoHS compliant and optoBGA packages

  • Options: extended temperature range of -40 to 125 °C, customized COB modules, reticles and code discs




 LSC.pdf

iC-LSC

12通道主动式光电传感器阵列

Features

  • Monolithic array of independent photosensors with excellent matching

  • Compact photosensor size of 800μm x 300μm enabling high-quality encoder scanning at reduced system dimensions

  • Narrow track pitch of 0.42mm cuts down illumination efforts

  • Enhanced EMI immunity due to on-chip pre-amplification

  • Dark current compensation permits high temperature operation

  • Open-collector outputs as highside current source

  • Simple gain setting and current-to-voltage conversion by external load resistors



Applications      

  • Optical position encoding from analog sine/cosine signals

  • Incremental encoders with index signal

  • Motor commutation encoders


 LSHB.pdf

iC-LSHB

增量式光电传感器阵列

Features

  • Monolithic array of independent photosensors with excellent matching

  • Compact photosensor size of 800μm x 330μm enabling smaller encoder systems

  • Moderate track pitch for reasonable alignment tolerances

  • On-chip low noise amplifiers

  • Ultra low dark currents for operation to high temperature

  • Short-circuit-proof, low impedance voltage outputs for enhanced EMI tolerance


Applications

  • Incremental rotary encoders

  • Linear scales




 LSHC.pdf

iC-LSHC

3通道正余弦光电传感器阵列

Features

  • Monolithic array of independent photosensors with excellent matching

  • Compact photosensor size of 800μm x 330μm enabling smaller encoder systems

  • Moderate track pitch for reasonable alignment tolerances

  • On-chip low noise amplifiers

  • Ultra low dark currents for operation to high temperature

  • Short-circuit-proof, low impedance voltage outputs for enhanced EMI tolerance


Applications

  • Optical position encoding from analog sine/cosine signals

  • Incremental encoders with interpolation

  • Absolute position encoders using nonius scales


 LTA.pdf

iC-LTA

6通道增量式光电编码器芯片

Features      

  • Monolithic photodiode array with excellent signal matching

  • Very compact size for small encoders

  • Moderate track pitch for relaxed assembly tolerances

  • Low noise signal amplifiers with high EMI tolerance

  • Single-pin programming of 3 operating modes: analog, digital, and x2 interpolated

  • Analog signals for alignment and resolution enhancement

  • Selectable index gating: 1 T, 0.5 T (B-gated), 0.25 T (AB-gated)

  • Complementary outputs: A, B, Z and NA, NB, NZ

  • High output frequency for speedy drives and high resolution

  • U, V,W commutation signals, analog and digital

  • All outputs +/- 4mA push-pull, current-limited and short-circuit-proof

  • LED power control with 40mA high-side driver

  • Single 3.5 V to 5.5V operation, low power consumption


Applications      

  • Incremental encoder

  • BLDC motor commutation

  • Industrial drives


 LV.pdf

iC-LV

5位光电编码器, 带可串联串行接口(SSI)

Features      

  • High synchronism and technical reliability due to monolithic construction featuring on-chip photosensors

  • Scanning with constant-light evaluation at a pitch of 600 μm

  • Photocurrent amplifiers with high cut-off frequency

  • Adjustable illumination control with 40 mA LED driver ensures constant receiver power over life

  • Monitoring of safe operating range with alarm message (eg. EOL message on LED control error)

  • Serial data output via extended SSI interface

  • Parallel 5 bit data output as Gray or binary code

  • Adjustable phase of MSB track selects for sense of Gray code direction

  • Selectable all-track bit inversion

  • Supports chain circuits of multiple devices including synchronisation options


Applications

  • Scanning with constant-light evaluation for optical encoders

  • Low-res singleturn encoders

  • Multiturn encoders



 OF.pdf

iC-OF

3位光电编码器芯

Features      

  • Monolithically integrated photodiodes (half-track pitch 300 μm)

  • Excellent matching and reliability

  • Elimination of dark current effects through differential scanning

  • Comparators with precise photocurrent-related hysteresis

  • Short-circuit-proof CMOS-/LSTTL-compatible outputs

  • Additional analog push-pull outputs


Applications

  • Optical position decoding for incremental encoders using the principle of differential scanning



 OG.pdf

iC-OG

8位差分扫描光电编码器芯片, 带LED控制

Features      

  • Excellent matching and reliability

  • Differential scanning eliminates dark current effects (half-track width: 300 μm)

  • Comparators with precise photocurrent related hysteresis

  • Short-circuit-proof, CMOS-/LSTTL-compatible outputs

  • Additional analog push-pull outputs

  • Adjustable 80 mA LED current control for constant photosensor currents

  • Control monitoring with alarm output


Applications

  • Optical position decoding using the principle of differential scanning

  • Incremental and absolute encoders with a resolution of up to 8 bits


 PD3948.pdf

iC-PD3948

5通道正余弦编码器芯片 (39 mm 直径, 2048线)

Features

  • Compact encoder sensor with differential scanning and sine outputs

  • Phased-array design for excellent signal matching

  • Reduced cross talk due to moderate track pitch

  • Ultra low dark currents for operation to high temperature

  • On-chip low noise amplifiers

  • Short-circuit-proof, low impedance voltage outputs for enhanced EMI tolerance


Applications

  • Incremental sine encoders with commutation information

  • Motor feedback encoder

  • AC and BLDC motor systems


 PN.pdf

 PN2612.pdf

 PN2624.pdf

 PN2656.pdf

iC-PN26xx

相位阵游标编码器芯片系列 (26 mm 直径)

Applications 

  • Absolute position encoders

  • AC servo feedback

 

Features      

  • Compact, high resolution absolute encoder

  • ICs for up to 23 bit singleturn resolution (with nonius interpolation)

  • For code discs of 18 mm, 26 mm, 33 mm, 39 mm

  • Monolithic 3-channel HD Phased Array with excellent signal matching

  • Moderate track pitch for reduced cross talk

  • Ultra low dark currents for operation up to high temperature

  • Low noise amplifiers with high transimpedance gain

  • Enhanced EMI tolerance by low impedance differential, short-circuit-proof, analog sine/cosine outputs

  • Low power consumption from single 4.1 to 5.5 V supply

  • Operational temperature range of -40 °C to +125 °C

  • Space saving optoQFN and optoBGA packages (RoHS compliant)

  • Evaluation kits with LED and code disc available for sampling


Optical radius 10.9 mm, code disc ∅ 26.0 mm;
iC-PN2656: 256 CPR
iC-PN2612: 512 CPR
iC-PN2624: 1024 CPR

 Lshc9rs.pdf

 Lshc10rs.pdf

 PN.pdf

 PN3312.pdf

 PN3324.pdf

 PNxxxx.pdf

iC-PN33xx

相位阵游标编码器芯片系列 (33 mm 直径)

Applications 

  • Absolute position encoders

  • AC servo feedback

 

Features      

  • Compact, high resolution absolute encoder

  • ICs for up to 23 bit singleturn resolution (with nonius interpolation)

  • For code discs of  18 mm,  26 mm,  33 mm,  39 mm

  • Monolithic 3-channel HD Phased Array with excellent signal matching

  • Moderate track pitch for reduced cross talk

  • Ultra low dark currents for operation up to high temperature

  • Low noise amplifiers with high transimpedance gain

  • Enhanced EMI tolerance by low impedance differential, short-circuit-proof, analog sine/cosine outputs

  • Low power consumption from single 4.1 to 5.5 V supply

  • Operational temperature range of -40 °C to +125 °C

  • Space saving optoQFN and optoBGA packages (RoHS compliant)

  • Evaluation kits with LED and code disc available for sampling


iC-PN33xx

Optical radius 14.5 mm, code disc ∅ 33.0 mm;
iC-PN3356: 256 CPR
iC-PN3312: 512 CPR
iC-PN3324: 1024 CPR



 Lshc12rs.pdf

 PN3924.pdf

 PNxxxx.pdf

iC-PN3924

相位阵游标编码器芯片系列 (39 mm 直径)

Applications 

  • Absolute position encoders

  • AC servo feedback

 

Features      

  • Compact, high resolution absolute encoder

  • ICs for up to 23 bit singleturn resolution (with nonius interpolation)

  • For code discs of  18 mm,  26 mm,  33 mm,  39 mm

  • Monolithic 3-channel HD Phased Array with excellent signal matching

  • Moderate track pitch for reduced cross talk

  • Ultra low dark currents for operation up to high temperature

  • Low noise amplifiers with high transimpedance gain

  • Enhanced EMI tolerance by low impedance differential, short-circuit-proof, analog sine/cosine outputs

  • Low power consumption from single 4.1 to 5.5 V supply

  • Operational temperature range of -40 °C to +125 °C

  • Space saving optoQFN and optoBGA packages (RoHS compliant)

  • Evaluation kits with LED and code disc available for sampling


iC-PN39nn Series
Optical radius 17.5 mm, code disc
39.0 mm;
iC-PN3924: 1024 CPR


 PNH.pdf

 PNH-Series.pdf

iC-PNH 系列

相位阵游标编码器芯片 - (新)

Applications  

  • Compact, high resolution absolute encoder IC for up to 24 bit singleturn resolution (with nonius interpolation)

  • For code disc of ∅26mm, ∅33mm, ∅39mm

  • Monolithic 3-channel HD Phased Array with excellent signal matching

  • Moderate track pitch for reduced cross talk

  • Ultra low dark currents for operation to high temperature

  • Low noise amplifiers with high transimpedance gain

  • Enhanced EMI tolerance by low impedance differential, short-circuit-proof, analog sine/cosine outputs

  • Embedded sector detection by 2 digital tracks (2-bit Gray code)


Features       

  • Absolute position encoders

  • AC servo feedback


 PR series.pdf

 PR.pdf

iC-PR 系列

EncoderBlue® 反射式光电编码器 - (新)

Features       

  • Lensless, reflective opto-encoder iCs, compact, high-resolution, incremental

  • Suitable reflective code discs of ∅4, ∅14, ∅26 and ∅43mm and linear scales with 256 μm period length

  • Monolithic HD Phased Array with excellent signal matching

  • Integrated blue LED with power control, EncoderBlue®

  • Low-noise signal amplifiers with high EMI tolerance

  • Pin-selectable modes of operation: Digital A/B/Z (x1, x2, x4, x8, x16 interpolated), analog COS/SIN with analog or digital Z

  • Pin-selectable index gating: Ungated (1 T), B-gated (0.5 T), AB-gated (0.25 T)

  • Pin-selectable minimal edge distance: 80 ns, 1 μs, 10 μs

  • Analog signal output for ease of alignment and resolution enhancement by external interpolation

  • Operating temperature range of -40 °C to +105 °C


Applications  

  • Incremental encoders

  • Miniature motors and actuators

  • X-Y and linear stages

  • Factory automation robots

  • Consumer robots


 PTH.pdf

iC-PT-H 系列

6通道相位阵光电编码器芯片系列

Applications     

  • Incremental encoder

  • Brushless DC motor commutation

  • Industrial drives

 

Features     

  • Compact, high resolution incremental encoder ICs with up to 2500 CPR (native) and 10,000 CPR (interpolated)

  • For code discs of Ø 26 mm, Ø 33 mm, and Ø 39 mm

  • Excellent signal matching

  • Moderate track pitch for relaxed assembly tolerances

  • Low-noise signal amplifiers with high EMI tolerance

  • Pin-selectable operating modes: analog, digital, and interpolated (x2 and x4)

  • Pin-selectable index gating: un-gated (1T), B-gated (0.5T), AB-gated (0.25T)

  • Complementary quadrature outputs to 1.6 MHz: A, B, Z and NA, NB, NZ

  • Commutation signal outputs: U, V, W

  • Short-circuit-proof, current-limited, +/- 4mA push-pull

  • Analog signal output for ease of alignment and resolution enhancement by external interpolation

  • LED power control with 40mA high-side driver

  • Low power consumption from single 3.5 V to 5.5 V supply

  • Operational temperature range of -40 to +120 °C

  • Evaluation kits with LED and code disc available


iC-PT26nnH Series Ø 26 mm, 250 to 1500 (4500) CPR

iC-PT33nnH Series Ø 33 mm, 360 to 1800 (7200) CPR

iC-PT33nnH Encoder blue® Series Ø 33 mm, 2000 to 2500 (10000) CPR

iC-PT39nnH Series Ø 39 mm, 512 to 2048 (8192) CPR



 PT26.pdf

iC-PT 系列

6信道相位阵光电编码器芯片系列

Applications     

  • Incremental encoder

  • Brushless DC motor commutation

  • Industrial drives

 

Features     

  • Compact, high resolution incremental encoder ICs with up to 2500 CPR (native) and 5,000 CPR (interpolated)

  • For code discs of Ø 26 mm and Ø 33 mm

  • Excellent signal matching

  • Moderate track pitch for relaxed assembly tolerances

  • Low-noise signal amplifiers with high EMI tolerance

  • Pin-selectable operating modes: analog, digital, and x2 interpolated

  • Pin-selectable index gating: un-gated (1T), B-gated (0.5T), AB-gated (0.25T)

  • Complementary quadrature outputs to 800 kHz: A, B, Z and NA, NB, NZ

  • Commutation signal outputs: U, V, W

  • Short-circuit-proof, current-limited, +/- 4mA push-pull

  • Analog signal output for ease of alignment and resolution enhancement by external interpolation

  • LED power control with 40mA high-side driver

  • Low power consumption from single 3.5 V to 5.5 V supply

  • Operational temperature range of -40 to +120 °C

  • Evaluation kits with LED and code disc available

 

iC-PT26nn Series Ø 26 mm, 250 to 1250 (2500) CPR

iC-PT33nn SeriesØ33 mm, 360 to 2500 (5000) CPR




 PX.pdf

 PX-Series.pdf

iC-PX

反射式光电编码器 - (新)

Features      

  • Lensless, reflective opto-encoder iCs, compact, high-resolution, incremental

  • Suitable reflective code discs of ∅26 and ∅32 mm

  • Monolithic HD Phased Array with excellent signal matching

  • Integrated blue LED, EncoderBlue®

  • LED power control with 20 mA driver

  • Low-noise signal amplifiers with high EMI tolerance

  • Pin-selectable modes of operation: Digital A/B (x1, x2, x4, x8, x16 interpolated)

  • Short-circuit-proof, current-limited, +/- 4 mA push-pull outputs

  • Compact and lensless optoDFN mold package

  • Operating temperature range of -40 °C to +105 °C


Applications

  • Incremental encoders

  • Miniature motors and actuators

  • X-Y and linear stages

  • Factory automation robots

  • Consumer robots


 wg.pdf

 wgrs.pdf

iC-WG

14位差分扫描光电编码器芯片

  • Features

  • Operates from a single 4.5 to 20 V supply

  • Excellent matching, high reliability

  • Differential scanning eliminates dark current effects (half-track width: 300 μm)

  • Comparators with precise photocurrent related hysteresis

  • Short-circuit-proof CMOS-/LSTTL-compatible outputs

  • Adjustable LED-current control for constant photosensor currents

  • Control monitoring with alarm output


    Applications      

  • Optical position decoding with 14 bits based on the principle of differential scanning


 PG_factsheet_rev2.pdf

iC-PG

iC-PG 微型反射式光学绝对编码器

特点:

  • 非常紧凑的无镜头光电编码器

  • 适用于∅8mm的反光码盘

  • 带电源控制的集成蓝色 LED,EncoderBlue®

  • 按钮功能:从 0.5 V 到 4.5 V 的 64 步无弹跳模拟输出

  • 带 1.6 mA 推挽驱动器的并行 5 位格雷码输出

  • 30个角度位置,分辨率12°

  • 2 个位置预留用于 PowerOn/Error 指示

  • 单侧 5 V 电源

  • 工作温度 -40 °C 至 +105 °C


应用:

  • 旋转控制旋钮

  • 人机接口

  • 影音设备

  • 电子电位器


 RB_factsheet_rev1_CN.pdf

iC-RB

iC-RB 系列高分辨率光学安全编码器

特点:

  • 独立独立的2通道扫描

  • 控制/安全通道扫描代码盘的不同位置

  • 固定码盘直径为 Ø 26.5 mm 或 Ø 42.5 mm

  • 控制通道 (CC) 特性:

  • 10 位伪随机码 (PRC)

  • 14 位 S&H SAR 内插器(1024 CPR 正弦/余弦)

  • BiSS接口

  • MT接口(SSI)

  • 引脚可选的操作模式

  • 诊断(例如正弦/余弦幅度监视器)

  • 安全通道 (SC) 的特点:

  • 10 位伪随机码 (PRC)

  • 5 位实时插值器(1024 CPR 正弦/余弦)

  • BiSS/SPI接口

  • MT接口(SSI)

  • 通过分机的 BiSS、SPI 和 I2C 进行配置。EEPROM

  • 诊断(例如正弦/余弦交流监视器)

  • 片上温度传感器


应用:

  • 高分辨率光学单芯片编码器(24 位 CPW)

  • 功能安全编码器

  • 用于电机反馈的单圈和多圈编码器

 MA.pdf

iC-MA

8位霍尔角度编码器芯片, 可串联

Features

  • Resolution of 64, 128 and 256 positions within 360°

  • Rotational speeds up to 60,000 rpm

  • Outputs configurable to provide analog and digital signals

  • Pin-configurable (no programming or external memory required)

  • Fail signal for low magnetic strength

  • Cascading multiple iC-MAs allows the use of a single bus


Applications

  • Analog and digital angle sensors

  • Incremental angular encoders

  • Magnetic multiturn encoders

  • Potentiometer replacement

  • Contactless rotary switch

  • Flow meter



 MA3.pdf

iC-MA3

霍尔角度传感器芯片, 带Sin/Cos输出, 可串联 - (新)

Features

  • Single supply operation from 3.0 V to 5.5 V

  • Rotational speeds up to 60,000 rpm

  • Quad Hall array for high assembly tolerances

  • High immunity to external stray fields

  • Automatic gain control

  • Digital control error output (loss of-magnet indicator)

  • Analog gain signal for magnetic field strength monitoring

  • Two output modes: differential, or single-ended with reference and gain signal

  • Pin-selectable output level, power mode, bandwidth

  • Bus-capable outputs for chain operation of multiple devices


Applications

  • Precision magnetic angle sensing

  • Absolute rotary position sensors

  • Magnetic multiturn encoders


 Mh.pdf

iC-MH

12位霍尔角度编码器芯片, 带换向,增量和串行输出

Features

  • Real-time system for rotation speed up to 120.000 rpm

  • 4-fold sensor arrangement for displacement tolerant assembly

  • Gain control for constant output amplitude

  • Interpolator with 4096 angular steps per turn (0.1° resolution)

  • Programmable resolution, hysteresis, edge control, zero position and rotational direction

  • RS422 outputs with AB quadrature signals with index (edge frequency up to 8 MHz)

  • Commutation signals U, V, W for brushless DC motors

  • Serial interface (BiSS-C or SSI) for absolute output and programming

  • Non-volatile on-chip memory (zapping diodes) for device setup and OEM data

  • Temperature sensor with alarm

  • Error output for faulty signals (loss of magnet, frequency error)


Applications

  • Digital sensor 0...360°

  • Incremental or absolute angular encoder

  • Motor feedback systems

  • Commutation of brushless DC motors


 MH16.pdf

iC-MH16

12位霍尔角度编码器芯片 - (新)

12-Bit Angular Hall Encoder - (new)

Features

  • Real-time system for rotation speed up to 200.000 rpm

  • Integrated Hall sensors with automatic offset compensation

  • 4x sensor arrangement for fault-tolerant adjustment

  • Amplitude control for optimum operating point

  • Interpolator with 4096 angular increments / resolution better than 0.1°

  • Programmable resolution, hysteresis, edge distance, zero position and rotational direction

  • RS422-compatible AB encoder signals with index Z

  • Incremental output of sensor position up to 16MHz edge rate

  • UVW commutation signals with up to 16 pole pairs

  • BiSS/SSI-compatible interface for data output and configuration

  • Integrated ZAP diodes for module setup and OEM data, programmable via serial interface

  • Errors signalized via pin and serial interface

  • Supply voltage monitoring with integrated switches for reversed-polarity-safe systems


Applications

  • Digital angular sensor technology, 0-360°

  • Incremental angular encoder

  • Absolute angular encoder

  • Motor feedback

  • Rotational speed control

  • Brushless motors


 MH8.pdf

iC-MH8

12位霍尔角度编码器芯片, 带换向,增量,串行和模拟输出

Features

  • Real-time system for rotation speed up to 120.000 rpm

  • 4-fold sensor arrangement for displacement tolerant assembly

  • Amplitude control for optimum operating point

  • Interpolator with 4096 angular steps per turn (0.1° resolution)

  • Programmable resolution, hysteresis, edge distance, zero position and rotational direction

  • RS422 outputs with AB quadrature signals with index (edge frequency up to 8 MHz)

  • Commutation signals U, V, W for up to 8 poles EC motors

  • Analog sine and cosine differential signals

  • Serial interface (BiSS-C or SSI) for absolute output and programming

  • Non-volatile on-chip memory (zapping diodes) for device setup and OEM data

  • Temperature sensor with alarm

  • Error output for faulty signals (loss of magnet, frequency error)


Applications      

  • Digital sensor 0...360°

  • Incremental or absolute angular encoder

  • Motor feedback systems

  • Rotational speed control

  • Commutation of brushless DC motors


 MHA.pdf

iC-MHA

霍尔角度编码器芯片, 正余弦输出

Features

  • Operation from DC up to 20.000 rpm

  • Sine/Cosine differential outputs

  • Automatic gain control for 1 Vpp differential signal amplitude

  • Loss-of-magnet detection and error messaging


Applications      

  • Resolver replacement

  • Contactless rotary sensor / potentiometer

  • Absolute and incremental rotary encoders

  • Motor feedback


 MHL200.pdf

iC-MHL200

12位线性/旋转位置霍尔编码器芯片

Features

  • Realtime system for linear speed up to 8 m/s at full resolution

  • Absolute position within the magnetic period of 4mm

  • 12-bit interpolation with 4096 increments, resolution better 1μm

  • Automatic amplitude control for optimum operating point

  • Programmable features: interpolation factor, hysteresis, minimum phase distance, zero position and code direction

  • Electronic index generation with multi purpose enable input

  • RS422-compatible A/B/Z outputs for encoder quadrature signals with up to 8MHz edge rate

  • Serial I/O interface for high-speed data output (BiSS/SSI) and configuration (BiSS)

  • Zener-Zap ROM for non-volatile setup and OEM data

  • Signal monitoring: loss of signal, excessive frequency


Applications

  • Motion control

  • Linear position encoder

  • Incremental off-axis rotary encoders


 MHM.pdf

iC-MHM

14位绝对式霍尔角度编码器芯片

Features

  • Quad Hall sensor array for fault-tolerant assembly

  • Monitored auto-gain control, optional fine-calibration for compensation of misalignment

  • Absolute resolution of 0.02° (14 bit / 360° at up to 10 000 rpm)

  • Selectable resolution and tracking rate (12 bit at 80 000 rpm)

  • Adjustable zero position and code direction

  • Diff. current-limited sin/cos outputs (1 Vpp to 100 Ω)

  • BiSS Interface for CRC-secured position and programming

  • Compatible to BiSS C profiles (BP1, BP3) and SSI

  • Integrated RS422 transceiver for up to 10 Mbit/s (at 5 V)

  • Higher data rates supported by LVDS compatibility

  • System monitoring via BiSS error/warning bits (loss-of-magnet)

  • Multiturn data processing for up to 32 bit (SSI MT interface)

  • Command/pin-triggered position preset for ST/MT data

  • Pin-selectable SPI operation

  • CRC-protected setup from EEPROM (I2C multi-master interf.)

  • Reverse-polarity and short-circuit-proof interfacing pins


Applications

  • Absolute angle sensors

  • Singleturn/multiturn position encoders

  • Motor feedback


 ML.pdf

iC-ML

8位线性位置霍尔编码器芯片, 可串联

Features

  • Linear Hall sensor array for magnetic pole pitch of 2.56 mm

  • Non-sensitive to magnetic stray fields due to differential measurement technique

  • Interpolator with 8-bit linear resolution of 20 μm

  • Linear speed up to 5 m/s

  • Pin-configurable (no programming or external memory required)

  • Cascading of multiple iC-ML possible for chain operation (Evaluation of independent scales x, y, z)

  • Error signal output for detection of low magnetic field strength

  • Outputs configurable to provide analog and digital signals


Applications

  • Analog and digital linear sensors

  • Incremental linear encoders

  • Pole wheel sensing

  • Contactless slider/switch

  • Commutation of linear motor

  • Absolute displacement sensing



 MP.pdf

iC-MP

8位霍尔编码器芯片, 带比例输出

Features

  • Hall sensor array with automatic signal control

  • Differential scanning for excellent magnetic stray field tolerance

  • Realtime tracking interpolation to 256 angle steps permitting RPM speed of up to 12,000

  • Selectable full scale angle of 90, 180, 270 or 360 degree

  • Programmable zero/index position

  • Ratiometric output with 0.5 to 4.5 V or 0 to 5 V

  • Fast, serial absolute angle data output

  • Easy daisy chaining of multiple sensors: all analog/digital outputs are bus capable

  • Loss-of-magnet and excessive frequency indication via error output

  • Non-volatile setup provided by reconfigurable Zap ROM



Applications

  • Contactless potentiometer

  • Absolute 360° angle sensor

  • Magnetic rotary encoders

  • Magnetic multiturn encoders


 MU.pdf

iC-MU

磁性离轴绝对式位置编码器芯片 - 磁极宽度 1.28 mm

Features      

  • Integrated Hall sensors for two-track scanning

  • Hall sensors optimized for 1.28 mm pole width (master track)

  • Signal conditioning for offset, amplitude, and phase

  • Sine/digital real-time conversion with 12-bit resolution (14-bit filtered)

  • 2-track nonius absolute value calculation up to 18 bits

  • 16, 32, or 64 pole pairs per measurement distance

  • Enlargement of measurement distance with second iC-MU

  • Synchronization of external multiturn systems

  • Configuration from an external EEPROM using a multimaster I2C interface

  • Microcontroller-compatible serial interface (SPI, BiSS, SSI)

  • Incremental quadrature signals with an index (ABZ)

  • FlexCount®: scalable resolution from 1 up to 65536 CPR

  • Commutation signals for motors from 1 up to 16 pole pairs (UVW)


Applications

  • Rotative absolute encoders

  • Linear absolute scales

  • Singleturn and multiturn encoders

  • Motor feedback encoders

  • BLDC motor commutation

  • Hollow shaft encoder

  • Multi-axis measurement systems


 MU150.pdf

iC-MU150

磁性离轴绝对式位置编码器芯片 - 磁极宽度 1.50 mm - (新)

Features

  • Integrated Hall sensors for two-track scanning

  • Hall sensors optimized for 1.50 mm pole width (master track)

  • Signal conditioning for offset, amplitude, and phase

  • Sine/digital real-time conversion with 12-bit resolution (14-bit filtered)

  • 2-track nonius absolute value calculation up to 18 bits

  • 16, 32, or 64 pole pairs per measurement distance

  • Enlargement of measurement distance with second iC-MU150

  • Synchronization of external multiturn systems

  • Configuration from an external EEPROM using a multimaster I2C interface

  • Microcontroller-compatible serial interface (SPI, BiSS, SSI)

  • Incremental quadrature signals with an index (ABZ)

  • FlexCount®: scalable resolution from 1 up to 65536 CPR

  • Commutation signals for motors from 1 up to 16 pole pairs (UVW)


Applications

  • Rotative absolute encoders

  • Linear absolute scales

  • Singleturn and multiturn encoders

  • Motor feedback encoders

  • BLDC motor commutation

  • Hollow shaft encoder

  • Multi-axis measurement systems



 MV.pdf

iC-MV

8位霍尔编码器芯片, 带可串联串行接口

Applications     

  • Absolute multiturn encoders

  • Absolute rotary encoders

  • Contactless rotary switches

 

Features     

  • Integrated Hall sensors with signal conditioning

  • Automatic gain control with error detection (loss of magnet)

  • 8-bit real-time interpolation for up to 24 000 rpm

  • Binary interpolation factors from 2 to 8 bit

  • Programmable zero position

  • Cascadable serial shift register with SSI compatibility

  • Bus-compatible EEPROM I2C interface

  • Space saving features: small 3mm x 3mm QFN package, magnet size of Ø 3mm

  • Standby mode

  • Extended temperature range of -40...+125 °C


iC-PM

能量收集多圈编码器/计数器

Features

  • Gearless and batteryless revolution counter

  • Energy harvesting from Wiegand pulses (Devices and processes for Energy Harvesting by Wiegand Wire within position encoders are protected by several worldwide patents (such as WO 2004/046735 A1) and require licensing by the inventors and applicants.)

  • Integrated hall switch for direction detection

  • Evaluation of Pt1000 sensor output for high accurate gas meter applications

  • SPI interface to external non-volatile RAM

  • Independent SPI interface to microcontroller (configuration and data exchange)

  • 4 low noise hall sensors with differential analog output

  • Electrical Wiegand Wire excitation for synchronisation with single turn

  • Runt pulse tolerant counting algorithm


Applications

  • Multiturn encoder

  • Absolute position encoder

  • Period counter

  • Gas meter

  • Flow meter


 PMX.pdf

 RMF.pdf

iC-PMX

能量收集多圈编码器/计数器 - (新)

Features

  • Hall sensor array with automatic signal control

  • Differential scanning for excellent magnetic stray field tolerance

  • Realtime tracking interpolation to 256 angle steps permitting RPM speed of up to 12,000

  • Selectable full scale angle of 90, 180, 270 or 360 degree

  • Programmable zero/index position

  • Ratiometric output with 0.5 to 4.5 V or 0 to 5 V

  • Fast, serial absolute angle data output

  • Easy daisy chaining of multiple sensors: all analog/digital outputs are bus capable

  • Loss-of-magnet and excessive frequency indication via error output

  • Non-volatile setup provided by reconfigurable Zap ROM


Applications

  • Contactless potentiometer

  • Absolute 360° angle sensor

  • Magnetic rotary encoders

  • Magnetic multiturn encoders



 PV.pdf

iC-PV

电池缓冲霍尔多圈编码器芯片

Features

  • Integrated Hall sensors with auto-gain and offset control

  • Adjustable performance of tracking (12,000 to 100,000 rpm) versus power consumption (2 μA to 30 μA in average)

  • Configurable multiturn counting of up to 40 bits

  • Octal encoder mode (singleturn) with 3-bit parallel output

  • Shift-register input for singleturn position

  • Shift-register output of synchronized MT/ST position

  • SSI multiturn data output with error, parity, and sync. bits

  • Adjustable multiturn preset value

  • Supply voltage range of 3.0 V to 5.5 V

  • Pin-triggered preset and boot-up from external EEPROM

  • Integrated supply switching to backup battery

  • Error output on overspeed, low battery, and CRC failure


Applications

  • Gearless revolution counting

  • Absolute end-of-shaft position sensors

  • Metering applications

  • Multiturn encoders



 IC_PVL_c.pdf

iC-PVL


线性/离轴电池缓冲霍尔多圈编码器芯片 - (新)


Features:

  • Integrated Hall sensors with automatic gain and offset control.

  • For magnetic scales of 1.0 up to 5.0mm pole width and diametral magnets.

  • Battery supply current of <2 μA to 30 μA in typical applications.

  • Tracking speed of up to 24 m/s (1.5mm poles) or 15000rpm (32 pole pairs).

  • Configurable multiturn counting up to 40 bits.

  • Adjustable period count per revolution: FlexCount® logic for 1 to 256 pole pairs.

  • Serial, parallel, and incremental singleturn operating modes.

  • SSI multiturn data output with error, warning, parity, and synchronization bits.

  • Multiturn preset by pin or command.

  • I2C master function for initial boot-up from EEPROM.

  • I2C slave function for controller operation.

  • Supply voltage of 3.0 V to 5.5 V.

  • Automatic low-power operation on backup batteryOverspeed, battery, and RAM (CRC) monitoring.

  • Space-saving 16-pin QFN package


Applications:

  • Absolute hollow-shaft position encoders.

  • Absolute on-axis position encoders.

  • Gearless revolution counting.

  • Linear position sensors.

  • Metering applications.

  • Battery-powered portable equipment.



 TW11.pdf

iC-TW11

10位超低耗绝对式旋转编码器芯片 - (新)

Features

  • 10-bit angle resolution

  • Split power supplies for 1.8 V I/O applications

  • Sampling initiated via SPI command or dedicted pin

  • Interrupt input and output for chaining multiple devices

  • 4 kHz typ. maximum sampling frequency

  • 21 μA typical supply current at 10 Hz sampling frequency

  • Low power mode reduces current to 3 μA at 10 Hz

  • Automatic sleep mode draws ≤ 100 nA between samples

  • Standard 4-wire SPI communication

  • Automatic Hall element gain control (AGC)


Applications

  • Battery-powered portable equipment

  • Digital potentiometers and front panel controls

  • Servo or stepper motor feedback

  • Office equipment and household appliances

  • Assembly robots and autonomous vehicles



 IC-MU200_datasheet_A3en.pdf

iC-MU200

磁性离轴绝对式位置编码器芯片 - 磁极宽度 2.00 mm

Features      

  • Integrated Hall sensors for two-track scanning

  • Hall sensors optimized for 2.00 mm pole width (master track)

  • Signal conditioning for offset, amplitude, and phase

  • Sine/digital real-time conversion with 12-bit resolution (14-bit filtered)

  • 2-track nonius absolute value calculation up to 18 bits

  • 16, 32, or 64 pole pairs per measurement distance

  • Enlargement of measurement distance with second iC-MU200

  • Synchronization of external multiturn systems

  • Configuration from an external EEPROM using a multimaster I2C interface

  • Microcontroller-compatible serial interface (SPI, BiSS, SSI)

  • Incremental quadrature signals with an index (ABZ)

  • FlexCount®: scalable resolution from 1 up to 65536 CPR

  • Commutation signals for motors from 1 up to 16 pole pairs (UVW)

Applications

  • Rotative absolute encoders

  • Linear absolute scales

  • Singleturn and multiturn encoders

  • Motor feedback encoders

  • BLDC motor commutation

  • Hollow shaft encoder

  • Multi-axis measurement systems



 TW39_factsheet_rev5.pdf

iC-TW39

24 位磁性同轴角度传感器

特点:

  • 基于TMR的绝对角度传感器超过360°

  • 高操作距离和轴向游隙公差

  • 自动信号纠错

  • 转速高达 360,000 rpm

  • FlexCount® ABZ 输出从 1 到 65536 个 AB 周期

  • 可调零位和长度

  • AB 输出频率高达 12.5 MHz

  • 出色的 AB 抖动性能(例如 2500 cpr 时为 ±2 %)

  • 1 至 32 cpr 的 UVW 输出,可调转子角度

  • 双向开源 BiSS 接口,配置文件兼容

  • 高角度分辨率(24 位 ST)

  • 24位转数计数

  • 高精度 (INL 0.2°) 和可重复性 (0.04°)

  • 1.5 μs 的超低输出延迟

  • 报警输出的可配置状态监控

  • 快速 SPI 接口(可选)

  • 内部EEPROM

  • 单 3.3 V 电源,低功耗(典型值 30 mA)

  • 工作温度范围为 –40 至 +125 °C


应用:

  • 高分辨率角度传感

  • 无刷电机换向(2...64 极)

  • 伺服电机控制

  • 增量式或绝对式旋转编码器


 PVS_factsheet_rev1_cn.pdf

iC-PVS

iC-PVS 线性/离轴电池缓冲绝对位置霍尔传感器

特点:

  • 具有用于下游高分辨率 A/D 转换的模拟输出的高性能霍尔传感器

  • 适用于 1.0 mm 至 2.5 mm 磁极宽度的磁尺或 0.3 至 1.5 的轮齿模数

  • 带电池缓冲周期的绝对位置数据计数高达 56 位

  • 每次机械旋转的可调周期计数:1 至 65,536 个磁周期的 FlexCount 逻辑

  • 典型应用中备用电池的电流消耗仅为 2 μA 至 30 μA

  • 内部 6 位闪存插值

  • 每个磁周期最多 64 个增量的增量输出 (ABZ)

  • 串行 I/O 接口(BiSS、SSI、SPI 和 I2C)

  • 跟踪速度高达 75 m/s(1.5 mm 磁极)或 46,000 rpm(32 个磁极对)

  • 对外部杂散磁场具有高抗扰度的差分扫描

  • I2C 主机功能,用于从 EEPROM 进行初始启动

  • 超速、电池、失磁和 RAM (CRC) 监控

  • 3.15 V 至 5.5 V 的主电源电压


应用:

  • 可自由扩展的空心轴绝对式多圈位置传感器

  • 可自由扩展的线性绝对位置传感器

  • 铁质齿轮或磁尺扫描

  • 可配置磁感应头

  • 增量扫描

 MN.pdf

iC-MN

3通道同时采样13位正余弦波插补细分芯片, 游标技术

Features

  • 3 chan. simultaneous sampling 13 bit sine-to-digital conversion

  • Differential and single-ended voltage or current PGA inputs to 200 kHz

  • Adjustable signal conditioning for offset, amplitude and phase

  • Input signal stabilization by LED or MR bridge supply tracking (via controlled 50 mA and 2 x 10 mA highside sources)

  • 2 or 3 track nonius calculation of up to 25 bit singleturn position

  • Data update within 7 μs supported by flash period counting

  • Serial 2-wire interface to multiturn sensors (BiSS, SSI, 2-bit)

  • Fast, serial I/O interface with fail-safe RS422 transceiver (SSI to 4 MHz, BiSS C to 10 MHz)

  • Differential 1 Vpp sin/cos outputs to 100 Ohm, short-circuit-proof

  • Signal and system monitoring with configurable error/warning messaging and diagnosis memory

  • Reverse-polarity-proof and tolerant against faulty output wiring


Applications

  • Multi-channel sine-to-digital converter

  • Optical and magnetic position sensors

  • Singleturn and multiturn absolute encoders

  • Linear scales for absolute position


 MQ_datasheet_F4en.pdf

iC-MQ

可编程9位正余弦波插补细分芯片, 带 RS422 失效保护线驱动器

Features      

  • No-latency sine-to-digital conversion to 400 angle steps

  • 200 kHz input frequency for interpolation factors of x1 to x5 (10 kHz for x100)

  • Flexible I/O pin configuration due to signal path multiplexers

  • PGA inputs for differential and single-ended voltage/current signals

  • Signal conditioning for offset, amplitude and phase

  • Controlled 50 mA current source as LED or MR bridge supply

  • Fault-tolerant RS422 line drivers to 50 mA

  • Quadrature signals with selectable min. phase distance for glitch free counter control

  • Index signal processing with adjustable position and length

  • Supply monitoring with power switch for reverse polarity tolerant systems

  • Excessive temperature protection with sensor calibration

  • Signal and operation monitoring with programmable alarm output, driver shutdown and error memory


Applications

  • Optical and magnetic position sensors

  • Rotary encoders

  • Linear encoders



 MQF.pdf

iC-MQF

可编程12位正余弦波插补细分芯片, 带 RS422 线驱动器

Features      

  • Latency-free sine-to-digital conversion with up to 4000 steps resolution

  • Input frequency 200 kHz (x10)...2 kHz (x1000)

  • Flexible I/O pin configuration due to signal path multiplexers

  • PGA inputs for differential and single-ended voltage/current signals

  • Signal conditioning for offset, amplitude and phase

  • Controlled 50 mA current source as LED or MR bridge supply

  • Fault-tolerant RS422 50 mA sink/source out. up to 5 MHz

  • Spike-proof output due to selectable min. phase distance

  • Index signal processing with adjustable position and length

  • Supply monitoring with power switch for reverse polarity tolerant systems

  • Excessive temperature protection with sensor calibration

  • Signal and operation monitoring with programmable alarm output, driver shutdown and error memory


Applications      

  • Optical and magnetic position sensors

  • Linear scales

  • High-resolution angle sensing


 MR.pdf

iC-MR

13位采样保持正余弦波插补细分器, 带控制器接口

Features      

  • Fast 13-bit sine-to-digital conversion within 2 μs

  • Precision PGA inputs for differential and single-ended voltage/current signals of up to 500 kHz

  • Signal conditioning for offset, amplitude, and phase

  • Input signal stabilization through LED or MR bridge current control of up to 50 mA

  • 8-bit parallel and serial I/O interfaces (BiSS, SSI, and SPI)

  • Absolute data interface (BiSS/SSI) for position preset

  • Up to 50 bit period counting with selectable single-/multiturn splitting

  • 12-bit A/D converter for temperature sensing

  • Special functions for safety applications (signal monitoring, life counter, and extended CRC)

  • Current-limited, diff. 1 Vpp sin/cos outputs to 100 Ω


Applications      

  • Fast position decoding for safety-oriented encoders

  • Motor feedback systems


 Ng.pdf

iC-NG

8位正弦数字转换处理器, 带波形适应

Features      

  • Real-time interpolator with programmable resolution of up to 256 steps/period

  • Calibration features permit adaption of disorted sine/cosine signals

  • Incremental A QUAD B or absolute outputs, output frequency

  • Fast 24-bit multiturn counting on chip

  • Programmable index position

  • 8-bit μP interface


Applications       

  • Absolute and incremental angle interpolation from sine/cosine input signals

  • Interpolating interface for MR sensors and optical analog encoders


 NQC.pdf

iC-NQC

13位信号调节插补细分器, BiSS-C 接口

Features      

  • Resolution of up to 8,192 angle steps per sine period

  • Count-safe vector follower principle, real-time system (conversion time 250 ns) with 70 MHz sampling rate

  • Input frequency of up to 250 kHz

  • Signal conditioning for offset, amplitude and phase

  • A/B quadrature signals of up to 2 MHz with adjustable minimum transition distance

  • Zero signal processing, adjustable in index position and width

  • Absolute angle output via fast serial interface (BiSS, SSI)

  • Period counting with up to 24 bits

  • Error monitoring of frequency, amplitude and configuration


Applications      

  • Interpolator IC for angle resolution from sine/cosine sensor signals

  • Optical encoders

  • MR sensor systems



 NQI.pdf

iC-NQI

13位信号调节插补细分器, 2-wire 接口

Features      

  • Resolution of up to 8,192 angle steps per sine period

  • Count-safe vector follower principle, real-time system (conversion time 250 ns) with 70 MHz sampling rate

  • Input frequency of up to 250 kHz

  • Signal conditioning for offset, amplitude and phase

  • A/B quadrature signals of up to 2 MHz with adjustable minimum transition distance

  • Zero signal processing, adjustable in index position and width

  • Serial output of absolute angle data at clock rates of up to 10 MHz

  • Period counting with up to 24 bits

  • Error monitoring of frequency, amplitude and configuration


Applications

  • Interpolator IC for angle resolution from sine/cosine sensor signals

  • Optical encoders

  • MR sensor systems


 Nv.pdf

iC-NV

6位正余弦Flash转换器, 引脚选择性配置插值至16倍

Features

  • Fast flash converter

  • Selectable resolution of up to 64 steps per cycle and up to 16-fold interpolation

  • Integrated instrumentation amplifiers with adjustable gain

  • 200kHz input frequency with the highest resolution

  • Incremental A QUAD B output of up to 3.2 MHz

  • Integrated glitch filter

  • Reversed A/B phase selectable

  • Index signal processing with half cycle index output

  • Pin-configurable


Applications

  • Angle interpolation from sine/cosine input signals

  • Linear and rotary encoders

  • MR sensor systems


 Nvh.pdf

iC-NVH

6位正余弦Flash转换器, 引脚选择性配置插值至16倍 (半周期指数)

Features

  • Fast flash converter

  • Selectable resolution of up to 64 steps per cycle and up to 16-fold interpolation

  • Integrated instrumentation amplifiers with adjustable gain

  • 200kHz input frequency with the highest resolution

  • Incremental A QUAD B output of up to 3.2 MHz

  • Integrated glitch filter

  • Reversed A/B phase selectable

  • Index signal processing

  • Pin-configurable


Applications

  • Angle interpolation from sine/cosine input signals

  • Linear and rotary encoders

  • MR sensor systems


 TW2.pdf

iC-TW2

可编程8位正余弦插补细分器, 带 EEPROM

Features      

  • Interpolation rate fully programmable from 1 to 256 steps per cycle

  • Latency less than 500 ns

  • Direct sensor connection, selectable input gain, input signal 10 mV to 1.5 V peak-peak differential

  • Max input frequency 460 kHz at interpolation rate <= 64, 230 kHz <= 115="" khz=""> 128

  • Differential index gating input with fine adjustable offset (single ended by connection to VC)

  • Output modes quadrature ABZ, up/down, increment/direction or 3 phase commutation

  • Programmable filter and hysteresis

  • Fully re-programmable with access to internal E2PROM to store setup and customer data


Applications

  • Interpolator iC for position data acquisition from analog sin/cosine sensors

  • Optical linear/rotary encoders

  • Magneto resistive (MR) sensors/encoders


 TW28.pdf

iC-TW28

10位正余弦插补细分器, 带自动校准 - (新)

Features      

  • Differential PGA inputs for sine, cosine, and index

  • 700 kHz input frequency at full resolution

  • Automatic compensation of amplitude, offset, and phase errors

  • Low latency (typ. 1.5 μs)

  • Differential RS422 line driver outputs for ABZ or UVW

  • Simultaneous single-ended outputs for ABZ and UVW

  • Digital filtering for ultra-low output jitter

  • Configured by pins or SPI

  • In-field re-configuration via Encoder Link interface

  • Easy to use with built-in line driver, EEPROM, and oscillator

  • Push-button automatic calibration for fast commissioning

  • LED intensity control by PWM output

  • 10-bit angle data and 14-bit multi-cycle counter available to SPI

  • Single 3.3 V supply


Applications      

  • Rotary and linear encoders

  • Magnetic or optical sin/cos sensor interface

  • Brushless motor commutation (2...64 poles)

  • Embedded motion control


 TW8.pdf

iC-TW8

16位正余弦插补细分器, 带自动校准

Features      

  • Input frequency of up to 125 kHz

  • Differential sine/cosine input signal range of 20 mV to 1.4 V peak-peak

  • Binary/decimal interpolation factors from x0.25 to x16384

  • Post-AB divider [1/1 to 1/32] allows fractional resolution

  • Simple automatic one-pin calibration

  • Easy configuration: by static pins (for generic ABZ output)

  • Advanced configuration: 1-wire interface, 3 and 4-wire SPI (32 MHz), serial I2C EEPROM

  • PWM or ABZ quadrature encoder output signals

  • Incremental ABZ output to 8 MHz (32 MHz edge separation)

  • Position and velocity read-out (32 bit SPI)

  • Sophisticated error handling and signal monitoring

  • Static 64 position LUT to compensate for arbitrary sensor distortions

  • Supply voltage range of 3.1 V to 5.5 V


Applications

  • Sine/cosine interpolation

  • Signal conditioning with auto calibration

  • Linear and rotary encoders

  • Flexible incremental encoder systems


IC-MG

8位正余弦波插补细分芯片, 带 RS422 线驱动器

Features

  • Real-time tracking, no-missing-code interpolation

  • Selectable interpolation factors: x1, x2, x5, x10, x20, x25, x50

  • 100 kHz input frequency at highest resolution

  • Differential and single-ended PGA inputs for voltage or current signals

  • Signal conditioning for offset, amplitude and phase

  • Controlled 50 mA current source as LED or MR bridge supply

  • Encoder quadrature output via short-circuit-proof 20 mA push-pull line drivers (RS422)

  • Fail-safe counting assured by a guaranteed minimum phase distance

  • Index signal generation at selectable positions with adjustable length

  • Sub-system power switch offers reverse polarity protection for the overall system

  • Loss-of-signal indicator


Applications

  • Optical and magnetic position sensors

  • Rotary encoders

  • Linear encoders



 MNF_factsheet_rev1.pdf

iC-MNF

iC-MNF 

26位游标编码器带3通道采样14位正弦到数字细分器

 

描述

iC-MNF是一個三通道編碼器器件,同步採樣正弦到數位轉換器,其內插的正弦/余弦感測器利用高精度SAR轉換器具有一個可選擇的高達14比特分辯率。每個輸入都有一個單獨的採樣和保持階段,凍結跟踪訊號用於後續連續的數位化。可配置不同的2軌道和3軌道遊標量測計算和多圈齒輪箱同步管道,實現高解析度角度位置計算;這些計算允許最多26比特的角度分辯率。

 

應用

光學和磁性位置感測器

多通道正弦到數位轉換器

單圈和多圈絕對值編碼器

絕對位置線性尺規

 

特點

快速14比特正弦到余弦轉換在3μs以內

3通道同步採樣

2軌道或3軌道遊標計算高達26比特單圈位置

SPI介面和失效-安全的RS422收發器用於BiSS C,SSI

差分1 Vpp正弦/余弦輸出100Ω,防短路保護功能

差分和單端PGA輸入頻率高達200kHz

輸入適應電流或電壓訊號

可調節訊號偏移,幅度和相位

輸入信號穩定由LED或MR橋電流控制

串列2線介面到多圈感測器(BiSS,SSI,2比特)

位置預設功能,可選擇向上/向下程式碼方向

外部轉換控制復位輸入

器件設定通過I/O介面(BiSS或SPI)

CRC保護配寘,OEM和用戶數據從外部EEPROM

反極性保護和容錯輸出

單5 V供電,操作從- 40℃到+125℃


 TW29_datasheet_D2en_ShortForm.pdf

iC-TW29

特点:

  • 具有任何输入分辨率的任何输出分辨率

  • 独立编程的 ABZ、UVW 和 BiSS 分辨率

  • 用于外部转数计数器的绝对数据接口

  • BiSS C 模式接口(编码器配置文件 3、3S 和 4)

  • 通过 SPI 的 26 位单圈位置和 32 位转数

  • 用于编码参考标记和接触式探针应用的四个捕获寄存器

  • 偏心补偿

  • 输入频率高达 700 kHz

  • AB 输出频率高达 12.5 MHz

  • 用于 ABZ 或 UVW 的差分 RS422 线路驱动器输出

  • ABZ、UVW、BiSS 同步单端输出

  • 幅度、偏移和相位误差的自动补偿

  • 用于超低输出抖动的数字滤波

  • 用于现场重新配置的编码器链接接口

  • 内部 EEPROM 和振荡器

  • 通过 PWM 输出控制 LED 强度

  • 低延迟(2.4 μs 或 5.0 μs)

  • 与 iC-TW28 引脚兼容


 MSA.pdf

iC-MSA

正余弦波信号调节器, 带AGC(自动放大控制)和 1 Vpp 线驱动器

Features

  • Differential or single-ended inputs (voltage or current) for up to 20 kHz

  • Input multiplexers for flexible signal-to-channel assignment

  • Programmable instrumentation amplifiers

  • Signal conditioning for offset, amplitude and phase

  • Automatic gain control with monitoring

  • Short-circuit-proof analog output drivers (1 Vpp to 100 Ω)

  • Immune against faulty output or supply connections

  • Reverse polarity protection of the sub-system by power switch

  • Adjustable thermal overload protection

  • Alarm indication output


Applications

  • Programmable sensor interface for optical and magnetic position sensors

  • Linear gauges and incremental encoders

  • Linear scales


 MSB.pdf

iC-MSB

正余弦波信号调节器, 带失效保护 1 Vpp 线驱动器 (安全应用)

Features

  • PGA inputs to 500 kHz for differential and single-ended sensor signals (voltage or current)

  • Input multiplexers for flexible signal-to-channel assignment

  • Programmable instrumentation amplifiers

  • Signal conditioning for offset, amplitude and phase

  • Separate index signal conditioning

  • Short-circuit-proof and reverse polarity tolerant output drivers (1 Vpp to 100 Ohm)

  • Stabilized output signal levels due to sensor control

  • Signal and system monitoring with configurable alarm output

  • Excessive temperature protection with sensor calibration

  • Supply voltage monitoring with integrated switches for reversed-polarity-safe systems

  • Suitable for SAFETY applications


Applications

  • Programmable sensor interface for optical and magnetic position sensors

  • Linear gauges and incremental encoders

  • Linear scales



 RC1000_factsheet_rev2.pdf

 RC1000_datasheet_C3en.pdf

iC-RC1000

正余弦波信号安全监控芯片

Features

  • Sine/cosine encoder signal monitoring for SIL applications

  • Suitable for differential encoder signals of 1 Vpp (250 mV amplitude per line)

  • Suitable for single-ended signals (500 mV amplitude per line)

  • Monitor for input frequencies from 0 to 500 kHz

  • Verification of DC common mode range per signal line

  • Monitoring of Lissajous curve with min/max limits

  • Cable fracture detection

  • Source decoupling and overvoltage clamping per pin by external resistors

  • Single-failure-proof dual channel concept

  • Independent diagnostic outputs: signal OK message and signal error message


Applications

  • Motion control

  • Sensor monitoring

  • Functional safety


 TW3_flyer.pdf

iC-TW3

自动信号调节器, 带按表温度补偿和 1 Vpp (100 Ω)/2 Vpp 输出

Features

  • Fully differential 3-channel signal conditioning

  • Differential/single-ended PGA inputs

  • Overall gain of -3 to 57 dB, adjustable in steps of 0.08 dB

  • Automatic amplitude control for optimum operating point

  • Output referred offset range of ±1.2 V, adjustable in steps of 2 mV

  • Signal bandwidth to 1 MHz and in/out latency below 1 μs

  • Selectable automatic gain and offset control for encoder applications

  • On-chip or off-chip temperature sensing

  • Temperature drift compensation for gain and offset via programmable look-up-tables

  • Short-circuit-proof 1 Vpp / 2 Vpp output drivers to 100 Ohm


Applications

  • Programmable general purpose sensor interface

  • Optical and magnetic position sensors

  • Linear scales


 wt.pdf

iC-WT

3通道光电二极管放大器-比较器, 带 LED 控制

Features

  • Differential scanning for track A and B

  • Adjustable threshold for index track Z

  • Gated index Z with switch-off capability

  • Short-circuit-proof, TTL-compatible outputs

  • 50mA LED current driver integrated

  • Adjustable LED current control for constant illumination intensity on the attached photodiode array

  • LED current monitoring with error detection


Applications

  • Incremental encoders




驱动器iCs

IL34063

 DN.jpg

iC-DN

200mA 低端开关用于4V 到 36V 输入/输出去耦合

Features

  • 36 V lowside switch/level shifter

  • Decoupling of input and output voltages (SOT23-6L) permits control by 5 V logic

  • 200 mA of output current

  • Short-circuit protected

  • Output with an active freewheeling circuit

  • On-chip over-temperature protection

  • 4 to 36 V input voltage range

  • Input with hysteresis

  • Wide temperature range of -40 to 120 °C


Applications

  • Lowside switch for industrial applications, such as relays, inductive proximity sensors and light barriers



 DP.pdf

iC-DP

200 mA 高端开关和电平转换用于4V到36V 输入/输出去耦合

Features

  • 36 V highside switch/level shifter

  • P-channel output driver without charge pump for short activation time

  • Decoupling of input and output voltages (SOT23-6L) permits control by 5 V logic

  • 200 mA of output current

  • Short-circuit protected

  • Output with an active freewheeling circuit

  • On-chip over-temperature protection

  • 4 to 36 V input voltage range

  • Input with hysteresis

  • Wide temperature range of -40 to 120 °C


Applications

  • Highside switch for industrial applications, such as relays, inductive proximity sensors and light barriers


 DX.pdf

iC-DX

数字传感器输出驱动器

Features

  • Configurable high-side, low-side and push-pull operation

  • Current limited output (< 450 mA)

  • Reverse polarity protection

  • 150 mA output current

  • Wide supply voltage range from 8 to 30 V

  • Shutdown with overtemperature

  • Integrated free-wheeling diode for inductive loads

  • Sensor supply voltage output of 5 V, 10 mA


Applications

  • Digital sensors

  • Light barriers

  • Proximity switches


 DX3.pdf

iC-DX3

数字传感器输出驱动器

Features

  • Configurable high-side, low-side and push-pull operation

  • Current limited output (< 450 mA)

  • Reverse polarity protection

  • 150 mA output current

  • Wide supply voltage range from 8 to 30 V

  • 5 μs input filter for spike suppression

  • Shutdown with overtemperature

  • Integrated free-wheeling diode for inductive loads

  • Sensor supply voltage output of 3.3 V, 10 mA


Applications

  • Digital sensors

  • Light barriers

  • Proximity switches


 DXC.pdf

iC-DXC

数字传感器输出驱动器, 带反馈通道

Features      

  • Configurable high-side, low-side and push-pull operation

  • Current limited output (< 450 mA)

  • Reverse polarity protection

  • 200 mA output current

  • 5 μs input filter for spike suppression

  • I/O-Link compliant

  • Wide supply voltage range from 8 to 30 V

  • Shutdown with overtemperature

  • Integrated free-wheeling diode for inductive loads

  • Sensor supply voltage output of 5 V, 10 mA


Applications

  • Digital sensors

  • Light barriers

  • Proximity switches


 Mfl.pdf

iC-MFL, iC-MFLT

8通道/12通道失效保护逻辑 N-FET 驱动器

Features

  • 8-/12-fold level shift to 5 V output voltage

  • Secure low-state of the output with single faults

  • Schmitt Trigger inputs with two-stage pull-down current for enhanced noise immunity with limited power dissipation

  • Inputs TTL and CMOS compatible (1.8 to 3.3 to 5 V)

  • Current limited and short-circuit proof push-pull outputs

  • Push-pull current source to drive FET transistors

  • Voltage-proof outputs up to 18 V (pulsed)

  • Ground and supply voltage monitor

  • iC-MFL QFN24 is qualified for typical SIL/ASIL applications according to AEC Q100


Applications      

  • Operation of 5 V Logic Level N-FETs out of 3.3 V systems


 Mfn.pdf

iC-MFN

8通道失效保护 N-FET 驱动器, 电平转换高达40V

Features

  • 8-fold level shift up to 40 V output voltage

  • Safe low output state with single errors

  • Schmitt Trigger inputs with two-stage pull-down current for enhanced noise immunity with limited power dissipation

  • Inputs TTL and CMOS compatible (1.8 to 3.3 to 5 V)

  • Input Voltage up to 40 V

  • Current limited and short-circuit proof push-pull outputs

  • Level shift configurable to 5 V, 10 V or supply voltage

  • Push-pull current source to drive FET transistors

  • Ground and supply voltage monitor


Applications      

  • Operation of N-FETs from 1.8 V, 3.3 V or 5 V systems


 Mfp.pdf

iC-MFP

8通道失效保护 P-FET 驱动器, 电平转换高达40V

Features

  • 8-fold level shift up to 40 V output voltage

  • Safe high output state with single errors

  • Schmitt Trigger inputs with two-stage pull-down current for enhanced noise immunity with limited power dissipation

  • Inputs TTL and CMOS compatible

  • Input Voltage up to 40 V

  • Current limited and short-circuit proof push-pull outputs

  • Level shift configurable to 5 V, 10 V or supply voltage

  • Push-pull current source to drive FET transistors

  • Ground and supply voltage monitor


Applications

  • Operation of P-FETs from 1.8 V, 3.3 V or 5 V systems


 DL 规格书.pdf

iC-DL

3通道综合阻抗适应差分线驱动器

Features      

  • 6 current-limited and short-circuit-proof push-pull drivers

  • Differential 3-channel operation

  • Power supply range from 4 to 40 V

  • Integrated 30 to 140 Ohm line adaptation

  • Low output saturation voltage

  • Compatible with TIA/EIA standard RS-422

  • Tristate switching enables use in buses

  • Short switching times and high slew rates

  • Schmitt trigger inputs compatible with TTL and CMOS levels, voltage-proof up to 40 V

  • Thermal shutdown


Applications      

  • 24 V control engineering

  • Line driver in a PLC environment

  • Linear and rotary encoders

  • MR sensor systems


 HD2.pdf

iC-HD2

4通道差分线驱动器, 引脚兼容xx2068

Features      

  • Complementary short-circuit-proof push-pull driver stages for RS422 and 24 V applications up to 2MHz

  • Pin-compatible with xx2068

  • Integrated line adaptation for high signal quality at 24V

  • Moderate slew rate reduces EMI

  • High driving capability of typically 200mA at 24V

  • Output saturation of just 0.3 V at 40 mAdc

  • Tristate function with excessive temperature

  • Error messaging with excessive temperature and undervoltage

  • TTL-/CMOS-compatible Schmitt trigger inputs, voltage-proof to 40 V

  • Tristate function for bus applications

  • Integrated 5 V voltage regulator for 5mA

  • 4.5 to 35 V single supply operation with low static power dissipation


Applications      

  • Line drivers for 24 V control engineering

  • Linear scales and encoders

  • Sensor systems



 HD7.pdf

iC-HD7

4通道差分线驱动器, 引脚兼容xx7272和26LS31

Features      

  • Complementary short-circuit-proof push-pull driver stages for RS422 and 24 V applications up to 2MHz

  • Pin-compatibel with 26LS31, xx7272

  • Integrated line adaptation for high signal quality at 24V

  • Moderate slew rate reduces EMI

  • High driving capability of typically 200mA at 24V

  • Output saturation of just 0.3 V at 40 mAdc

  • Excessive temperature shutdown

  • TTL-/CMOS-compatible Schmitt trigger inputs, voltage-proof to 40 V

  • Tristate function for bus applications

  • 4.5 to 35 V single supply operation with low static power dissipation


Applications

  • Line drivers for 24 V control engineering

  • Linear scales and encoders

  • Sensor systems


 iC-HE_Data sheet.pdf

iC-HE

3通道差分线驱动器

Features

  • Complementary short-circuit-proof push-pull driver stages for RS422 and 24 V applications up to 2MHz

  • SO14N package pin-compatible to ET9600

  • Integrated line adaptation for high signal quality at 24V

  • Moderate slew rate reduces EMI

  • High driving capability of typically 200mA at 24V

  • Output saturation of just 0.3 V at 40 mAdc

  • Tristate function with excessive temperature

  • TTL-/CMOS-compatible Schmitt trigger inputs, voltage-proof to 40 V

  • Tristate function for bus applications

  • 50 mA LED driver with ISET input for current control

  • 4.5 to 35 V single supply operation with low static power dissipation


Applications

  • Line drivers for 24 V control engineering

  • Linear scales and encoders

  • Sensor systems



 iC-HF Data sheet.pdf

iC-HF

6通道 RS-422 Encoder Link (编码器连接) 线驱动器/接收器

Features

  • Versatile 3+3 channel RS-422 line driver/receiver

  • Pin-configured as driver (6x) or driver/receiver (3x/3x or 4x/2x)

  • Supports BiSS bus structure and BiSS bus loopback

  • Unique Encoder Link mode: analog switches to bridge 9 lines

  • Differential short-circuit-proof push-pull outputs

  • Driving capability of 30 mA typ. at 3 V

  • Reduced EMI due to output current limitation

  • Output shutdown with undervoltage and overtemperature

  • Suits various line impedances, allows 100 Ohm termination

  • Up to 10 MHz input/output frequency

  • Reverse-polarity-proof operation from 3.0 V to 5.5 V


Applications

  • Differential cable driver

  • Motion control encoders

  • Control engineering

  • Sensor bus structures with BiSS



 iC-HX Data sheet.pdf

iC-HX

3通道差分线驱动器, 低耗功能

Features      

  • 6 current-limited and short-circuit-proof push-pull drivers

  • Differential 3-channel operation

  • Power supply range from 4 to 40 V

  • Integrated 30 to 140 Ohm line adaptation

  • 200 mA output current (at VB = 24 V)

  • Low output saturation voltage (< 0.4 V at 30 mA)

  • Compatible with TIA/EIA standard RS-422

  • Tristate switching enables use in buses

  • Short switching times and high slew rates

  • Schmitt trigger inputs compatible with TTL and CMOS levels, voltage-proof up to 40 V

  • Thermal shutdown

  • Low static power dissipation, Dynamic power dissipation reduced with iC-xSwitch


Applications

  • Line driver for 24 V control engineering

  • Linear scales and rotary encoders

  • MR sensor systems


 iC-VX Data sheet.pdf

iC-VX

3通道差分线驱动器, 24V互补输出

Features      

  • Driver supply voltage of 4.5 to 30 V

  • Push-pull driver current-limited and short-circuit-proof

  • Programmable driving capability of 30 mA or 100 mA

  • Integrated freewheeling diodes

  • TTL-/CMOS-compatible hysteresis inputs with pull-up current sources

  • Selectable input reference level

  • Thermal shutdown


Applications      

  • Line driver for 24 V control engineering


 iC-WE Data sheet.pdf

iC-WE

3通道75Ω线驱动器用于RS422和24V应用

Features

  • Driver supply voltage of 4.5 to 30 V

  • Push-pull driver current-limited and short-circuit-proof

  • Guaranteed driving capability of 30 mA

  • Integrated cable adaptation with thermal protection

  • Tri-state and invert mode

  • TTL-/CMOS-compatible hysteresis inputs with pull-up sources

  • Meets EIA standard RS422 (with two iCs used)

  • Error output with thermal shutdown and low voltage


Applications      

  • 24 V signal transfer

  • Line driver in a PLC environment


 iC-DY6818 Data sheet.pdf

iC-DY6818

32位串行输入锁存推挽驱动器

Features      

  • Pin compatible with Allegro A6818

  • 32 bit shift register

  • Shift register with data latches and control circuitry

  • 36V output drivers with ±25 mA output current

  • Drivers shut down with over temperature

  • Error (NERR) signal with Tristate Output

  • Direct interfacing with microprocessor based systems

  • Integrated free-wheeling diode for inductive loads

  • Typical serial data input rates up to 33 MHz


Applications

  • Driving bi-stable relays

  • Peripheral power driver applications


 iC-GE Data sheet.pdf

iC-GE

PWM 继电器/螺线管驱动器, 宽操作电压范围 (1 A)

PWM Relay/Solenoid Driver for a Wide Operating Voltage Range (1 A)

Features      

  • Current control for inductive actuators at 24 V (10 to 36 V)

  • High efficient current control up to 1 A

  • Switching with power saving and reduced power dissipation

  • Individual setting of energising and hold current

  • Contact conserving switching of relays synchronous to the mains

  • Monitoring of coil current, supply voltage and temperature

  • Shutdown with overtemperature and undervoltage

  • Status indication via LED or logic output

  • Fast demagnetising due to 15 V countervoltage

  • High PWM frequency with frequency spreading for low EMI

  • Energising time of 50 ms prolongable with external capacitor


Applications

  • PWM driver for inductive loads (e.g. relays, electrovalves)

  • Relay low-/high-side switch



 iC-GE100 Data sheet.pdf

iC-GE100

PWM 继电器/螺线管驱动器 (100 mA)

Features

  • Current control for inductive actuators at 24 V (10 to 36 V)

  • High efficient current control up to 100 mA

  • Switching with power saving and reduced power dissipation

  • Individual setting of energising and hold current

  • Contact conserving switching of relays synchronous to the mains

  • Monitoring of coil current, supply voltage and temperature

  • Shutdown with overtemperature and undervoltage

  • Status indication via LED or logic output

  • Fast demagnetising due to 15 V countervoltage


Applications

  • PWM driver for inductive loads (e.g. relays, electrovalves)

  • Relay low-/high-side switch


 iC-JE Data sheet.pdf

iC-JE

节能 PWM 继电器/螺线管驱动器

Features      

  • Reduces the power consumption of valves and relays by 50%

  • Adjustable PWM current regulation at 10 to 45 V

  • Up to 300 mA startup current, automatically reduced in hold mode

  • Coil current monitored during startup mode, detection of load breakage and voltage errors

  • LED output for status and error message

  • Active, fast coil demagnetizing

  • Shutdown with excessive temperature and low voltage


Applications

  • PWM driver for inductive loads (e.g. relays, electrovalves)

  • Relay low-/high-side switch




激光二极管和LED驱动器

 iC-HB Data sheet.pdf

iC-HB

3通道 155 MHz 激光开关, 带LVDS输入

Features      

  • Laser switch for frequencies from CW up to 155 MHz

  • Spike-free switching of the laser currents

  • Three channels with independent current control at pins CIx

  • Operates as a voltage-controlled current sink

  • Pulsed operation with up to 300 mA per channel

  • CW operation with up to 65 mA per channel

  • Laser current monitor output

  • Thermal shutdown with error output


Applications

  • Laser printers

  • Data transmission

  • Laser scanning devices


 HG_datasheet_C1en.pdf

iC-HG

200MHz激光开关, 最高达3A电流(9A 脉冲)

Features

  • Six channel laser switch from CW up to 200 MHz

  • CW operation with up to 500 mA per channel (1.5 A pulsed)

  • Spike-free switching of the laser current

  • TTL inputs (6 x 1 channel) or LVDS inputs (3 x 2 channels)

  • Operates as six independent voltage-controlled current sinks

  • Switching outputs (LDKx) are 12 V capable for blue laser diodes

  • Fast and slow switching mode

  • Simple current control at pins CIx

  • Wide supply voltage range from 3 to 5.5 V

  • Parallel connected channels for up to 3 A operation (9 A pulsed) from a single IC

  • Multiple iC-HG in parallel for even higher currents

  • Open drain error output, thermal shutdown


Applications

  • Pump lasers

  • Laser projection

  • Laser TV

  • Camera lighting

  • TOF (Time-Of-Flight) lighting

  • LIDAR lighting


 iC-HK Data sheet.pdf

iC-HK, iC-HKB

155MHz双通道无尖峰激光开关

Features

  • Laser switch for frequencies from CW up to 155 MHz

  • Spike-free switching of the laser current

  • Dual switching inputs with independent current control

  • Operates as a voltage-controlled current source

  • Pulsed operation with up to 700 mA per channel

  • CW operation with up to 150 mA per channel

  • Simple power control at pin CI

  • Thermal shutdown

  • Supplement to iC-WK/L for pulsed operation

  • iC-HKB for driving blue laser diodes


Applications      

  • Data transmission

  • Laser scanning devices

  • Optical storage devices



iC-HL

非挥发性激光偏压电位器用于APC(自动控制功率)激光

Features

  • High-precision 1024-step programmable logarithmic potentiometer

  • Wide resistance range from 300 Ohm to 80 kOhm

  • Calibration accuracy with resistance steps better 2% (typ. 1%)

  • Wireless optical laser power adjustment capability

  • Dual-mode programming by optical/electrical coupling

  • Simple up/down clock interface to step the resistance

  • Internal E2PROM

  • Programmable device ID allows for parallel connection of up to 16 devices


Applications      

  • Laser diode power adjustment

  • Remote power adjustment of laser modules

  • Adjustment of encapsulated devices

  • Ideal for use with iC-Haus' laser diode driver family





 iC-HT Data sheet.pdf

iC-HT

双通道CW激光管驱动器, 带SPI/I2C控制器接口

Features

  • Dual CW with up to 750 mA per channel, parallel up to 1.5 A

  • 2.8 V to 11 V power supply

  • Operation with or without microcontroller

  • Individual enable input per channel

  • Control loop accuracy better than 1 %

  • Internal programmable logarithmic monitor resistor

  • Operating point setup with 10 bit logarithmic resolution

  • Current or light-power control (ACC or APC) selectable per channel

  • Dual A/D converter for analog levels monitoring

  • Serial programming interface (SPI or I2C compliant)

  • Laser channel disable with programmable overcurrent threshold

  • Low drop linear regulator for 3.3 V

  • Optimized for N-type laser diodes


Applications

  • Laser diode modules

  • CW laser diode driver

  • Embedded laser diode controller

  • Safety oriented laser controller


 iC-HTP Data sheet.pdf

iC-HTP

双通道P-型激光管CW驱动器, 最高达 1.5A 电流 - (新)

Features

  • Dual CW with up to 750 mA per channel, parallel up to 1.5 A

  • 2.8 V to 11 V power supply

  • Operation with or without microcontroller

  • Individual enable input per channel

  • Control loop accuracy better than 1 %

  • Internal programmable logarithmic monitor resistor

  • Operating point setup with 10 bit logarithmic resolution

  • Current or light-power control (ACC or APC) selectable per channel

  • Dual A/D converter for analog levels monitoring

  • Serial programming interface (SPI or I2C compliant)

  • Laser channel disable with programmable overcurrent threshold

  • Low drop linear regulator for 3.3 V

  • Optimized for P-type laser diodes or dual common cathode

  • Low-power standby mode

  • On-chip temperature sensing


Applications

  • Laser diode modules

  • CW laser diode driver

  • Embedded laser diode controller

  • Safety oriented laser controller

  • Structed-light 3D illuminations

  • Multiple laser diode control


 iC-NZ Data sheet.pdf

iC-NZ

失效保护激光管驱动器用于CW和脉冲操作至 155 MHz

Features

  • Peak value controlled triple laser switch

  • Operation from CW up to 155 MHz

  • Spike-free switching

  • Laser current of 100 mA per channel from 3.5 to 5 V supply voltage

  • Single-failure proof with second monitor diode

  • System-enable with self test

  • Seperate setting of laser power via external resistors

  • Strong suppression of transients with very small external capacitors

  • Adjustable laser current limitation

  • All current LD types can be used (M/P/N configurations)

  • Error signal output at shutdown and current limitation


Applications

  • Laser light barriers

  • Distance measurement

  • Bar-code readers

  • Laser projection


 iC-NZN data sheet.pdf

iC-NZN

N-型激光管驱动器, APC(自动控制功率) 和 ACC(自动控制电流) 模式

Features

  • Peak value controlled laser diode driver for operation from CW up to 155 MHz

  • Spike-free switching of laser currents of up to 300 mA

  • Setting of laser power (APC) via external resistor

  • Optional current control (ACC)

  • Laser current limitation

  • Safety shutdown with overtemperature

  • Error signal output with overtemperature, undervoltage and overcurrent

  • All current LD types can be used (N/P/M configurations)

  • Blue laser diodes supported


Applications

  • Pulsed and CW LD modules

  • Laser pointers

  • Laser levels

  • Bar-code readers

  • Distance measurement

  • Blue laser diodes


 iC-NZP Data sheet.pdf

iC-NZP

P-型激光管驱动器, APC(自动控制功率) 和 ACC(自动控制电流) 模式

Features

  • Peak value controlled laser diode driver for operation from CW up to 155 MHz

  • Spike-free switching of laser currents of up to 300 mA

  • Setting of laser power (APC) via external resistor

  • Optional current control (ACC)

  • Laser current limitation

  • Safety shutdown with overtemperature

  • Error signal output with overtemperature, undervoltage and overcurrent

  • All current LD types can be used (N/P/M configurations)


Applications

  • Pulsed and CW LD modules

  • Laser pointers

  • Laser levels

  • Bar-code readers

  • Distance measurement


 iC-Wj Data sheet.pdf

iC-WJ, iC-WJZ

CW和脉冲操作至 300 kHz 激光管驱动器

Features

  • Simple APC adjustment via an external resistor

  • Continuous (CW) or pulsed operation of up to 300 kHz

  • Laser diode current of up to 250 mA

  • Adjustable watchdog for input signals

  • Soft power-on, thermal shutdown and low voltage protection

  • Two monitor current ranges available: iC-WJ with 50 to 500 μA and iC-WJZ with 0.15 to 1.5 mA

  • 5 V single supply operation


Applications

  • General purpose LD driver


 iC-WK Data sheet.pdf

iC-WK, iC-WKL

Universal Laser Saver® 激光管驱动器, CW操作2.4V起

Features

  • CW operation up to 90 mA from 2.4 to 6 V supply voltage

  • Fits all types of laser diode pin configurations with monitor currents from 10 μA to 2.5 mA

  • Simple power adjustment via the external resistor

  • Quick soft start typically within 70 μs

  • APC accuracy better than 1%

  • Fail-safe operation guaranteed by integrated protection against reverse polarity, transients, ESD, excessive temperature and overcurrent


Applications      

  • Battery-powered LD modules

  • Laser Pointers

  • Levelling lasers

  • Bar-code readers


 iC-WKM Data sheet.pdf

iC-WKM

M-型CW激光管驱动器,优化(蓝色)M-型激光管

Features      

  • Optimised for M-type laser diodes (single supply, case grounded)

  • CW operation up to 350 mA from a single supply of up to 15 V

  • Rapid soft start after power-on

  • Simple power adjustment via an external resistor

  • Control loop accuracy better than 3% with changes in temperature, supply voltage and load current

  • Integrated reverse polarity protection for the iC and laser diode

  • Strong suppression of transients with very small external capacitors; integrated flyback path

  • Two feedback inputs permit all current LD types to be used (M/P/N configurations)

  • Modulation via the feedback inputs is possible

  • Wide monitor current range from 2.5 μA to 6.25 mA


Applications      

  • Blue laser diodes

  • LD modules


 iC-WKP Data sheet.pdf

iC-WKP

P-型CW激光管驱动器, 优化P-型激光管

Features

  • Optimised for P-type laser diodes (case grounded)

  • CW operation up to 350 mA from 3 to 15 V supply voltageRapid soft start after power-on

  • Simple power adjustment via an external resistor

  • Control loop accuracy better than 2% with changes in temperature, supply voltage and load current

  • Integrated reverse polarity protection for the iC and laser diode

  • Strong suppression of transients with very small external capacitors; integrated flyback path

  • Second feedback input MDA also permits the operation of N-type laser diodes

  • Modulation via the feedback inputs is possible

  • Wide monitor current range from 2.5 μA to 6.25 mA


Applications

  • Laser pointers

  • LD modules

  • Laser levels

  • Barcode readers

  • Distance measuring sensors


 iC-WKN Data sheet.pdf

iC-WKN

N-型CW激光管驱动器, 优化N-型激光管

Features      

  • CW operation up to 300 mA from 2.4 to 15 V supply voltage

  • Rapid soft start after power-on

  • Simple power adjustment via an external resistor

  • Control loop accuracy better than 1.5% with changes in temperature, supply voltage and load current

  • Integrated reverse polarity protection for the iC and laser diode

  • Strong suppression of transients with very small external capacitors; integrated flyback path

  • Two feedback inputs permit all current LD types to be used (M/P/N configurations)

  • Modulation via the feedback inputs is possible

  • Wide monitor current range from 2.5 μA to 6.25 mA


Applications         

  • Laser pointers

  • LD modules

  • Laser levels

  • Barcode readers

  • Distance measuring sensors


 HN3_datasheet_A1en.pdf

iC-HN3

Pulsed operation with up to 2.8A

Spike-free switching of the laser current

Operates as switched, voltage-controlled current sink

Up to 30 V laser supply voltage

LVDS switching input 


 HN_datasheet_B1en.pdf

iC-HN

Pulsed operation with up to 1.4A

Spike-free switching of the laser current

Operates as switched, voltage-controlled current sink

Up to 30 V laser supply voltage

LVDS switching input 


 HGP_datasheet_B1en.pdf

iC-HGP

特点:

  • 从 CW 到 200 MHz 的六通道激光开关

  • CW 操作,每通道高达 500mA

  • 脉冲操作,每通道高达 1.5 A

  • 激光电流的无尖峰切换

  • 6 x 1 通道,带 TTL 输入

  • 3 x 2 通道,带 LVDS 输入

  • 作为六个独立的压控电流源运行

  • 激光电源为 12 V 蓝/绿激光二极管

  • 快慢切换模式

  • CIx 引脚的简单电流控制

  • 对于全 CW 电流,CIx 电压 < 3 V

  • 3 至 5.5 V 的宽电源电压范围

  • 所有通道都可以并联以实现高达 3 A CW 和 9 A 脉冲操作

  • 多个 iC-HGP 可以并联连接以获得更高的电流

  • 开漏错误输出

  • 热关断


应用:

  • 泵浦激光器

  • 激光投影

  • 激光电视

  • 数据传输

  • TOF相机照明

  • 激光雷达照明

 HS_factsheet_rev1_web.pdf

iC-HS

特点:

  • 脉冲宽度从 100 ps 到 5 ns,分辨率为 1 ps

  • 温度稳定的片上脉冲生成

  • 峰值激光电流高达 200 mA (iC-HS02) 或 500 mA (iC-HS05)

  • 具有可编程延迟的 LVDS 或 TTL 同步输出

  • LVDS 或 TTL 触发输入

  • LVDS 模式下高达 200 MHz 的重复频率


应用:

  • TOF 测距仪

  • 短程激光雷达

  • 荧光光谱

  • 3D扫描


 HG2D_evalmanual_A9en.pdf

iC-HG EVAL HG2D(-HSK)

Evaluation Board

 HN1M_evalmanual_A3en.pdf

iC-HN iCSY HN1M

HIGH-SPEED MODULE

 HN1M_evalmanual_A3en.pdf

iC-HN3 iCSY HN1M

HIGH-SPEED MODULE

输入/输出集成电路

 iC-GD Data sheet.pdf

iC-GD

通用输入/输出接口 - (新)

Features

  • Two channels, each configurable as input or output

  • Low-side and high-side switches with up to 500 mA per channel, current limitation, current measurement, status messages, cable break detection, freewheeling diode, reverse polarity protection, optional parallel connection of both channels

  • Output of ±10 V or 0/4...20 mA with 14-bit resolution

  • Measurement of ±10 V, ±1 V, ±100 mV, ±10 mV, ±20 mA or 4...20 mA with 16-bit resolution

  • Input for Pt 100, Pt 1000 temperature sensors

  • Multi-function 32-bit counter

  • Digital output with pulse-width modulation option

  • Internal temperature measurement with 1 K resolution

  • SPI interface

  • Calibration and configuration by external EEPROM via serial interface

  • Error message at overtemperature, overload and undervoltage

  • Shutdown of the outputs in case of error


Applications

  • SPS control system

  • Data acquisition

  • Sensor interfaces


 iC-GF Data sheet.pdf

iC-GF

IO-Link 收发器用于 IO-Link Slave

Features

  • IO-Link compliant slave transceiver

  • Dual channel current-limited switches, configurable for high-side, low-side and push-pull operation with tristate function

  • Configuration via pins or SPI interface

  • Protection against reverse polarity

  • Output current of up to 150 mA per channel

  • The channels can be inverted for antivalent output

  • Sensor communication request function (IO-Link wake-up)

  • Wide supply voltage range of 9 to 30 V

  • Sensor parametrisation via a feedback channel

  • Error detection with hysteresis and driver shutdown for excess temperature, overload and undervoltage

  • Switching converters and linear regulators for 3.3/5 V voltage generation


Applications

  • IO-Link slaves and IO-Link sensor interface

  • Digital sensors

  • Light barriers

  • Proximity switches



 iC-JRX Data sheet.pdf

iC-JRX

2x4 双向24V高端驱动器, 带单片机接口

Features

  • 2 × 4 bidirectional 24 V input/output stages

  • I/O mode programmable in 4-bit blocks

  • Guaranteed high-side driving capability of 100 mAdc and 500 mApeak for pulse load

  • Short-circuit-proof drivers with high dielectric strength

  • Low saturation voltage of 0.6 V/100 mA and 2.0 V/500 mA

  • Integrated flyback circuits

  • Programmable PWM function

  • Digital input filters with filtering times externally adjustable

  • Supply voltage and two-stage temperature monitoring


Applications

  • Dual quad high-side driver as a bidirectional μP interface with digital filtering for industrial 24 V applications




 iC-JX Data sheet.pdf

iC-JX

4x4 双向24V高端驱动器, 带单片机负载诊断接口

Features

  • 16 bidirectional input/output stages at 24 V

  • Input/output mode programmable in 4-channel blocks

  • Short-circuit-proof high-side drivers with diagnosis function

  • 500 mA pulse and 150 mA permanent load driving capability

  • Active flyback circuit

  • Load diagnosis for driver current, output voltage and impedance (cable fractures, resistance and short circuits)

  • 10-bit A/D converter for the generation of diagnosis measurement values

  • Safety features (voltage monitor, temperature sensor with warning and shutdown features, power output enable pin)

  • Variable digital filters for the debouncing of I/O signals

  • Fast 8-bit parallel or serial SPI-compatible μC interface permits use in buses

  • Logic supply from 3 V upwards


Applications

  • Industrial 24 V applications

  • Lamp switches with diagnostic features

  • Inductive load driver circuits for relays and valves


 iC-MD Data sheet.pdf

iC-MD

48位正交信号计数器, 带RS422接收器和SPI/BiSS接口

Features

  • Counter resolutions: 16, 24, 32 and 48 bit

  • Counter resolutions: 16, 24, 32 and 48 bit

  • High count frequency of up to 40 MHz

  • Evaluation of distance-coded reference marks

  • Cascading/bus capable via SPI and BiSS C Interface

  • RS422, TTL, CMOS, LVDS input signals

  • Two actuator output signals

  • Operation from 3.3 V to 5 V

  • Operation modes: 1-channel ABZ inputs (TTL/RS422/LVDS), 2-channels ABZ inputs (TTL), 3-channels AB inputs (TTL)

  • Sub-system power switch offers reverse polarity protection for the overall system

  • Loss-of-signal indicator


Applications

  • PLC interface to linear scales and rotary encoders

  • Motion control

  • Quadrature encoder interfacing and processing



 iC-VRV Data sheet.pdf

iC-VRV

2x4 24V低端驱动器, 带输入/输出功能和单片机接口

Features

  • 2 × 4 bidirectional 24 V input/output stages

  • I/O mode programmable in 4-bit blocks

  • Output current 100 mAdc and 500 mApeak for pulse load

  • Short-circuit protection

  • Saturation voltage of 0.4 V (1.5 V/500 mA)

  • Integrated freewheeling diodes

  • Output voltage of up to 48 V

  • Digital input filters with filtering times externally adjustable

  • Thermal shutdown, low voltage detection


Applications

  • Dual quad low-side driver as a bidirectional μP interface with digital filtering for industrial 24 V applications



 iC-MD3 Data sheet.pdf

iC-MB3

BiSS接口Master主机, 1通道/3从机, SPI/并行控制器接口

Features

  • Bidirectional BiSS communication with up to 3 slaves

  • Supports BiSS C unidirectional, BiSS B, SSI and extended SSI

  • Synchronous acquisition with data rates up to 10 Mbit/s

  • BiSS B slave register operations

  • Automatic line delay compensation

  • Data lengths of up to 64 bit for sensor data per slave

  • CRC verification with up to 8 bits per slave

  • SPI or parallel interface to host e.g. microcontroller

  • Single 3 V to 5 V supply


Applications

  • BiSS B, BiSS C unidirectional, SSI sensor communication master

  • Device communication in multi-sensor sytems

  • Position acquisition with encoders

  • Drives and motor-feedback systems



 iC-MB4 Data sheet.pdf

iC-MB4

BiSS接口主机, 2通道/8从机, RS422收发器, 双SPI接口

Features

  • Bidirectional BiSS communication with up to 8 slaves

  • Supports BiSS C, BiSS B, SSI and extended SSI

  • Synchronous acquisition with data rates up to 10 Mbit/s

  • Configurable interface with TTL, CMOS, RS422 or LVDS

  • Slave register operations during cyclic data transfers

  • Automatic line delay compensation

  • Data lengths of up to 64 bit for sensor data per slave

  • CRC verification with up to 16 bits per slave

  • 64 bytes memory for bidirectional register access

  • SPI or parallel interface to host e.g. microcontroller

  • Single 3 V to 5 V supply


Applications

  • Device communication in multi-sensor sytems

  • Position acquisition with encoders

  • Drives and motor-feedback systems


 MCB_datasheet_B1en.pdf

iC-MCB

FEATURES

SPI-to-BiSS 从机桥,带RS-422收发器

  • BiSS Interface slave

  • Full BiSS protocol support

  • Two data channel configurable

  • Three slave IDs occupiable

  • Single-cycle data buffer of 64 byte organized in multiple banks for simultaneous access

  • Built-in control communication

  • RS422 line driver/receiver for BiSS/SSI point-to-point network

  • BiSS bus structure capable

  • SPI slave interface for sensor data provided by microcontroller

  • Fast Sensor interface for direct sensor data provided by an SPI slave device

  • BiSS safety related features: Two data channels for Control and Safety Position Word, 6/16 bit CRC + CRC start value

  • BiSS timeout: adaptive, 2 μs, 20 μs

  • SSI protocol support

  • Operation from 3.0 V to 5.5V

  • Operating temperature range of -40°C to +125°C

  • Space-saving 16-pin QFN package



APPLICATIONS

  • BiSS slave implementation

  • Multiple sensor devices

  • Encoder

  • Condition monitoring extension

  • Diagnosis extension

  • Torque sensor

  • Acceleration sensor

  • Inclinometer

  • Safety light curtain


 MCW_datasheet_A1en.pdf

iC-MCW

特点:

RS422 BiSS 看门狗,带SPI

  • Acquisition of BiSS Single Cycle Data

  • Acquisition of BiSS Control Data

  • Monitoring of BiSS communication status

  • Error diagnostics for debugging

  • Pin for simple error indication

  • Auto compensation of line delay and conversion times

  • Internal 14-bit BiSS frame counter

  • Built-In RS422 receiver for direct BiSS interfacing

  • Support of BiSS data transfer rates of up to 10 MBit/s

  • Serial controller communication via SPI™ slave interface

  • Support of interrupt-output

  • Built-In system and high speed sample clock generation

  • 3.3 to 5 V supply (+/-10%)

  • Operational temperature -40 to +125 °C

 

应用:

  • BiSS communication monitoring

  • BiSS Safety extension of BiSS standard drives


 BL_factsheet_rev2.pdf

iC-BL

特征:

  • BiSS 线从机或主机

  • 2 线和 4 线 BiSS 线路接口支持

  • 完整的 BiSS 线路协议支持,包括前向纠错 (FEC)

  • 低抖动的同步位置数据测量

  • 用于 BiSS Line 点对点和总线结构的片上 RS485 线路收发器

  • BiSS Line 到 BiSS C 协议传输

  • 带 CMOS 驱动器/接收器的数字 I/O 端口

  • 传感器端的 BiSS C 主接口,用于以菊花链方式连接多达 8 个数据长度高达 64 位的 BiSS C 从属设备

  • 与 BiSS C 和 BiSS Safety 完全兼容

  • SSI 主接口

  • SPI 从机和 SPI 主机接口

  • I2C 主接口

  • 传感器电源电压:2.5 V、3.3 V 或 5 V(最大 200 mA)

  • 在 5 V 或 7 V 至 30 V 电源下运行

  • 工作温度范围为 –40°C 至 +105°C


    应用:

  • 单电缆技术 BiSS Line master 或 slave implementations

  • 2 线和 4 线传感器接口

  • 电机反馈

  • 位置感测

  • 机器人学

  • 长距离 SPI 链接

  • 强大的多传感器数据通信

  • BiSS C 转 BiSS 线适配器

  • 设备诊断和状态监测

传感iCs

 iC-LA Data sheet.pdf

iC-LA

64x1 线性图像传感器, 带双向移位和可扩展数据输入/输出

Features

  • 64 photo pixels of 183 μm x 200 μm at a pitch of 200 μm (127 DPI)

  • Integrating L-V conversion with low image lag and track-and-hold feature

  • Integration time can be set externally

  • Internal bidirectional shift register also permits reversed pixel data output

  • Extendible data I/O enables multiple sensor operation for chain circuits

  • On-chip temperature sensor data available with serial pixel output

  • Error signal output with overtemperature, undervoltage and overcurrent

  • All current LD types can be used (N/P/M configurations)

  • Blue laser diodes supported


Applications

  • Optical linear sensors

  • CCD substitute


 iC-LF1401 Data sheet.pdf

iC-LF1401

128x1 线性图像传感器, 带电子快门功能

Features

  • 128 active photo pixels of 56 μm at a pitch of 63.5 μm (400 DPI)

  • Integrating L-V conversion followed by a sample-and-hold circuit

  • High sensitivity and uniformity over wavelength

  • High clockrates of up to 5 MHz

  • Shutter function enables flexible integration times

  • Push-pull output amplifier

  • Pin-to-pin compatible with TSL1401 at higher speed and sensitivity


Applications

  • Optical linear sensors

  • CCD substitute



 LFH.pdf

iC-LFH

高分辨率CMOS线性图像传感器 - (新)

Features

  • 1024 / 960 / 640 / 320 active photo pixels with 12.7 μm x 600 μm (2000 DPI)

  • Pin-selectable resolution of 2000, 1000, 500 and 250 DPI (binning or averaging selectable)

  • High sensitivity and uniformity over wavelength

  • High pixel clock rate of up to 5 MHz

  • Continuous sample and read mode

  • Asynchronous, global shutter enables flexible integration times

  • 3 V capable analog output with separate supply pin

  • Glitch-free push-pull analog output


Applications

  • Triangulation sensors

  • Contact image sensors

  • Spectroscopy sensors

  • CCD replacement


 iC-LF1402 Data sheet.pdf

iC-LFL1402

256x1 无间隙线性图像传感器, 带电子快门功能

Features

  • 256 active photo pixels of 56 μm at a gap-free pitch of 63.5 μm (400 DPI)

  • Integrating L-V conversion followed by a sample-and-hold circuit

  • High sensitivity and uniformity over wavelength

  • High clockrates of up to 5 MHz

  • Only 256 clocks required for readout

  • Shutter function enables flexible integration times

  • Push-pull output amplifier

  • Function equivalent to TSL1402 (serial mode)


Applications

  • Optical linear sensors

  • CCD substitute


 iC-LFM Data sheet.pdf

iC-LFM

64x1 线性图像传感器, 带电子快门功能

Features

  • 64 active photo pixels of 56 μm at a pitch of 63.5 μm (400 DPI)

  • Integrating L-V conversion followed by a sample-and-hold circuit

  • High sensitivity and uniformity over wavelength

  • High clockrates of up to 5 MHz

  • Only 64 clocks required for readout

  • Shutter function enables flexible integration times

  • Push-pull output amplifier


Applications

  • Optical linear sensors

  • CCD substitute


 iC-LFS Data sheet.pdf

iC-LFS

32x1线性图像传感器,带电子快门功能

Features

  • 32 active photo pixels of 56 μm at a pitch of 63.5 μm (400 DPI)

  • Integrating L-V conversion followed by a sample-and-hold circuit

  • High sensitivity and uniformity over wavelength

  • High clockrates of up to 5 MHz

  • Only 32 clocks required for readout

  • Shutter function enables flexible integration times

  • Push-pull output amplifier


Applications

  • Optical linear sensors

  • CCD substitute





 iC-LO Data sheet.pdf

iC-LO

智能三角定位传感器芯片

Features

  • Specially formed line image sensor comprising 129 elements

  • High ambient light suppression of up to 100 kLux with filter glass

  • Dynamic range of 100 dB

  • 2 antivalent switching outputs

  • Alarm message output

  • High switching frequencies

  • Low latency

  • Current or light-power control (ACC or APC) selectable per channel

  • Dual A/D converter for analog levels monitoring

  • Serial programming interface (SPI or I2C compliant)

  • Laser channel disable with programmable overcurrent threshold

  • Low drop linear regulator for 3.3 V

  • Optimized for N-type laser diodes


Applications

  • Diffuse reflective photoelectric sensors




 iC-LQNP Datasheet.pdf

iC-LQNP

脉冲和交流光电编码器, 互补输出

Features

  • Fast response amplifier with on-chip photodiode

  • High interference immunity due to monolithic design

  • Active photodiode area of ca. 1 mm2

  • Suitable for visible light and near infrared

  • Integrated band-pass filter with 140 kHz center frequency

  • High LF and DC (ambient) light suppression

  • Complementary analogue current source/sink outputs, transimpedance can be set by external resistor

  • Single 5 to 12 V supply, low power consumption also with bright ambient light


Applications

  • Amplification of pulse and AC light signals

  • Receiver for through beam and reflection light barriers with background suppression (sunlight) e.g. for presence detection in power operated gates, doors and windows etc.

 iC-OC Data sheet.pdf

iC-OC

双重积分光电传感器, 带串接移位寄存器

Features

  • Two photosensors with integrating amplifiers

  • Integration time can be set externally

  • Internal shift register for chain connection

  • Detection of low supply voltage

  • Photosensors with 1 mm pitch, active area ca. 0.97 mm x 0.47 mm


Applications

  • Optical line sensors

  • CCD substitute




 iC-OD Data sheet.pdf

iC-OD, iC-ODL

光学位置敏感探测, 环境光抑制

Features

  • Low-noise current amplifier with an integrated position-sensitive photodiode

  • Effective photodiode area 2.6 mm × 0.88 mm (iC-OD), longer version with 8.4 mm × 0.88 mm available (iC-ODL)

  • High sensitivity for visible light and near infrared

  • Integrated bandpass filter with 100 kHz center frequency

  • High background light suppression

  • Analogue output as current source

  • Low power consumption from 3.9 to 13.2 V supply voltage


Applications

  • Position-sensitive detection of pulse lights

  • Receiver for motion or proximity sensors




 iC-VP Data sheet.pdf

iC-VP

可调灵敏度光电开关

Features

  • High spectral sensitivity

  • Sensitive to visible light and near infrared

  • Adjustable threshold

  • Short switching time

  • Supply voltage of 4.5 to 16 V

  • Photosensor size: 400 μm × 400 μm


Applications

  • Receiver for reflecting and nonreflecting light barriers

  • Multichip modules for absolute encoders




 iC-MZ Datasheet.pdf

iC-MZ

差分霍尔开关和齿轮传感器, 带线驱动器

Features

  • Dual Hall sensors set 2.0 mm apart

  • Magnetic field frequency range from DC to 40 kHz

  • Supply voltage range 4.5 to 36 V

  • Complementary push-pull line driver outputs with integrated line adaptation

  • Output stages are current limited and short-circuit-proof due to temperature shutdown

  • Min. 200 mA output current at 24 V supply voltage

  • Low driver stage saturation voltage (< 0.4 V at 30 mA)

  • RS422-compatible (TIA / EIA standard)

  • Temperature and supply voltage monitor with error messaging


Applications

  • Gear wheel sensing

  • Pole wheel and magnetic tape scanning

  • Magnetic incremental encoders

  • Proximity switches

  • Two-channel line drivers up to 100 kHz


 iC-SM2L Data sheet.pdf

iC-SM2L

AMR 线性位置磁阻效应传感器 (间距: 2mm)

Features

  • Magneto resistive position sensor based on the AMR effect

  • Strong field sensor for 2 mm N/S pole pitch

  • One sine/cosine cycle per pole width (averaged using a pair of N/S poles)

  • High interpolation due to a sine signal with few harmonics

  • Low saturation field strength

  • High amplitude consistency with changes in distance

  • Resistant to strong magnetic fields

  • Not sensitive to external homogeneous magnetic fields


Applications

  • Linear position sensing

  • Length measuring systems



 iC-SM5L Data sheet.pdf

iC-SM5L

AMR 線性位置磁阻效應感測器 (間距:5mm)

Features

  • Magneto resistive position sensor based on the AMR effect

  • Strong field sensor for 5 mm N/S pole pitch

  • One sine/cosine cycle per pole width (averaged using a pair of N/S poles)

  • High interpolation due to a sine signal with few harmonics

  • Low saturation field strength

  • High amplitude consistency with changes in distance

  • Resistant to strong magnetic fields

  • Not sensitive to external homogeneous magnetic fields


Applications

  • Linear position sensing

  • Length measuring systems



线性功能

 iC-BM Data sheet.pdf

iC-BM

4重4象限模拟乘法器

Features

  • MLT04 replacement

  • Four independent channels

  • Four-quadrant multiplication

  • Voltage output: W = 0.4 * X * Y

  • ±2.5 V analog input range

  • 3.5 MHz bandwidth


Applications

  • Analog computation

  • Squaring circuits

  • Modulation and demodulation

  • Voltage controlled amplifiers




 iC-HC Data sheet.pdf

iC-HC

双重超快信号比较器,可达36V

Features

  • Independent input supply voltage range up to 36 V

  • Input voltage range down to VN

  • Differential input voltage of 36 V max.

  • Separate digital supply

  • Programmable hysteresis resp. hold function

  • Propagation delay typ. 5 ns

  • Power save mode with propagation delay of typ. 20 ns

  • TTL and CMOS compatible logic inputs and outputs

  • 8 mA CMOS outputs


Applications

  • Receiver for 24 V control systems

  • A/D and D/C converters

  • Signal conditioning

  • Zero-crossing detectors

  • I/Os, level shift

  • Timing critical measurement equipment



 iC-HO.pdf

iC-HO

通用传感器接口

Features

  • 16 bit analog to digital conversion

  • Integrated configurable linearization for sensor signal characteristic curve

  • Configurable PI heater controller

  • Configurable temperature drift compensation

  • Analog PGA input, low noise, ultra-low offset

  • Sensor signal offset correction

  • Configurable low noise ratiometric differential analog output

  • Digital and analog sensor data output

  • Signal and system monitoring

  • Integrated 8 bit temperature sensor


Applications

  • Flow Sensors

  • Pressure Sensors

  • Gas Sensors




安全光幕iCs

 NL.pdf

iC-NL

光幕脉冲驱动器, 带调制输入

Features

  • Adjustable LED pulse operation, set range of 0.4 to 1.2A

  • Short light pulses down to 300 ns

  • LED efficiency degradation compensated

  • Control logic with 2-step shift register

  • Thermal shutdown and power-down reset

  • Data output buffer optimized for open lines

  • Single 5 V supply

  • Suited for high-risk applications according to IEC 61496-1


Applications

  • Light curtain LED driver

  • Light barrier LED driver

  • Electro-sensitive protective equipment (ESPE)


 iC-NT Data sheet.pdf

iC-NT

光幕脉冲驱动器用于光幕, 光障和电敏防护设备

Applications

  • Adjustable LED pulse operation

  • Short light pulses down to 1 us

  • LED efficiency degradation compensated

  • Thermal shutdown and power-down reset

  • Data output buffer with built-in 120 Ohm wave impedance adaptation

  • Single 5 V supply

  • Suited for high-risk applications according to IEC 61496-1


Features

  • Light curtain LED driver

  • Light barrier LED driver

  • Electro-sensitive protective equipment (ESPE)




 iC-NX Data sheet.pdf

iC-NX

8通道光幕脉冲驱动器

Features

  • 1 to 8 channels (hardware programmable)

  • Adjustable LED pulse operation, set range of 0.4 to 1.8A

  • Short light pulses down to 0.5 us with steep edges

  • LED efficiency degradation compensated by positive current temperature coefficient

  • Control logic with 3-step shift register

  • LED short-circuit recognition

  • Diagnostic message generated with LED interrupts

  • Thermal shutdown and power-down reset

  • Output buffer with 120 Ohm line adaptation

  • Single 4.75 to 6 V supply

  • Suited for high-risk applications according to IEC 61496-1


Applications

  • Light curtain LED driver

  • Light barrier LED driver

  • Electro-sensitive protective equipment (ESPE)


 NXL.pdf

iC-NXL

8通道光幕脉冲驱动器, 带调制输入

Features

  • 1 to 8 channels (hardware programmable)

  • Adjustable LED pulse operation, set range of 0.4 to 1.8A

  • Short light pulses down to 0.3 us with steep edges

  • LED efficiency degradation compensated by positive current temperature coefficient

  • Control logic with 3-step shift register

  • LED short-circuit recognition

  • Diagnostic message generated with LED interrupts

  • Thermal shutdown and power-down reset

  • Output buffer with 120 Ohm line adaptation

  • Single 4.75 to 6 V supply

  • Suited for high-risk applications according to IEC 61496-1


Applications

  • Light curtain LED driver

  • Light barrier LED driver

  • Electro-sensitive protective equipment (ESPE)


iC-LK

光幕脉冲接收器, 带集成光电二极管

Features

  • Photoelectric amplifier with integrated photodiode

  • Built-in bandpass filter with switchable centre frequency

  • Differential current output with open-drain low-side drivers

  • Recovery time below 10 μs even for excessive photocurrents within the input range

  • Single 5 V supply


Applications

  • Light curtain LED driver

  • Light barrier LED driver

  • Electro-sensitive protective equipment (ESPE)


备注:规格书请联系客服人员

 iC-ME Data sheet.pdf

iC-ME

2通道光幕脉冲接收器

Features

  • Dual photo diode inputs with photoelectric amplifier

  • Built-in bandpass filter with 300 kHz center frequency

  • Differential current-signal output with open drain low-side drivers

  • Recovery time below 10 μs for excessive photocurrents of up to 1.8 mA

  • Shift register and control logic

  • Single 5 V supply

  • FMEA driven circuit and layout topology

  • Suited for high-risk applications according to IEC 61496-1


Applications

  • Light curtain LED driver

  • Light barrier LED driver

  • Electro-sensitive protective equipment (ESPE)



 iC-Ne Data sheet.pdf

iC-NE

光幕脉冲接收器用于光幕, 光障和电敏防护设备

Features

  • Photoelectric amplifier adapted to standard photodiodes

  • Built-in band-pass filter with 300 kHz center frequency

  • Differential current-signal output

  • Wide dynamic range of 100 nA to 1.5 mA for pulsed photocurrents

  • Three stage shift register and control logic

  • Suited for high-risk applications according to IEC 61496-1


Applications

  • Light curtain LED driver

  • Light barrier LED driver

  • Electro-sensitive protective equipment (ESPE)


iC-NK

光幕脉冲接收器

Features

  • Photoelectric amplifier with integrated bandpass

  • Processing of light pulses up to 1MHz

  • Differential current-signal output

  • Wide dynamic range of 0.3 μA to 1.8mA for pulsed photo currents

  • Fast recovery time of 0.5 μs within dynamic range

  • 2-step shift register and control logic


Applications

  • Light curtain LED driver

  • Light barrier LED driver

  • Electro-sensitive protective equipment (ESPE)



备注:规格书请联系客户人员


LED 发光二极管

 iC-SD85 Data sheet.pdf

iC-SD85

850 nm 红外线 LED 用于高分辨率光电编码器, 带透镜或玻璃平板窗

Features

  • Emission peak at 850 nm matched to silicon sensors

  • Optimized irradiance pattern

  • High temperature range -40 to 125 °C

  • High optical output power

  • Fast switching speed

  • Packages suitable for SMT mounting


Applications

  • Illumination for high resolution optical encoder

  • Modulated light barriers


 iC-SG85 Data sheet.pdf

iC-SG85

850 nm 红外线 LED 用于高品质大面积照明高分辨率光电编码器, 带塑料透镜

Features

  • Emission peak at 850 nm matched to silicon sensors

  • Optimized irradiance pattern

  • High temperature range -40 to 125 °C

  • High optical output power

  • Fast switching speed

  • Packages suitable for SMT mounting


Applications

  • Illumination for high resolution optical encoder

  • Modulated light barriers


 iC-SN85 Data sheet.pdf

iC-SN85

850 nm 红外线 LED 用于高质量大面积照明高分辨率光电编码器, 带塑料透镜

Features

  • Emission peak at 850 nm matched to silicon sensors

  • Optimized 6 mm irradiance pattern

  • High temperature range -40 to 125 °C

  • High optical output power

  • Fast switching speed

  • Packages suitable for SMT mounting


Applications

  • Illumination for high resolution optical encoder

  • Modulated light barriers


 iC-TL46 DataVsheet.pdf

iC-TL46

460 nm 蓝光 LED - (新)

Features

  • Point Source LED

  • High brightness Ultra Red LED

  • Glass cover

  • High temperature range -40 to 125 °C

  • SMD 1206 LED Package


Applications

  • Illumination for high resolution optical encoders, PSDs and optical line-scanners

  • Modulated light barriers


 iC-TL85 Data sheet.pdf

iC-TL85

850 nm 红外线 LED 用于高分辨率光电编码器, 带透镜或玻璃平板窗

Features

  • Emission peak at 850 nm matched to silicon sensors

  • High temperature range -40 to 125 °C

  • High optical output power

  • Fast switching speed

  • TO-46 package (flat or lens window) for high reliability


Applications

  • Illumination for high resolution optical encoder

  • Modulated light barriers


电源控制IC

 非内置.zip

 内置.zip

低待机功率对应PWM控制IC(电流模式)

低待机功率对应PWM控制IC(电流模式)

内置掉电保护功能:

型号:

FA5628N、FA5627N、FA8A00N、FA8A40N、FA8A01N、FA8A27N

 

非内置掉电保护功能:

FA5528N、FA5527N、FA5526N、FA5538N、FA5537N、FA5536N、FA5637N、FA5639N、FA5680N、FA5681N、FA8A60N、FA8A61N、FA8A70N、FA8A71N、FA8A12N

各系列参数请参考规格书

 非内置.zip

 内置(线性降频).zip

通用PWM控制IC

通用PWM控制IC

内置(线性降频)低待机功率功能,

型號:

FA3641P/N、FA3647P/N、FA5604NFA5605NFA5606N

 

非內置低待机功率功能:

型号:

FA13842P/N、FA13843P/N、FA13844P/NFA13845P/NFA5504P/N、FA5510P/N、FA5511P/N、FA5514P/N、FA5515P/N、FA5607N

备注:各系列的详细规格,请参考规格书


 10~28V.zip

 11~26V.zip

低待机功率对应准谐振控制IC(电流模式)

低待机功率对应准谐振控制IC(电流模式)

型号:

输入电压(10 - 28V):FA5570N、FA5571N、FA5572N、FA5573N、FA5574N、FA5577N

输入电压(11 - 26V):FA5640N、FA5641N、FA5642N、FA5643N、FA5644N、FA5648N


备注:各系列详细规格,请参考规格书


 连续模式.zip

 临界模式.zip

功率因数校正IC

功率因数校正IC

控制方式(临界模式)

型号:FA5590N、FA5591N、FA5695N、FA5696N、FA5601

 

控制方式(连续模式)

型号:FA5502、FA5612、FA5613

 

备注:各系列详细规格,请参考规格书


电流共振IC

电流共振IC


规格

型号

控制方式

输入电压

UVLO

电流

检测

工作频率

最大频率       

过负载

保护   

过电压

保护   

启动电路       

掉电保护机能

FA5760N




电压模式

10 - 24V

12.0V ON

8.9V OFF




正极

检测






自激

方式

200kHz



自动

恢复



自动

恢复



内置

(500V)

内置

(固定)

FA6A00N



14 - 27V



12.0V ON

9.0V OFF



350kHz

FA6A10N

内置

(可调整)

FA6A11N

定时

锁定


 电源控制IC.zip

DC/DC电源控制IC

DC/DC控制IC

型号:

FA7700、FA7701、FA7703、FA7704、FA3687、FA7711、FA7764

 

备注:各系列详细规格,请参考规格书


 高低边IC.zip

高/低边驱动IC


电路

方式

型号                  绝对电大额定值
                                    电气特性

高边对

地电压

输入

电压

电流

    最大

工作效率

逻辑输入

电压

输入输出

延迟时间

电源电压过低保护

输入

系统数

封装



半桥

FA5650N
830V
30V
-1.4A/1.8A




500Khz

Logic"1" 2.1V

Logic"0" 1.1V

125ns

Positive going

8.9V

Negative going

8.2V

2
SOP-8
FA5651N


624V


24V

-0.2A/0.35ASOP-16
FA5751N

High side IHO:

-0.62A/1.00A

Low side ILO:

-0.56A/0.91A

Logic"1" 2.1V

Logic"0" 1.3V

125nsSOP-8
FA5752N130ns