賽米控以MiniSKiiP，SEMITOP和SEMITRANS封裝形式提供全碳化矽功率模塊。通過使用領先供應商的碳化矽 MOSFET，可以達到最大輸出功率及功率密度，且開關頻率高，損耗減至最低，效率提升至最高。開關頻率的增加令無源濾波器組件的需求大大減少。而功率損耗減小, 所需的散熱器可以更小和冷卻需求更低。此兩種好處可以讓系統成本大幅下降。

可提供的全碳化矽功率模塊電流為20A-500A, 電壓為1200V。可帶或不帶反並聯續流肖特基二極管。

涵蓋的拓撲結構包括經典配置的三相全橋, 同時可以分別輸出以便靈活地適應您的應用。半橋和包括一個旁路二極管的升壓斬波電路也供選擇。

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 賽米控提供混合碳化矽功率模塊如，MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit和SKiM63/93。將最新的IGBT技術和由領先供應商所提供的SiC（碳化矽）肖特基二極管結合在一起，以提高開關頻率，同時減少功率損耗。

可提供的混合碳化矽功率模塊電流為50A - 600A,電壓為 1200V。涵蓋三相全橋和半橋拓撲結構。

SiC（碳化矽）肖特基續流二極管所帶來的開關損耗近乎為零, 同時能大大降低IGBT的導通損耗。這些效果可以在同一個模塊封裝裡帶來更高的開關頻率，它有效地降低了對如太陽能逆變器、UPS系統或高頻電源的輸出端的濾波要求。而且可實現比標準矽功率模塊更高的輸出功率。

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